hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) uY:u[  
5 0<  
严格的 OPC 和源优化 uEdeA'*^  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 -}P/<cu:  
可检测性 &I?d(Z=:\  
印刷适性 :{x   
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) -_fh=}.n+"  
kXW$[R  
双重图案 Jl{g"N{2u'  
rNeSg=j  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 mH7Mch| m  
光刻冻结 光刻蚀刻 ux1SQ8C*  
侧壁间隔物 W(jP??up  
晶圆形貌效应 *+>Q
KR7  
非平面光阻 *Zz hN]1  
首次接触时的潜在特征 G$CI~0Se:  
kcZz WG|n  
相移掩模版 S3&lkN5  
Cm[^+.=I  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 qh/}/Sl;  
相位缺陷 R%)7z)~  
湿法蚀刻/双沟槽 d1n*wVl  
无铬相光刻 ,Cj` 0v#  
衰减相移掩模版 |Whkq/Zg  
脱保护收缩的 NTD  bj U]]  
SEM 诱导收缩 P: )YKro]  
EUV 和 DUV 的随机效应 O"f|gc)GLz  
PEB 扩散效应 gIcm`5+T  
表面抑制 Ugv"A;l  
温度效应 L=<{tzTc  
侧壁分析 fz`\-"f]  
内外角偏差分析 h
V[=  
拉回 btv.M  
最高亏损 ]B9Ut&mF;  
{%XDr,myd  
薄膜堆叠分析 *)um^O  
xQ@gh ( (  
BARC 优化 992cy2,Fb  
多层镜反射率 S'%!KGVe  
抵抗厚度效应