切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 497阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6243
    光币
    25360
    光券
    0
    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2024-04-18
    摘要 @qg=lt|(F  
    lq1pgM?Kf  
    Ms^,]Q1{  
    EQu M|4$ix  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 c1jgBty  
    ]5uCs[  
    建模任务 \T<?=A  
    Wa ,[#H  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 1 9;\:tN  
    :N%]<Mq  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 &d9";V"E  
    IjJ3CJ<  
    探测器 AR/`]"'  
    7 tit>dJ  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) a2o+ tR;H  
    <7?MutHM-  
    太阳能电池 \CU.'|X  
    9dSKlB5J  
    Y 1LE.{  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 6 )xm?RK  
    0&c12W|B<L  
    系统构建模块-分层的介质组件 >|uZIcs 6  
    =;^2#UxXA&  
    >(~; V;  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 y*|"!FK  
    )6IO)P/Q~  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 H.!M_aJH  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: b[$l{RQ[?  
    每个均质层的特征值求解器。 q3 1swP  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 LI"ghz=F  
    Z`q?pE>R  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 A4 o'EQ?~  
    T4J (8!7  
    mi<V(M~p  
    更多信息: >`8i=ZpCOS  
    层矩阵(S矩阵) sq-[<ryk  
    M(I 2M  
    系统构建模块-已采样的介质 80 i<Ij8J  
    BEifUgCh  
    /m.6NVu7  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 Rf2;O<  
    J?u@' "u  
    系统构建模块-探测   *,@dt+H!y  
    5A:b \  
    8]'qJ;E2  
    总结——组件 A;q}SO%b  
    GC#3{71  
    fh}\#WE"  
    }(20MW8rMc  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 y`7BR?l  
    (A/V(.!  
       4^  $  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured b":cj:mxL  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. LIirOf~e;!  
    5Y_)%u  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm L%U-MOS=  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。
     
    分享到