01 说明 _l1NKk
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本文旨在介绍Ansys Lumerical针对有源光子集成电路中PN耗尽型移相器的仿真分析方法。通过FDE和CHARGE求解器模拟并计算移相器的性能指标(如电容、有效折射率扰动和损耗等),并创建用于INTERCONNECT的紧凑模型,然后将其表征到INTERCONNECT的测试电路中实现,模拟反向偏置电压对电路中信号相移的影响。 -neKuj
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02 综述 0c#/hFn
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这里假设移相器的结构沿光传播方向是均匀的,因此仅模拟器件的横截面。我们将演示每个部分的仿真及结果。 +U3m#Y )k
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步骤1:电学模拟 71{p+3Z&
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利用CHARGE求解器对移相器组件进行电学模拟,获得电荷载流子的空间分布作为偏置电压的函数,并将电荷分布数据导出为charge.mat文件。根据载流子浓度,我们也可以估计器件电容。 l(#)WWr+
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施加于器件的偏置电压为0V(上)和-4V(下)时,移相器横截面的电子分布曲线如下图所示: Xp}Yw"7
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