hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) ]Ql 0v"` F  
F=@i6ERi  
严格的 OPC 和源优化 i4Z4xTn  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 ;5|1M8]=0  
可检测性 Kf7WcJ4b  
印刷适性 ]]iO- }  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) s<T?pH  
>cOeiK  
双重图案 >`V}U*}*H  
?Z %:  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 +p:Y=>bTj  
光刻冻结 光刻蚀刻 3" Vd==oK~  
侧壁间隔物 Z/ bB h  
晶圆形貌效应 "/%89 HMD  
非平面光阻 b#Kq[}  
首次接触时的潜在特征 AO0!liQ  
}HZ{(?  
相移掩模版  7 Yv!N  
}VRvsZ  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 2z2`  
相位缺陷 cwtD@KC[B  
湿法蚀刻/双沟槽 2:v<qX  
无铬相光刻 ~a+NJ6e1  
衰减相移掩模版 h_ !>yK  
脱保护收缩的 NTD :\}U9QfCw  
SEM 诱导收缩 /
8CY0Ey  
EUV 和 DUV 的随机效应 i+(GNcg2  
PEB 扩散效应 K}x/ BhE+  
表面抑制 H7IW"UkBR  
温度效应 ,ECAan/@  
侧壁分析 f~\Xg7<  
内外角偏差分析 Gbb\h  
拉回 zNtq"T[  
最高亏损 hLuJWjCV  
9D4-^M:a  
薄膜堆叠分析 >A jCl  
jUY+3"?   
BARC 优化 ju{%'D!d9  
多层镜反射率 H7e /  
抵抗厚度效应