《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 .S
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v&hT.1  
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第1章光刻工艺概述 2)H|/  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 ]z@]Fi33Y  
1.2光刻技术的发展史_3 PSvRO%&  
1.3投影光刻机的空间成像_5 L(YT6Vmm+t  
1.4光刻胶工艺_10 xk<0QYv   
1.5光刻工艺特性_12 'a9.JS[pj  
1.6小结_18 zy5
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参考文献_18 ba.OjK@  
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第2章投影光刻的成像原理 N* QI>kzU  
2.1投影光刻机_20 (9h{6rc=I  
2.2成像理论_21 w%"q=V  
2.2.1傅里叶光学描述_21 yw^,@'  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 }?$Mh)  
2.2.3其他成像仿真方法_30 |MGw$  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 [:Y^0[2  
2.3.1分辨率极限和焦深_31
Yi,um-%  
2.3.2影响_36 DenCD9 f  
2.4小结_39 FL}8h/  
参考文献_39 4cL=f  
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第3章光刻胶 Z!6G(zz:>  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 NI
GFu{S  
3.1.1光刻胶的分类_42 l$NEx0Dffz  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 Ei!z? sxzx  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 jk?(W2c#{  
3.1.4现象学模型_48 n$K_KU v  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 Ro69woU  
3.2.1技术方面_50 PI?[  
3.2.2曝光_51 dzap
]RpB  
3.2.3曝光后烘焙_54 5^i ^?  
3.2.4化学显影_58 epePx0N%x$  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 EJsb{$u  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 p<NgT1"{  
3.5小结_68 g.qp _O  
参考文献_69 (TsgVq]L  
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第4章光学分辨率增强技术 e!yt<[ph  
4.1离轴照明_74 UbXz`i  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 n1V*VQ
V  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 fzcT(y  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 +-i@R%  
4.2光学邻近效应校正_81 ewR0e.g  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 4H)a7<,  
4.2.2线端缩短补偿_84 0o`o'ZV=c  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 i+6/ g  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 #:X:~T  
4.3相移掩模_89 4i\n1RW  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 K>U&jH  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 ?uLqB@!2  
4.4光瞳滤波_100 od>.
5{o  
4.5光源掩模协同优化_102 =>Efrma  
4.6多重曝光技术_106 p_( NLJ%  
4.7小结_109 r0,}f\  
参考文献_110 G}x^PJJt  
7>TG ]&  
第5章材料驱动的分辨率增强 |gNOv;l  
5.1分辨率极限的回顾_115 d p].FS  
5.2非线性双重曝光_119 nN:i{t4f  
5.2.1双光子吸收材料_119 W0Vjs|/  
5.2.2光阈值材料_120 U-d&q>_@A  
5.2.3可逆对比增强材料_121 4?cg6WJ'6  
5.3双重和多重成形技术_124 @,hvXl-G*  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 \_oHuw  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 -ydT%x  
5.3.3自对准双重成形_126 rx<fjA%  
5.3.4双色调显影_127 @r<w|x}  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 ;NEHbLH#F  
5.4定向自组装_129 2zAS \Y  
5.5薄膜成像技术_133 '?nhpT^  
5.6小结_135 _[V 6s#Wk3  
参考文献_135 KR63W:Z\'  
4f+Ke*^[RA  
第6章极紫外光刻 >dO^pDSs  
6.1EUV光源_141 *Zln\Sx  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 juM?y'A  
6.3EUV掩模_146 }5|uA/B  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 :7maN^  
6.5EUV光刻胶_156 5E]I  
6.6EUV掩模缺陷_157 M~v{\!S  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 fa)G$Q  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 +Z+]Tqo  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 FTn[$q  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 1]"b.[P>  
6.8小结_167 QAr1U7{(.  
参考文献_168 +aMPwTF:3  
p ^Ruf?>  
第7章投影成像以外的光刻技术 &( Z8G~h4  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 ?%?@?W>s@  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 4GJsVA(d|  
7.1.2技术实现_179 Z^b1i`v  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 '{EDdlX  
7.2无掩模光刻_186 3;&N3:,X  
7.2.1干涉光刻_186 6<2 7}S  
7.2.2激光直写光刻_189 y37@4p^@9  
7.3无衍射限制的光刻_194 2Tp.S3  
7.3.1近场光刻_195 F"_SCA?9?  
7.3.2利用光学非线性_198 ~FJd{$2x`  
7.4三维光刻_203 (RQ kwu/  
7.4.1灰度光刻_203 Vki3D'.7N  
7.4.2三维干涉光刻_205 2`x[y?Tn  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 
'_2~8w  
7.5浅谈无光刻印_209 \JX8`]|&  
7.6小结_210 =2< >dM#`  
参考文献_211 6HyQm?c>a  
(URWicaB  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 KV Mm<]Z  
8.1实际投影系统中的波像差_220 >n#Pq{7aF  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 mwBOhEefNJ  
8.1.2波前倾斜_226 s iC/k*  
8.1.3离焦像差_226 6j0!$q^  
8.1.4像散_228 NcdOzx>  
8.1.5彗差_229 ,+0_kndR  
8.1.6球差_231 yPW?%7 h  
8.1.7三叶像差_233 ~qRP.bV%f  
8.1.8泽尼克像差小结_233 &<4Jyhm:o  
8.2杂散光_234 0^4Tem@  
8.2.1恒定杂散光模型_235 r@ ]{`qA  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 V5m4dQ>t  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 rZ<@MV|d  
8.3.1掩模偏振效应_240 i0hF9M  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 tONx
V`  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 .(D-vkz'  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 JPRl/P$  
8.3.5偏振照明_248 P)4SrqW_  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 Z{|wjZb(  
8.5小结_250 )jvYJ9s  
参考文献_251 2!}5shB  
)D Y?Y-n  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 yy@g=<okt\  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 yqZKn=1:  
9.1.1时域有限差分法_257 (wkeo{lx  
9.1.2波导法_260 dG\dGSZ\h  
9.2掩模形貌效应_262 {eL XVNR7R  
9.2.1掩模衍射分析_263 h",kA(+P  
9.2.2斜入射效应_266 J'W6NitMr  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 EHmw(%a|+  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 !A qSG-  
9.2.5各种三维掩模模型_277 j8P=8w{  
9.3晶圆形貌效应_279 \G:\36l  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 *Mk5*_  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 !{jDZ?z{h  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 C0J/FFBQ^  
9.4小结_283 D}OvD |<-  
参考文献_283 "6o}g.  
;.+sz(:hm  
第10章先进光刻中的随机效应 _46 
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10.1随机变量和过程_288 edD19A  
10.2现象_291 1$H*E~  
10.3建模方法_294 eh`n?C  
10.4依存性及其影响_297 Tc$Jvy-G4A  
10.5小结_299 \b6H4aQii  
参考文献_299 c"~+Y2]tL  
专业词汇中英文对照表 4-1=1)c*  
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