[求助]离子源前处理时间问题 [复制链接]

请教一下，镀膜前的离子源前处理时间多长合适，有什么依据或者判定标准吗？

和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 +K+ == mO&  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） ti'OjoJL  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 ay4|N!ExO  
所以也和你清洗效果，清洗方式，镀膜温度，镀膜材料有关。  f0:)  

一般来说轰击15分钟左右就够，但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细，离子源主要为了辅助沉积。

学习一下，新手中

学习了，谢谢各位大神

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 )]rGGN
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1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） Jd/5Kx  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 ;`@DQvVZ:  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  4AUY8Pxp  

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学习了

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 Lp1wA*  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） 5as';1^P&*  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 <P$b$fh/  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  RSzp-sKB  

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学习了。感谢版主分享。

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