在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: ui0(#2'h%
• 生成材料 5g7}A`
• 插入波导和输入平面 iGNKf|8{
• 编辑波导和输入平面的参数 jF85bb$
• 运行仿真 LgKEg90w(
• 选择输出数据文件 #wuE30d
• 运行仿真 HOb\Hn|6jq
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 Qnh1su5
A~SSu.L@
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 8so}^2hTlT
b?L43t ,
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: X]%4QIeS
• 定义MMI星型耦合器的材料 Gfch|Q^INy
• 定义布局设置 7O :Gi*MA
• 创建MMI星形耦合器 (7!(e
,
• 运行模拟 Kx!|4ya,
• 查看最大值 n:z>l,`C]
• 绘制输出波导 s5#g[}dj
• 为输出波导分配路径 :$d 3a"]
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 0_izTke
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 P^+>QJ1
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 nwH|Hs riU
1. 定义MMI星型耦合器的材料 Ia"
Mi+{
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 jZyh
步骤 操作 Y:BrAa[
1) 创建一个介电材料: l%/,Ef*3
名称:guide X)5O@"4 ?
相对折射率(Re):3.3 ?"Q6;np*
2) 创建第二个介电材料 `XY[HK
名称: cladding ]TN}`]
相对折射率(Re):3.27 ^r$5];n
3) 点击保存来存储材料 3E:<
4) 创建以下通道: JDlIf
名称:channel wu'60po
二维剖面定义材料: guide oWOZ0]H1
5 点击保存来存储材料。 Fd'L:A~
I!~Omr@P
2. 定义布局设置 Rvo<ISp
要定义布局设置,请执行以下步骤。 tJ3s#q6
步骤 操作 !{\c`Z<#
1) 键入以下设置。 Gu=bPQOj
a. Waveguide属性: G9Ezm*I;:
宽度:2.8 4f5$^uN$qA
配置文件:channel L.[2l Q
b. Wafer尺寸: ' 'N@ <|
长度:1420 @^@-A\7[KO
宽度:60 E ..[F<5
c. 2D晶圆属性:
1Btf)y'
材质:cladding X_2I4Jz]6
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 &*~
WK
Uy=eHwU?J
3. 创建一个MMI星型耦合器 un=)k;oh
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 yKJp37R
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 qB`P7!VN^]
步骤 操作 V;=T~K|)>
1) 绘制和编辑第一个波导 ;?9~^,l
a. 起始偏移量: wAYc)u#
水平:0 X:5*LB\/v
垂直:0 ap!<8N
b. 终止偏移: !bg3
水平:100 C+j+q648>
垂直:0 6(=:j"w0
2) 绘制和编辑第二个波导 ~x+w@4)a>
a. 起始偏移量: `P~RG.HO
水平:100 ),eiJblH
垂直:0 Fk:(%ci
b. 终止偏移: &Re