晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布

发布:cyqdesign 2023-12-04 22:42 阅读:707
据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种光刻工艺仿真处理方法、装置、设备及介质”,公开号CN117148689A,申请日期为2023年11月。 1|s` z  
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专利摘要显示,本发明提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质,其通过获取初始光强分布数据,并基于该数据通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率,以获得对应的中间光强分布数据。接着,基于中间光强分布数据获取对应的目标宽度和目标透光率,从而将光刻工艺中的散射条宽度和/或光罩透光率调整至目标值,完成光刻工艺的仿真处理。该专利技术能够改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题,提升了工艺的精准性和产品的质量。
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最新评论

ttb2016 2023-12-04 22:43
改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题!
tassy 2023-12-04 23:53
可提升工艺的精准性和产品的质量。
unlogical 2023-12-05 02:56
不知道是用在多少精度的工艺上
phisfor 2023-12-05 07:01
好厉害好厉害
likaihit 2023-12-05 07:39
有具体的权利书
redplum 2023-12-05 07:40
很好的技术
liulin666 2023-12-05 08:21
晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”
雨后无文 2023-12-05 08:30
提升了工艺的精准性和产品的质量 )hfI,9I~  
camelots 2023-12-05 08:33
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改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题!
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11yy 2023-12-05 08:39
提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质,其通过获取初始光强分布数据,并基于该数据通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率,以获得对应的中间光强分布数据。
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