hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) EkEQFd 5g  
jNW/Biy4u  
严格的 OPC 和源优化 zI'c'X1,  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 Y|aaZ|+  
可检测性 VX e7b  
印刷适性 =8EGB\P  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) HQ^:5XH  
)`}4rD^b  
双重图案 ig4mj47wJ  
<ugy-vSv  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 1p(9hVA  
光刻冻结 光刻蚀刻 L!^^3vn  
侧壁间隔物
#A^(
1  
晶圆形貌效应 @O)1Hnm  
非平面光阻 :jGgX>GG  
首次接触时的潜在特征 Q&e*[l2M6  
nh>lDfJV<  
相移掩模版 DaqpveKa  
zOMU&;.\  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 94L>%{59  
相位缺陷 o<7'(Pz  
湿法蚀刻/双沟槽 r8Z} mvLM  
无铬相光刻 (BY5omlh  
衰减相移掩模版 {r1}ACw{  
脱保护收缩的 NTD B{cb'\C  
SEM 诱导收缩 Hw~?%g:<S  
EUV 和 DUV 的随机效应 V)cL
=4G  
PEB 扩散效应 #)( D_*  
表面抑制 rF=\H3`p3  
温度效应 9/6=[)  
侧壁分析 _hi8mo  
内外角偏差分析 >\Ml\CyL  
拉回 2w>yW]  
最高亏损 "SU O2-Gj  
dU#}Tk  
薄膜堆叠分析 R<e ~Cb-  
</|m^$v  
BARC 优化 B#[.
c$  
多层镜反射率 {'[S.r`  
抵抗厚度效应