hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) --FtFo  
e"/X*xA  
严格的 OPC 和源优化 S]g)^f'a65  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状  m:Abq`C  
可检测性 ,SwaDWNO  
印刷适性 BIyG[y?qO  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) lM,:c.R  
K$]B" s  
双重图案 L1i> %5:g  
?3N86Qj  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 o]U==  
光刻冻结 光刻蚀刻 B ;$8<  
侧壁间隔物 ^umAfk5r?H  
晶圆形貌效应 t%@pyK  
非平面光阻 nQ~L.V  
首次接触时的潜在特征 jqedHnx  
p\\q[6  
相移掩模版 IA`  
Z5A<TC/:  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 xpwzzO*U  
相位缺陷 B,T.bgp\  
湿法蚀刻/双沟槽 ZrS!R[  
无铬相光刻 D(|$6J 0  
衰减相移掩模版 {o`5&EoM  
脱保护收缩的 NTD _Hk`e}}  
SEM 诱导收缩 t:7jlD!d  
EUV 和 DUV 的随机效应 |0-L08DW  
PEB 扩散效应 s2WB4Uk  
表面抑制 ' M!_k+e  
温度效应 Fu$sfq  
侧壁分析 *TkABUL  
内外角偏差分析 E?uv&evPK7  
拉回 +qec>ALAg  
最高亏损 uItKsu  
t {}1f  
薄膜堆叠分析 cS"6%:hQ  
WyETg!b[  
BARC 优化 edQ><lz  
多层镜反射率 Fz% n!d  
抵抗厚度效应