[求助]离子源前处理时间问题 [复制链接]

请教一下，镀膜前的离子源前处理时间多长合适，有什么依据或者判定标准吗？

和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 _A& [rBm|  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） \6.dGKK  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 cyP+a  
所以也和你清洗效果，清洗方式，镀膜温度，镀膜材料有关。 (fr=[m$`  

一般来说轰击15分钟左右就够，但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细，离子源主要为了辅助沉积。

学习一下，新手中

学习了，谢谢各位大神

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 5hAs/i9_  
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） 9w\C vO&R  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 j2n 4; m  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  oOQ0f |MGp  

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学习了

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 T7Xbb
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1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） A4VVy~sd  
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 "NO*(<C.R  
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57)  '\B!1B>T  

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学习了。感谢版主分享。

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