hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 3A!Qu$r9  
d^qTY?k.  
严格的 OPC 和源优化
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fjHa6S  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 "@(Sw>*o  
可检测性 b*TQKYT  
印刷适性 ('1]f?:M  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) RYZM_@5$t  
jX&/ e'B  
双重图案 bx:j`5Uj`  
,w%hD*  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 $ #bWh  
光刻冻结 光刻蚀刻 M$Ow*!DfP  
侧壁间隔物 v{;^>"5o  
晶圆形貌效应 ~nRbb;M  
非平面光阻 &\e8c g  
首次接触时的潜在特征 se*!OiOt  
EI8KKo *  
相移掩模版 B\\M%!a>  
+o|I@7f  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 #b>D^=NV>)  
相位缺陷 zbAyYMtEk  
湿法蚀刻/双沟槽 W.nr&yiQ  
无铬相光刻 V6kJoSyde  
衰减相移掩模版 )-^[;:B\k"  
脱保护收缩的 NTD z8<"  
SEM 诱导收缩 _j2q  
EUV 和 DUV 的随机效应 k{J\)z  
PEB 扩散效应 #ba7r ]Xu  
表面抑制 |h-e+Wh1  
温度效应 j5!pS xOC  
侧壁分析  :X 9_~  
内外角偏差分析 !|~yf3  
拉回 AHet,N  
最高亏损 ]ASTw(4  
6r)B|~,OA  
薄膜堆叠分析 YQ`88z  
>!PCEw<i  
BARC 优化 o#hFK'&~  
多层镜反射率 `>u^Pm  
抵抗厚度效应