hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) }G]]0Oi2  
Q,>AT$|  
严格的 OPC 和源优化 bcQ$S;U)  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 PWTAy\  
可检测性 W*P/~U=  
印刷适性 {|qz>  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ~`y6YIJ3  
 '{),gV.  
双重图案 , =#'?>Kq  
;(z0r_p<q  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 by-B).7  
光刻冻结 光刻蚀刻 a}6Wo
=  
侧壁间隔物 L;Nm"[`  
晶圆形貌效应 rKO[;]_*  
非平面光阻 wuPx6hC
l  
首次接触时的潜在特征 T7[ItLZ  
VQ+Xh  
相移掩模版 #fQStO  
GZse8ng  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ;:v:pg8qc  
相位缺陷 ;%Qu;FtC  
湿法蚀刻/双沟槽 F*QGzbv)  
无铬相光刻 WO|#`HM2  
衰减相移掩模版
)H)HR`  
脱保护收缩的 NTD UtzW5{  
SEM 诱导收缩 m/<7FU8  
EUV 和 DUV 的随机效应 gVO[R6C5C  
PEB 扩散效应 $cc]pJy"}  
表面抑制 Q~nc:eWD  
温度效应 >xT8[  
侧壁分析 .QW89e,O3  
内外角偏差分析 pbJs3uIR  
拉回 4jvgyi9  
最高亏损 %{axoGd  
W@#Y/L:${  
薄膜堆叠分析 $P>ci4]t  
geua8;  
BARC 优化 QDs]{F#  
多层镜反射率 gE|_hfm(  
抵抗厚度效应