hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) :c
03"jvYE  
$)or{Z$&  
严格的 OPC 和源优化 hB[VU ";  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 C[X2]zr  
可检测性 Tj(DdR#w  
印刷适性 sKu/VAh x  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) $c^,TAN  
yyZs[5Q  
双重图案 |FED<  
rJz`v/:|P  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 r2b_
$  
光刻冻结 光刻蚀刻 uv#."_Va  
侧壁间隔物  =&8Cg  
晶圆形貌效应 Kg8n3pLAX  
非平面光阻 *OM+d$l!  
首次接触时的潜在特征 >^!)G^B  
5EX Ghc'  
相移掩模版 b
+/z,c6w  
bz'#YM  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 7cMHzhk^  
相位缺陷 ;rj|>  
湿法蚀刻/双沟槽 Bjc<d,]  
无铬相光刻 h85kQ^%  
衰减相移掩模版 'lWgHmE  
脱保护收缩的 NTD {e]ktj#+{  
SEM 诱导收缩 +H**VdM6s  
EUV 和 DUV 的随机效应 b fj]Q  
PEB 扩散效应 r)]8zK4;=  
表面抑制 |#i|BVnoE  
温度效应 n.l7V<1  
侧壁分析 Od]B;&F  
内外角偏差分析 BbCaIt  
拉回 H$M{thW  
最高亏损 Oaj$Z- f  
3'jH,17lWV  
薄膜堆叠分析 OAiSE`  
bmP2nD6  
BARC 优化 -hU1wX%U  
多层镜反射率 *S= c0  
抵抗厚度效应