hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) RaAq>B WPr  
vsK>?5{C-  
严格的 OPC 和源优化 s
MZ \6  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 [
eImP V]  
可检测性 zC7;Zj*k  
印刷适性 ^#+9v  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) OX91b<A  
b~r ?#2K  
双重图案 }U9e#>ex  
;RXv%ML  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 \a<E3 <  
光刻冻结 光刻蚀刻 Ex<loVIrP$  
侧壁间隔物 N'4*L=Ut  
晶圆形貌效应 q+<TD#xoL  
非平面光阻 &f[[@EF7  
首次接触时的潜在特征 ^-DK<jZ^  
6(.&y;  
相移掩模版 @_;6L  
Z=#!FZ{  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 OnG?@sW+4!  
相位缺陷 ;kY=}=9  
湿法蚀刻/双沟槽 c8(.bmvF  
无铬相光刻 `|gCbs95  
衰减相移掩模版 ,W.O*vC
A  
脱保护收缩的 NTD D`u{U]  
SEM 诱导收缩 T6tJwSS4:  
EUV 和 DUV 的随机效应 m#uutomi0  
PEB 扩散效应 H=0Y4 T@)T  
表面抑制 
1Z`zdZs  
温度效应 @ ~PL|Pp_  
侧壁分析 74Lq!e3hMF  
内外角偏差分析 56fcifXz@  
拉回 gX[6WB"p  
最高亏损 }RXm=ArN  
co: W!  
薄膜堆叠分析 /gxwp:&lY  
m$]?Jq  
BARC 优化 .^/OL}/~<  
多层镜反射率 !aLL|}S  
抵抗厚度效应