hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 3$p#;a:=n  
BzbDZV  
严格的 OPC 和源优化 K"{HseN{  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 }e{qW  
可检测性 w|Aqqe  
印刷适性
pY}/j;.[  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 3y`F<&sA  
YD[H  
双重图案 1dG06<!
 
"pvZ,l>8f  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 SGcBmjP  
光刻冻结 光刻蚀刻 Rp.W,)i  
侧壁间隔物 f_6`tq m%  
晶圆形貌效应 ]]uHM}l  
非平面光阻 [ygF0-3ND  
首次接触时的潜在特征 N:BL=}V  
,=%nw]:  
相移掩模版 6Wf^0ok  
e%6{ME 3  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 :nGM
tF  
相位缺陷 :je
m~6i  
湿法蚀刻/双沟槽 RA1yr+)  
无铬相光刻 >-cfZ9{!  
衰减相移掩模版 4tc:.  
脱保护收缩的 NTD 1~5trsB+5  
SEM 诱导收缩 >SI<rR[~%  
EUV 和 DUV 的随机效应 B5=($?5^6%  
PEB 扩散效应 #MgvG,  
表面抑制 Nw<P bklz  
温度效应 vK$^y^  
侧壁分析 >)4YP*qIPb  
内外角偏差分析 ]qktj=p  
拉回 k`YYZt]@  
最高亏损 W)=%mdxW0  
tJZc/]%`H  
薄膜堆叠分析 Dz&+PES_k  
}KB[B  
BARC 优化 i^2IW&+}e}  
多层镜反射率 wyY*:{lZ  
抵抗厚度效应