《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5336
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 Xw[|$#QKM  
i2+vUl|;Z  
:p,DAt}  
Hze~oAP+  
L BP|  
第1章光刻工艺概述 {pW(@4U  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 \3v}:E+3  
1.2光刻技术的发展史_3 S) [$F}  
1.3投影光刻机的空间成像_5 k->cqtG  
1.4光刻胶工艺_10 %["V "{ z  
1.5光刻工艺特性_12 dk4|*l-  
1.6小结_18 ;NeN2|I]  
参考文献_18 X7gtR|[  
gw);b)&mx  
第2章投影光刻的成像原理 b(.,Ex]  
2.1投影光刻机_20 ~g[<A?0=y  
2.2成像理论_21 b".e6zev  
2.2.1傅里叶光学描述_21 X[ up$<  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 ykbTWp$Y4Z  
2.2.3其他成像仿真方法_30 &fYV FRVkq  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 *wetPt)~v_  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 Jv9yy~  
2.3.2影响_36 WGrG#Kw[  
2.4小结_39 SvD^'( x  
参考文献_39 -YHyJs-bU  
5Myp#!|x:  
第3章光刻胶 51lN,VVD  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 )w3HC($g  
3.1.1光刻胶的分类_42 %1oG<s  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 j? P=}_Ru  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 EZvf\s>LT  
3.1.4现象学模型_48 C%y!)v_x  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 T=n)ea A  
3.2.1技术方面_50 p+>vX X  
3.2.2曝光_51 f.&((z?rC  
3.2.3曝光后烘焙_54 ai,Nx:r   
3.2.4化学显影_58  M} {'kK  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 l /\n7:  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 4]$$ar)  
3.5小结_68 6$|!_94>*)  
参考文献_69 X}s}E ;v9  
j[Xc i<m  
第4章光学分辨率增强技术 =(Ll}V,  
4.1离轴照明_74 Hkck=@>8H*  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 n!K<g.tjW  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78  H*]B7?S  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 $rG~0  
4.2光学邻近效应校正_81 oTqv$IzqP  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 ?g21U97Q  
4.2.2线端缩短补偿_84 <(U :v  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ;=[~2*8  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 C_JDQByfL  
4.3相移掩模_89 *?GV(/Q  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 $WV N4fg  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 fq2t^c|$  
4.4光瞳滤波_100 ]VU a $$  
4.5光源掩模协同优化_102 09psqXU@I  
4.6多重曝光技术_106 sC=fXCGW\p  
4.7小结_109 &CEZ+\bA  
参考文献_110 v3vQfcxR  
tb@&!a$`?  
第5章材料驱动的分辨率增强 6GZ zNhz  
5.1分辨率极限的回顾_115 iEJY[P1  
5.2非线性双重曝光_119 tL!R^Tf  
5.2.1双光子吸收材料_119 *75?%l  
5.2.2光阈值材料_120 c5t],P  
5.2.3可逆对比增强材料_121 4x'N#m{p  
5.3双重和多重成形技术_124 yA/b7x-c  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 '&.QW$B\B_  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 )K0BH q7r  
5.3.3自对准双重成形_126 "7*cF>FE8  
5.3.4双色调显影_127 _ IqUp Y  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 i9FHEu_  
5.4定向自组装_129 E4nj*Lp~+  
5.5薄膜成像技术_133 85Hb~|0  
5.6小结_135 UF)4K3X  
参考文献_135 BrQXSN$i  
P ;#}@/E  
第6章极紫外光刻 OEN!~-u  
6.1EUV光源_141 +4,v. B@  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 )OAd[u<  
6.3EUV掩模_146 p+;[i%`  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 ^\X-eeA  
6.5EUV光刻胶_156 -R[ *S "  
6.6EUV掩模缺陷_157 BWbM$@'x  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 `n# {}%  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 '01ifA^  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 -|l^- Qf!  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 }BpCa6SAs  
6.8小结_167 P1Z+XRWOM  
参考文献_168 Fj`6v"h  
<L1;aNN  
第7章投影成像以外的光刻技术 YuZxKuGy  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 `nxm<~-\  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 m&H@f:  
7.1.2技术实现_179 Lwg@*:`d  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 T-: @p>  
7.2无掩模光刻_186 "1P>,\Sjg  
7.2.1干涉光刻_186 :CQ-?mT^LA  
7.2.2激光直写光刻_189 $LLy#h?V]  
7.3无衍射限制的光刻_194 ` R;6]/I?  
7.3.1近场光刻_195 3}@!TI  
7.3.2利用光学非线性_198 jORU+g  
7.4三维光刻_203 uHv9D%R  
7.4.1灰度光刻_203 7n-;++a5]  
7.4.2三维干涉光刻_205 |g3a1El  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 RN0@Q~oTI  
7.5浅谈无光刻印_209 JO4rU- n  
7.6小结_210 &gn^i!%Z)  
参考文献_211 VPB,8zb ]  
o2FQ/EIE  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 s/,wyxKd  
8.1实际投影系统中的波像差_220 R).?lnS  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 ;$Eg4uX  
8.1.2波前倾斜_226 poqcoSL"}  
8.1.3离焦像差_226 Xgge_`T9  
8.1.4像散_228 Q)\~=/L b  
8.1.5彗差_229 p*T`fOL  
8.1.6球差_231 O<0G\sU  
8.1.7三叶像差_233 >i>%@  
8.1.8泽尼克像差小结_233 f_*Bd.@  
8.2杂散光_234 `wJR^O!e  
8.2.1恒定杂散光模型_235 p nS{W \Q  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 K[%)_KW  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ;TAf[[P  
8.3.1掩模偏振效应_240 f\W1u#;u)  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 JsfX&dX0  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 8._ A[{.f  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 GZ.F q  
8.3.5偏振照明_248 8y-Sd\0g  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 hJavi>374  
8.5小结_250 ##gq{hgjb$  
参考文献_251 hrpql_9.  
Tl.dr   
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 "t4$%7L]  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 ^Z:oCTOP  
9.1.1时域有限差分法_257 0] 'Bd`e  
9.1.2波导法_260 de?Bn+mvi.  
9.2掩模形貌效应_262 NuLyu=.?  
9.2.1掩模衍射分析_263  6j FD|  
9.2.2斜入射效应_266 Hshm;\'  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 Jww LAQ5  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 fdIO'L_  
9.2.5各种三维掩模模型_277 1LbJR'}  
9.3晶圆形貌效应_279 bk@F/KqL  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 ^-, aB  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 b~khb!]  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 1gEeZ\B-&  
9.4小结_283 Y)kO"  
参考文献_283 ;VY0DAp{  
0XCtw6  
第10章先进光刻中的随机效应 ]] R*sd*  
10.1随机变量和过程_288 50 :gk*hy  
10.2现象_291 p`@7hf|hm  
10.3建模方法_294 yF &"'L  
10.4依存性及其影响_297 A.a UWh  
10.5小结_299 K5O8G  
参考文献_299 $"z|^ze  
专业词汇中英文对照表 :wn9bCom?M  
:Ogt{t  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 6xk~Bt  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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