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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
3pzp6o2 @ Sq
=q=S N>zpxU {
}s9eRmJs z%FBHj 第1章光刻工艺概述
$-J0ou8~ 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
,@\$PyJ 1.2光刻技术的发展史_3
/$z(BX/ 1.3投影光刻机的空间成像_5
=nVEdRU 1.4光刻胶工艺_10
B//2R)HS 1.5光刻工艺特性_12
A7`+XqG 1.6小结_18
-0I]Sm;$ 参考文献_18
VVd9VGvh =3~5I& 第2章投影光刻的
成像原理
+#;t.&\80N 2.1投影光刻机_20
Gy]ZYo( 2.2成像理论_21
Jw+k=> 2.2.1傅里叶光学描述_21
QPD[uJ(I 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
]'.D@vFGO 2.2.3其他成像仿真方法_30
@IXvp3r 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
`@_jDo 2.3.1分辨率极限和焦深_31
ES4[@RX 2.3.2影响_36
j7(S= 2.4小结_39
MH0xD 参考文献_39
q0m>NA
u5'jIqlU 第3章光刻胶
R!+_mPb=Q* 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
9Sb[5_Q 3.1.1光刻胶的分类_42
pW7#&@AR 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
jqzG=/0~{ 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
x(]Um! 3.1.4现象学模型_48
ln1QY"g 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
r(ZMZ^ 3.2.1技术方面_50
lH%%iYBM 3.2.2曝光_51
w/1Os!p 3.2.3曝光后烘焙_54
6_=t~9sY 3.2.4化学显影_58
1B0+dxN` 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
-:V0pb 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
hZw bYvu 3.5小结_68
(drDC1\ 参考文献_69
9K:ICXm >)j`Q1Qc\ 第4章光学分辨率增强技术
srGF=1_ 4.1离轴照明_74
%ij,xN 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
n40&4n 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
n:8<Ijrh 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
h,fC-+H5 4.2光学邻近效应校正_81
3oQ?VP 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
(i.7\$4 4.2.2线端缩短补偿_84
w(N$$ 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
]aZ3_<b 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
I1)t1%6"vJ 4.3相移掩模_89
Lz/{
q6> 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
Dk^T_7{ 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
l+r3|b 4.4光瞳滤波_100
4(D1/8 4.5光源掩模协同优化_102
PR2;+i3 4.6多重曝光技术_106
bSkr:|A7 4.7小结_109
sK/Z'h{| 参考文献_110
VkD}gJY x4N*P 第5章材料驱动的分辨率增强
K})w 5.1分辨率极限的回顾_115
Zsto8wuf# 5.2非线性双重曝光_119
dcH@$D@~S 5.2.1双
光子吸收材料_119
QFg{.F?3q> 5.2.2光阈值材料_120
/=@V5) 5.2.3可逆对比增强材料_121
cna/?V 5.3双重和多重成形技术_124
\LYNrL~?J 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
e6i m_ Tk 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
Vpe\Okt: 5.3.3自对准双重成形_126
ws([bS2h 5.3.4双色调显影_127
\"|7o8 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
08qM?{zo^ 5.4定向自组装_129
kKs}E| T 5.5薄膜成像技术_133
oIv\Xdc8 1 5.6小结_135
^JY,K 参考文献_135
M`49ydh& nc9sfH3 第6章极紫外光刻
/4YxB, 6.1EUV光源_141
7m.>2U 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
FT
Ytf4t 6.3EUV掩模_146
=5q_aK#i 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
%hVI*p3 6.5EUV光刻胶_156
W}P9I&3 6.6EUV掩模缺陷_157
jAxrU 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
fo_*Uva_ 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
+lhnc{;WJv 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
?_j]w%Hz 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
D$fWeG{f 6.8小结_167
:I(d-,C 参考文献_168
ho%G Zo#c[9IaC 第7章投影成像以外的光刻技术
(2(y9r*1 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
)?<V-,D 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
.OZ\s%h; 7.1.2技术实现_179
i'3)5 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
;$g?W" 7.2无掩模光刻_186
^ pNA_s!S 7.2.1干涉光刻_186
-u^f;4|u 7.2.2激光直写光刻_189
^IqD^(Kb 7.3无衍射限制的光刻_194
$QnsP#ePN 7.3.1近场光刻_195
YM&i 7.3.2利用光学非线性_198
xp
F(de 7.4三维光刻_203
3XIL; 5 7.4.1灰度光刻_203
ddwokXx
( 7.4.2三维干涉光刻_205
^[.Z~>3!\q 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
u,JUMH]@ 7.5浅谈无光刻印_209
6T6UIq 7.6小结_210
/kV5~i<1S 参考文献_211
Y'Yu1mH) OU[ FiW-E 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
xm0(U0
> 8.1实际投影系统中的波像差_220
w3FEX$`_ 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
d0 mfqP= 8.1.2波前倾斜_226
tR<L9h 8.1.3离焦像差_226
+R',$YzD 8.1.4像散_228
#F#M<d3-2
8.1.5彗差_229
;{1 ws 8.1.6球差_231
59H~qE1Md 8.1.7三叶像差_233
N=j$~,yG 8.1.8泽尼克像差小结_233
P\%aJ'f~ 8.2杂散光_234
Tbj}04;I 8.2.1恒定杂散光模型_235
!X\aZ{}Q 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
yL_\&v 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
h*V~.H 8.3.1掩模偏振效应_240
sMcN[r 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
rw#?NI: 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
5P[urOvV 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
{yM@3v~ 8.3.5偏振照明_248
k1fX-2H 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
/0r6/ _5-. 8.5小结_250
7!JBF{,= 参考文献_251
>M7(<V fv:&?gc 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应
"QmlW2ysi 9.1严格电磁场仿真的方法_256
87rHW@\]( 9.1.1时域有限差分法_257
<f;Xs( 9.1.2波导法_260
2+|U!X 9.2掩模形貌效应_262
w01u~"E 9.2.1掩模衍射分析_263
[Uw3.CVh 9.2.2斜入射效应_266
#kp+e)F 9.2.3掩模引起的成像效应_268
YJ>P+e\o9 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272
vk<4P;A(G 9.2.5各种三维掩模模型_277
KMXd 9.3晶圆形貌效应_279
FSb4RuD9 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279
wu3p2#-Z 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281
OE2r2ad 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282
8aI^vP"7`= 9.4小结_283
-H$C3V3] 参考文献_283
,f$ftn\~j/ W];l[D<S* 第10章先进光刻中的随机效应
T^S$|d 10.1随机变量和过程_288
6*s:I&