《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:6018
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 uMK8V_p*?  
2X0<-Y#'  
# 2?3B  
#?7g_  
{EyWSf"  
第1章光刻工艺概述 NPLJ*uHH  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 z#/"5 l   
1.2光刻技术的发展史_3 y`8jz,&.  
1.3投影光刻机的空间成像_5 c2fw;)j&X  
1.4光刻胶工艺_10 !Mj28  
1.5光刻工艺特性_12 .FA99|:  
1.6小结_18 \n^;r|J7k  
参考文献_18 4,?WNPqo  
%(:{TR  
第2章投影光刻的成像原理 fY!9i5@'  
2.1投影光刻机_20 * 5(%'3  
2.2成像理论_21 7 /XfPF  
2.2.1傅里叶光学描述_21 -b=A j8h  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 t/h,-x  
2.2.3其他成像仿真方法_30 Jj~|2Zt  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 96<0=   
2.3.1分辨率极限和焦深_31 D|IS@gWa  
2.3.2影响_36 RSup_4A  
2.4小结_39 fxc?+<P  
参考文献_39 EAK[2?CY  
kQO-V4z!  
第3章光刻胶 2Wr^#PY60  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 W:O p\  
3.1.1光刻胶的分类_42 M# cJ&+rP  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 \W 7pSV-U  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 %#E$wz  
3.1.4现象学模型_48 >FqU=Q  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 5jHr?C  
3.2.1技术方面_50 )Kq@ m1>@  
3.2.2曝光_51 k\\e`=  
3.2.3曝光后烘焙_54 -!IeP]n#P  
3.2.4化学显影_58 Dw<bLSaW&  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 z[0tM&pv  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 <aY>fg d/1  
3.5小结_68 ~%@1-  
参考文献_69 C0CJ;   
SZ~lCdWad  
第4章光学分辨率增强技术 ~#7uNH2  
4.1离轴照明_74 Zm6|aHx8v  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 C@u}tH )  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 >tm4Rg~y  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 v[O?7Np  
4.2光学邻近效应校正_81 |v_ttJ;+Y  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 a&u!KAQ  
4.2.2线端缩短补偿_84 JthU' "K  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85  vPAL,  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 ,>Dpt <  
4.3相移掩模_89 @Y!B~  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 YmLpGqNv  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 &FWz7O>1  
4.4光瞳滤波_100 Ey{p;;H  
4.5光源掩模协同优化_102 gi$'x^]#  
4.6多重曝光技术_106 /q) H0b  
4.7小结_109 < Df2  
参考文献_110 8WC _CAP  
A0bR.*3  
第5章材料驱动的分辨率增强 {+V ]@sz  
5.1分辨率极限的回顾_115 AOe f1^S=  
5.2非线性双重曝光_119 :KS"&h{SY  
5.2.1双光子吸收材料_119 .9vt<<Kwh  
5.2.2光阈值材料_120 15d'/f  
5.2.3可逆对比增强材料_121 k t+h\^g  
5.3双重和多重成形技术_124 K9 +\Z  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 O)D$UG\<  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 QWE\Ud.q  
5.3.3自对准双重成形_126 #"fn;  
5.3.4双色调显影_127 m@2=v q1f  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 tTT :r),}$  
5.4定向自组装_129 "^wIixOH5  
5.5薄膜成像技术_133 h=^UMat-  
5.6小结_135 `nY.&YT  
参考文献_135 m]c1DvQb  
oA3;P]~[  
第6章极紫外光刻 N_d{E/  
6.1EUV光源_141 ay]l\d2!3  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 rU|?3x  
6.3EUV掩模_146 L nyow}  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 D;[%*q*  
6.5EUV光刻胶_156 ]}n|5  
6.6EUV掩模缺陷_157 p!DOc8a.\e  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ^fmuBe}d{  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 N?O^"  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 &"7+k5O  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 \["I.gQ  
6.8小结_167 dVZ~n4  
参考文献_168 wCu!dxT|,  
Dw$RHogb~y  
第7章投影成像以外的光刻技术 NMUF)ksjN  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 t%Bh'HkG  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 k{U[ U1j  
7.1.2技术实现_179 E&f/*V^  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 x=kJl GT  
7.2无掩模光刻_186 5&xbGEP$  
7.2.1干涉光刻_186 O%w'n z"  
7.2.2激光直写光刻_189 b1QHZY\g{  
7.3无衍射限制的光刻_194 U>@AE  
7.3.1近场光刻_195 %evtIU<h  
7.3.2利用光学非线性_198 4p%^?L?  
7.4三维光刻_203 rV} 5&N*c  
7.4.1灰度光刻_203 oTrit_@3  
7.4.2三维干涉光刻_205 .[Qi4jm>`  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 NE4]i  
7.5浅谈无光刻印_209 X*9-P9x(6  
7.6小结_210 N1 sdWXG  
参考文献_211 | GN/{KH]  
h6n!"z8H  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 ]c bXI  
8.1实际投影系统中的波像差_220 "c.-`1,t  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 y=Z[_L!xr  
8.1.2波前倾斜_226 .{|SKhXk  
8.1.3离焦像差_226 YMVi7D~;Q$  
8.1.4像散_228 yYSoJqj Q  
8.1.5彗差_229 L >)|l  
8.1.6球差_231 ddd2w  
8.1.7三叶像差_233 T(Bcp^N  
8.1.8泽尼克像差小结_233 {?"X\5n0  
8.2杂散光_234 Z4E6J'B8  
8.2.1恒定杂散光模型_235 1hzf+*g  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 T Qx<lw  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ?*ZQ:jH  
8.3.1掩模偏振效应_240 3Tp8t6*nL  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 9+/D\|"{  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 \HG4i/V:h  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 1_l)$"  
8.3.5偏振照明_248 /a)^)  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 u%Mo.<PI  
8.5小结_250 Onou:kmf1  
参考文献_251 _dW#[TCF  
5evk_f  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 ,~DKU*A_~  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 A/"2a55  
9.1.1时域有限差分法_257 72_+ b  
9.1.2波导法_260 ydj*Jy'  
9.2掩模形貌效应_262 d1D=R8P_u  
9.2.1掩模衍射分析_263 ZkO2*;  
9.2.2斜入射效应_266 ov daK"q2  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 o6:bmKWE  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 2.]d~\  
9.2.5各种三维掩模模型_277 RLzqpE<rJ  
9.3晶圆形貌效应_279 RGkV%u^  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 eW8{ ],B  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 \(;u[  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 ` N R,8F  
9.4小结_283 =e0MEV#s.  
参考文献_283 mAET`B "  
jeJspch+#  
第10章先进光刻中的随机效应 E1dhj3+3  
10.1随机变量和过程_288 9W_mSum  
10.2现象_291 w4_Xby)  
10.3建模方法_294 7oc Ng  
10.4依存性及其影响_297 :UAcS^n7h"  
10.5小结_299 a>9_#_hI  
参考文献_299 {u9n?Z%  
专业词汇中英文对照表 G)c+GoK  
y7+n*|H  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 E:+r.r"Y  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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