hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 5?.!A 'zb  
z{/#/,V5D4  
严格的 OPC 和源优化 @6*eS+t\  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 G 2uM6  
可检测性 bnN&E?{hF1  
印刷适性 B<ZCuVWH:  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) lo-VfKvy  
mR$0Ij/v  
双重图案 zXk^ugFy  
oJ|m/i)  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 WR_B:%W.  
光刻冻结 光刻蚀刻 JOyM#g9-?  
侧壁间隔物 !Ej?9LHo  
晶圆形貌效应 *VaQ\]:d  
非平面光阻 (:R5"|]@<x  
首次接触时的潜在特征 8! /ue.T  
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相移掩模版 +0%Y.O/{  
Jl|^^?  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ";^_[n
 
相位缺陷 j+e s  
湿法蚀刻/双沟槽 `JyI`@,!  
无铬相光刻 op3a*KG  
衰减相移掩模版 uX6p^KNm5  
脱保护收缩的 NTD }?MbU6"  
SEM 诱导收缩 /#SH`ZK  
EUV 和 DUV 的随机效应 /J9Or{#r  
PEB 扩散效应 93
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表面抑制 r.c:QY$  
温度效应 rr>6;  
侧壁分析 g ;XK3R  
内外角偏差分析 ?)Je%H  
拉回 +pQ3bX  
最高亏损 eI%kxqc  
3QF[@8EH{  
薄膜堆叠分析 :ciD!Ly  
i~)EUF  
BARC 优化 1$^r@rP  
多层镜反射率 uo(LZUjPbN  
抵抗厚度效应