摘要 -G(z!ed
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+Ys<V k5$_Q# 元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
Ii,e=RG> {Rc/Ten 元件内部场分析仪:FMM s59v*
/ p=coOWOQ (%oZgvM 元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
*,%H1)Tj} F6}Pwz[c 评估模式的选择 ,1Suq\
L /wljbb/s 7;5?2)+=6 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
fS>W- @r%[e1. 评价区域的选择 %q;3bfq@N [kt!\-
z~L4BY @z \'q-Xr'}M 元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
WQ\' z?P SJ6lI66OX 不同光栅结构的场分布 E=Ah_zKU L
oe!@c 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
^W eE%" GLB7h9> B0?E$8a 光栅结构的采样 _'ltz!~ m>x.4aO1 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
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分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
` Xhj7%> _k\*4K8L 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
x>A(016:C RI!!?hYm R(74Px,/ 输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) 2oXsPrtZ gGxgU$`#c ZF_*h`B
对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
DxdiXf[j jX-v9eaA 输出数据的采样:二维周期光栅 KqG:o+V= ()6(eRGJ 当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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