介绍
W<u63P Q pAK] 在高约束
芯片上与亚微米波导上耦合光的两种主要方法是
光栅或锥形耦合器。[1]
HpuHJ#l
耦合器由高折射率比
材料组成，是基于具有
纳米尺寸尖端的短锥形。[2]
]f-< s,@ 锥形耦合器实际上是
光纤和亚微米波导之间的紧凑模式转换器。[2]
r 2qxi' 锥形耦合器可以是线性[1]或抛物线性[2]过渡。
^zO%O653 选择Silicon-on-insulator（SOI）技术作为纳米锥和波导的平台，因为它提供高折射率比，包括二氧化硅层作为
光学缓冲器，并允许与集成
电子电路兼容。[2]
Bj;Fy9[yb b qEwi[` 
2 zh? ]if [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
S3`zB?7, [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
G?8LYg!- 'h.{fKG]ME 3D FDTD仿真
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\!hW-+]W 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
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hB6 _'D 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
4[9~g=y> 光源在时域中设置为CW（ = 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
T`Sp! 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
}aRV)F q4|TwRx~ @w[WG:-+ IO/2iSbW 仿真结果
\@8$tQCZ cx&jnF#$ KFkKr>S : 5<<e_n.2q 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。
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8?B 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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