在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: [Zzztn+
• 生成材料 $<"I*l@
• 插入波导和输入平面 T^{=cx9x9
• 编辑波导和输入平面的参数 3d,:,f|h
• 运行仿真 ^Pah\p4bj
• 选择输出数据文件 bkz/V/ Y
• 运行仿真 \#IKirf?
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 K=r~+4F
qJ .XI
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 qz.l
l%p,m[
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: Q#*R({)GH
• 定义MMI星型耦合器的材料 G_zK .N
• 定义布局设置 *_P'> V#p
• 创建MMI星形耦合器 QjD=JC+
• 运行模拟 18p4]:L
• 查看最大值 .8GXpt^U(
• 绘制输出波导 ru~!;xT
• 为输出波导分配路径 :G]t=vr1
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 ?b"'w
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 gI"cZ h3}
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 D6"d\Fm<
1. 定义MMI星型耦合器的材料 Z[0/x.pp$
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 BR_fOIDc
步骤 操作 KXpbee
1) 创建一个介电材料: .$
YYN/+W
名称:guide gVy`||z
相对折射率(Re):3.3 PS=q):R|
2) 创建第二个介电材料 ;lSsy
名称: cladding 7j29wvSp5
相对折射率(Re):3.27 7#Uzz"^
3) 点击保存来存储材料 F/[m.!Eo
4) 创建以下通道: {[hgSVN;
名称:channel Xbrc_V\_
二维剖面定义材料: guide 1=C<aRZ b^
5 点击保存来存储材料。 {+[Ex2b$
k+J63+obd
2. 定义布局设置
Mz+vT0
要定义布局设置,请执行以下步骤。 =-&h@mB;G
步骤 操作 8EX?/33$
1) 键入以下设置。 }`!-WY
a. Waveguide属性: lR9uD9Dr
宽度:2.8 {oR@'^N
配置文件:channel MOay^{u
b. Wafer尺寸: c=QN!n:
长度:1420 Bk^o$3#
宽度:60 t;-F]
c. 2D晶圆属性: d0&
材质:cladding M*C1QQf\N
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 p L^3*B.Nr
N2Ysi$
3. 创建一个MMI星型耦合器 g#Ta03\
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 Rha|Rk~
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 `%EcQ}Nr
步骤 操作 P=L@!F+s
1) 绘制和编辑第一个波导 |sl^4'Ghc
a. 起始偏移量: SqdI($F\:
水平:0 :z *jl'L
垂直:0 7+IRI|d
b. 终止偏移: -WR<tkK
水平:100 2-Wy@\
垂直:0 SU6Aq?`@
2) 绘制和编辑第二个波导 1L!jI2~x}
a. 起始偏移量: +_u~Np
水平:100 }qWB=,8HQ
垂直:0 pU[yr'D.r
b. 终止偏移: ao[yHcAs
水平:1420 s&<76kwl
垂直:0 k g Rys
c. 宽:48 jzZ]+'t
3) 单击OK,应用这些设置。 e&Q
w\Ze
<"xqt7f
m~fDDQs
4. 插入输入平面 c@)?V>oe
要插入输入平面,请执行以下步骤。 u8`S*i/)m
步骤 操作 &-X51O C
1) 从绘制菜单中选择输入平面。 065 =I+Vo
2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 yy&L&