《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 h!K" ;qw  
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第1章光刻工艺概述 k|
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1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 ?%UiW7}j';  
1.2光刻技术的发展史_3 h!%y,4IBR  
1.3投影光刻机的空间成像_5 XLCqB|8`V  
1.4光刻胶工艺_10 4S~kNp$  
1.5光刻工艺特性_12 CvE^t#Bok  
1.6小结_18 ZxSFElDD]E  
参考文献_18 @4T
  
1:](=%oM&k  
第2章投影光刻的成像原理 Ht(TYq  
2.1投影光刻机_20 0VtjVz*C7&  
2.2成像理论_21 T`fT[BaY  
2.2.1傅里叶光学描述_21 '~K]=JP  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 8Iw)]}T'  
2.2.3其他成像仿真方法_30 `|?<KF164  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 (b//YyqN  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 XV]xym~  
2.3.2影响_36 LdG?kbJ&y  
2.4小结_39 3kC|y[.
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参考文献_39 cMZy~>  
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第3章光刻胶 ah,f~.X_|  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 UHvA43  
3.1.1光刻胶的分类_42 c,.@Cc2
 
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 J.R\h!  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 tm.60udbo  
3.1.4现象学模型_48 sIf]e'@AC  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 \{:A&X~\!  
3.2.1技术方面_50 {c9 fv H  
3.2.2曝光_51 9X4[Zk  
3.2.3曝光后烘焙_54 B2Y.1mXq  
3.2.4化学显影_58 trwQ@7  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 o/o6|[=3  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 n({%|O<|  
3.5小结_68 sED"}F)  
参考文献_69 zY:3*DiM  
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7 _  
第4章光学分辨率增强技术 !'^l}K>  
4.1离轴照明_74 5aW#zgxXg  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 4z(B`t~7  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 g{6jN  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 VqW5VLa  
4.2光学邻近效应校正_81 %AA&n*m  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 A/I\MN|  
4.2.2线端缩短补偿_84 ^.8~}TT-U  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 fm-m?=  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 A/2$~4,  
4.3相移掩模_89 nL=+`aq_  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 NT5=%X]  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 X;W
0r5T  
4.4光瞳滤波_100 :FI D,  
4.5光源掩模协同优化_102 E,.PT^au  
4.6多重曝光技术_106 1k4\zVgi  
4.7小结_109 lL:!d.{  
参考文献_110 Itr4Pr  
bpZA%{GS  
第5章材料驱动的分辨率增强 @a@}xgn{  
5.1分辨率极限的回顾_115 $3 -QM  
5.2非线性双重曝光_119 __9FQ{Ra  
5.2.1双光子吸收材料_119 Tph^o^  
5.2.2光阈值材料_120 _J6 Xq\  
5.2.3可逆对比增强材料_121 }Mt
)57rU  
5.3双重和多重成形技术_124 Fnak:R0  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 u*2
?Gky  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 8+|W%}  
5.3.3自对准双重成形_126 P'tXG  
5.3.4双色调显影_127 C @<T(`o  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 H~s8M  
5.4定向自组装_129 bI:W4y>I=  
5.5薄膜成像技术_133 tcXXo&ZS  
5.6小结_135 o!+%|V8Y  
参考文献_135 p2 1|  
ugTsI~aE  
第6章极紫外光刻 2YZ>nqy  
6.1EUV光源_141 QyVAs;  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 GB Yy^wjU  
6.3EUV掩模_146 N!~]D[D  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 SgxrU&:
:  
6.5EUV光刻胶_156 dX/7n=  
6.6EUV掩模缺陷_157 ZtO$kK%q;  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 kVWcf-
f  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 tlp,HxlP  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 !Ea >tQ|  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 4t(/F`  
6.8小结_167 46NuT]6/4  
参考文献_168 :po6%}hn  
_?O'A"  
第7章投影成像以外的光刻技术 K\9CW%W  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176
RN-gZ{AW  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 ``jNj1t{}  
7.1.2技术实现_179 [k%hl`}  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 YOLzCnI4  
7.2无掩模光刻_186 +U<YM94?  
7.2.1干涉光刻_186 asYk#;z\"  
7.2.2激光直写光刻_189 i,ZEUdd*_  
7.3无衍射限制的光刻_194 uFSU|SDd.  
7.3.1近场光刻_195 }#D=Rf?2\P  
7.3.2利用光学非线性_198 Ph""[0n%o  
7.4三维光刻_203 ULz<P  
7.4.1灰度光刻_203 {DP9^hg  
7.4.2三维干涉光刻_205 A{q%sp:3~  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 k)7i^1U  
7.5浅谈无光刻印_209 1Zc=QJw@  
7.6小结_210 7P3pjgh  
参考文献_211 l,h`YIy  
'(B -{}l  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 !gW`xVGv  
8.1实际投影系统中的波像差_220 n-8/CBEH(  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 RD[P|4eY  
8.1.2波前倾斜_226 RBf#5VjOG!  
8.1.3离焦像差_226 }p6]az3  
8.1.4像散_228 (K=0c6M3=  
8.1.5彗差_229 w*XM*yJHU  
8.1.6球差_231 mM&P&mz/D  
8.1.7三叶像差_233 GalSqtbmDt  
8.1.8泽尼克像差小结_233 "|Q.{(|kO1  
8.2杂散光_234 1z7+:~;l  
8.2.1恒定杂散光模型_235 k"cMAu.  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 +'gO%^{l  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ,z
x{RDI  
8.3.1掩模偏振效应_240 ?[ )}N _o#  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 h#4n  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 ]'Eg2(wy  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 <J+Oh\8tad  
8.3.5偏振照明_248 xK_UkB-$i  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 V WZpEi  
8.5小结_250 ^AU-hVj  
参考文献_251 [ K/l;Zd  
-y!Dg6A  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 KDEyVYO:  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 dj(&"P  
9.1.1时域有限差分法_257 udUc&pX  
9.1.2波导法_260 of*T,MUI  
9.2掩模形貌效应_262 5B:"$vC{=  
9.2.1掩模衍射分析_263 #sCR}  
9.2.2斜入射效应_266 K Ha,6X  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 /~'C!so[v  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 DDkN3\w  
9.2.5各种三维掩模模型_277 +3.9)w  
9.3晶圆形貌效应_279 QDYuJ&!h  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 v[uVAbfQ  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 H.l0kBeG  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 BN]o!Y  
9.4小结_283 ZVH 9je  
参考文献_283 aB~k8]q.  
N~/X.D4e#  
第10章先进光刻中的随机效应 Wtu-g**KN  
10.1随机变量和过程_288 0(+<uo~6p1  
10.2现象_291 yWRIh*>nE  
10.3建模方法_294 'L O3[G{  
10.4依存性及其影响_297 ?0X$ox  
10.5小结_299 Pq+|*Y<|&  
参考文献_299 I(VqtC:K.  
专业词汇中英文对照表 !%R):^R8  
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