在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: id.W"5+
• 生成材料 v`$9;9
• 插入波导和输入平面 |79!exVMBp
• 编辑波导和输入平面的参数 s(I7}oRWsL
• 运行仿真 4r [Tpb
• 选择输出数据文件 ;zO(bj>
• 运行仿真 <WGl4#(k
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 S
Yvifgp
gaJIc^O
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 Lay+)S.ta[
Xsc5@O!
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: UI:{*N**Z
• 定义MMI星型耦合器的材料 X+K$y:UZ
• 定义布局设置 9{bzxM
• 创建MMI星形耦合器 _k@{>
?(a
• 运行模拟 otO6<%/m
• 查看最大值 41TB
• 绘制输出波导 5yQv(<~*G
• 为输出波导分配路径 D4r5wc%
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 c])b?dJ*
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 BKm$H!u
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 97Qng*i
1. 定义MMI星型耦合器的材料 hqY9\,.C
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 z~xN]=
步骤 操作 05MtQB
1) 创建一个介电材料: 7
v<$l
名称:guide -j[n^y'v
相对折射率(Re):3.3 ^[CD- #
2) 创建第二个介电材料 fwRlqfi
名称: cladding b~b(Ed{r
相对折射率(Re):3.27 HJ5m5':a
3) 点击保存来存储材料 WL}6YSC
4) 创建以下通道: tGd<{nF% 2
名称:channel h& (@gU`A
二维剖面定义材料: guide g}3c r.
5 点击保存来存储材料。 7-ba-[t#A
*ftJ(
2. 定义布局设置 E!VAA=
要定义布局设置,请执行以下步骤。 "ngYh]Git$
步骤 操作 c`X'Q)c&K
1) 键入以下设置。 ]+':=&+:
a. Waveguide属性: &bj :,$@
宽度:2.8 &u"*vG (U[
配置文件:channel `z)!!y
b. Wafer尺寸: im+2)9f
长度:1420 BPrA*u}T
宽度:60 i:kWO7aP
c. 2D晶圆属性: P+3G*M=}
材质:cladding 0 \LkJ*i
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 _|TE )h
uU.9*B=H9
3. 创建一个MMI星型耦合器 7Nwi\#o
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 cJ8F#t
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 ?GFxJ6!%I
步骤 操作 ,0 &lag
1) 绘制和编辑第一个波导 yK?~XV:
a. 起始偏移量: Hs=!.tZ,
水平:0 cT0utR&
垂直:0 g@Ni!U"_c
b. 终止偏移: m4Wn$Z
水平:100 YF>t {|
垂直:0 ;6b#I$-J-
2) 绘制和编辑第二个波导 a
LmVOL{
a. 起始偏移量: mZ;yk(
水平:100 2J4|7UwJ
垂直:0 G<jpJ
b. 终止偏移: ,uKvE`H
水平:1420 N0vd>b
垂直:0 Xp} vJl
c. 宽:48 {sm={q
3) 单击OK,应用这些设置。 Y[~6f,?^
RaU.yCYyu
8nnkv,wa
4. 插入输入平面 m]-8?B1`Y
要插入输入平面,请执行以下步骤。 iQ9#gPk_9
步骤 操作 {my=Li<