《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 )!~,xl^j{}  
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ZG-#YF.1  
第1章光刻工艺概述 bOSqD[?  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 =J|jCK[r  
1.2光刻技术的发展史_3 &j,#5f(  
1.3投影光刻机的空间成像_5 70 Ph^e)  
1.4光刻胶工艺_10 k(o(:-+x  
1.5光刻工艺特性_12 e=3C*+lq\  
1.6小结_18 yzZzaYv "/  
参考文献_18 +s^nT{B@\  
;e.8EL  
第2章投影光刻的成像原理 &XCP@@T  
2.1投影光刻机_20 [5ncBY*A7  
2.2成像理论_21 O p1TsRm5L  
2.2.1傅里叶光学描述_21 %a FZbLK  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 {{?MO{Mh*  
2.2.3其他成像仿真方法_30 (V1;`sI8  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 Jg)( F|>o  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 $0vWC#.A]  
2.3.2影响_36 %!eRR  
2.4小结_39 g/}d> 6  
参考文献_39 v|KIVBkbT  
vG7Mk8mIr  
第3章光刻胶 .)=*Yr M  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 \GQRpJ#h1  
3.1.1光刻胶的分类_42 p3
Ozfk  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 QUaV;6 4  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 EV-sEl8ki  
3.1.4现象学模型_48 D+BiclJ  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 w]nt_xj  
3.2.1技术方面_50 q%QvBN  
3.2.2曝光_51 y5F"JjQAa  
3.2.3曝光后烘焙_54 pL!,1D!  
3.2.4化学显影_58 ycSGv4 )  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 !#~KSO}zW2  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 Na@;F{  
3.5小结_68 %@)R  
参考文献_69 `Tf}h8*  
QAt]sat  
第4章光学分辨率增强技术 _>n)HG  
4.1离轴照明_74 A+GRTwj  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 zyO=x4U8  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 mZc;n.$U  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 8#g}ev@|u  
4.2光学邻近效应校正_81 vq.o;q /  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 dNY'uv&Y  
4.2.2线端缩短补偿_84 &@'%0s9g  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 /W`CqJk-*.  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 S>r}3,]S  
4.3相移掩模_89 cMF)2^w}  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 o5 ~VT!'[  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 uF1 4;  
4.4光瞳滤波_100 Ly3!0P.<  
4.5光源掩模协同优化_102 (n8?+GCa  
4.6多重曝光技术_106 I\1"E y  
4.7小结_109 )P?Fni}  
参考文献_110 %rJDpB{  
65JG#^)KaX  
第5章材料驱动的分辨率增强 j,;f#+O`g  
5.1分辨率极限的回顾_115 l)o!&]2  
5.2非线性双重曝光_119 U,7  
5.2.1双光子吸收材料_119 /4O
Qx0Xmm  
5.2.2光阈值材料_120 B~k{f}  
5.2.3可逆对比增强材料_121 Mpyza%zj  
5.3双重和多重成形技术_124 gK;dfrU.8Y  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 r7>FH!=:  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 7Ok-T10  
5.3.3自对准双重成形_126 -?:8sv*X  
5.3.4双色调显影_127 rqiH!R  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 tmoCy0qWz  
5.4定向自组装_129 j>?nL~{  
5.5薄膜成像技术_133 f*rub. y  
5.6小结_135 [%R?^*]  
参考文献_135 xzOvc<u  
wJJ|]^0.  
第6章极紫外光刻 Q:7P /  
6.1EUV光源_141 37:tu7e~c  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 h*D -Vo  
6.3EUV掩模_146 g.Qn,l]X/p  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 &Ep$<kx8  
6.5EUV光刻胶_156 1 oKY7i$  
6.6EUV掩模缺陷_157 "~EAt$  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 Sin)]zG~0  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 0sKoNzE  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 -6uLww=w4  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 ^GrSvl}v'  
6.8小结_167 Qj1%'wWG  
参考文献_168 [tSv{
  
j DEym&-  
第7章投影成像以外的光刻技术 RA!m,"RM  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 bv(+$YR  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 "N_@q2zF  
7.1.2技术实现_179 UtJfO`m9P  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 BR?DW~7J j  
7.2无掩模光刻_186 )'g4Ty  
7.2.1干涉光刻_186 +h/OQ]`/m  
7.2.2激光直写光刻_189 p=eSJ*  
7.3无衍射限制的光刻_194 RrrlfFms  
7.3.1近场光刻_195 SeS ZMv  
7.3.2利用光学非线性_198 % q!i  
7.4三维光刻_203 )BI%cD  
7.4.1灰度光刻_203 IcQpbF0  
7.4.2三维干涉光刻_205 *P7n YjG  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 n} !')r  
7.5浅谈无光刻印_209 Y>FLc* h  
7.6小结_210 !,Gavt7f  
参考文献_211 2Hx*kh2  
QD^=;!  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 5>CeFy  
8.1实际投影系统中的波像差_220 RT'5i$q
[  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 v,
N!cp1  
8.1.2波前倾斜_226 kO^  
8.1.3离焦像差_226 i@WO>+iB  
8.1.4像散_228 !@Vj&>mH$  
8.1.5彗差_229 ak3WER|f#  
8.1.6球差_231 -V@ST9`  
8.1.7三叶像差_233 wRwx((eb  
8.1.8泽尼克像差小结_233 j!Ys/D  
8.2杂散光_234 Bs`='w%7  
8.2.1恒定杂散光模型_235 x~8R.Sg  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 ujX
\^c  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 +JD^5J,-NJ  
8.3.1掩模偏振效应_240 >.C$2bW<L  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 OEbZs-:  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 F/p1?1M  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 cw~GH  
8.3.5偏振照明_248 hhylsm  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 Ebi~gGo  
8.5小结_250 1uA-!T*e>  
参考文献_251 CnY dj~  
>[T6/#M  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 5qqU8I  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 w8>bct3@  
9.1.1时域有限差分法_257 PiR`4Tu  
9.1.2波导法_260 B@\0b|  
9.2掩模形貌效应_262 -ECnX/ "  
9.2.1掩模衍射分析_263 C;70,!3  
9.2.2斜入射效应_266 B1i'Mzm-4  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 GLV`IkU %  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 [czWUD

 
9.2.5各种三维掩模模型_277 7A<}JaE!,  
9.3晶圆形貌效应_279 j.c4  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279
Cd p_niF  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 +{)V%"{u:  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 +'` ^ N  
9.4小结_283 T~}g{q,tR  
参考文献_283 Dn~t_n  
H0.&~!,*  
第10章先进光刻中的随机效应 iHo0:J~  
10.1随机变量和过程_288 t`\
l+L  
10.2现象_291 ,0>_(5  
10.3建模方法_294 E*9W'e~=  
10.4依存性及其影响_297 mUb2U&6(  
10.5小结_299 4=* ml}RP  
参考文献_299 Uf[Gs/!NV  
专业词汇中英文对照表 Pc~)4>X<  
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