hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Pxf/*z  
:ka^ztXG  
严格的 OPC 和源优化 J$i.^|hE/  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 F$jfPy-f  
可检测性 HNd? '  
印刷适性 GQDW}b8  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) sBLOrbo  
j[Gg[7q{y  
双重图案 Rw)=
<XV)6  
{\gpXVrn_  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 X=V2^zrt  
光刻冻结 光刻蚀刻 Y6m:d&p=}  
侧壁间隔物 {Mc;B9W  
晶圆形貌效应 UmG|_7  
非平面光阻 PxA OKUpI  
首次接触时的潜在特征 4@QR2K|  
C(kL
=WD   
相移掩模版 'oF XNO  
Qcn;:6_&W  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 g0#w 4rGF)  
相位缺陷 v(zfq'^%`  
湿法蚀刻/双沟槽 |q c<C&O  
无铬相光刻 K9ek  
衰减相移掩模版 hG>kx8h  
脱保护收缩的 NTD X'j9l4Ph7  
SEM 诱导收缩 o8~<t]Ejw  
EUV 和 DUV 的随机效应 "-S@R=bi  
PEB 扩散效应 J~AmRo0!k  
表面抑制 ~.CmiG.7  
温度效应 (U@$gkUx}G  
侧壁分析 0<+eN8od.  
内外角偏差分析 US\h,J\Ju  
拉回 Z=oGyA  
最高亏损 f$qkb$?]}  
"b) hj?  
薄膜堆叠分析 0wt4C% .0  
w<Bw2c  
BARC 优化 `eeA,K_  
多层镜反射率 "O~kIT?/v  
抵抗厚度效应