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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
u:|^L]{ 7ihcjyXB jdJTOT 46D`h!7L '4i8&p`/ 第1章光刻工艺概述
i;9X_?QF 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
tcXXo&ZS 1.2光刻技术的发展史_3
b-VtQ%Q 1.3投影光刻机的空间成像_5
u>9` ?O44 1.4光刻胶工艺_10
6ScB:8M 1.5光刻工艺特性_12
vx($o9 1.6小结_18
yYJ_;Va 参考文献_18
Pp!4Ak4TT9 *1["x;A 第2章投影光刻的
成像原理
<!>\
n\A 2.1投影光刻机_20
X$6NJ(2G 2.2成像理论_21
Rmmu#-{Y 2.2.1傅里叶光学描述_21
e&ysj:W5
" 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
]Pe>T& 2.2.3其他成像仿真方法_30
7!cLTq 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
P05`DX}r, 2.3.1分辨率极限和焦深_31
;@qS#7SRB 2.3.2影响_36
I9G^T' W 2.4小结_39
.8s-)I 参考文献_39
]P wS3:x 3E;@.jD 第3章光刻胶
!i-t6f 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
8&8!(\xv 3.1.1光刻胶的分类_42
(CIcM3|9C 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
f:+/=MW 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
8_4!Ar>2 3.1.4现象学模型_48
kQbZ!yl>[ 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
G!$~'o%/ 3.2.1技术方面_50
Z}!'fX." 3.2.2曝光_51
_2G _Io 3.2.3曝光后烘焙_54
%:`v.AG 3.2.4化学显影_58
=>5Lp 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
rwXpB<@l@ 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
`$JvWN,kB 3.5小结_68
EP@u4F 参考文献_69
KX9IC5pR $Ah
p4oiE 第4章光学分辨率增强技术
:lo5,B;k 4.1离轴照明_74
P
_fCb 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
s9sl*1n1m` 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
bT 42G[x 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
xS_;p9{E 4.2光学邻近效应校正_81
aXj
UDu7 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
wJ2cAX;" 4.2.2线端缩短补偿_84
&v .S_Ym 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
Z(|$[GZP[ 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
YSGE@ 4.3相移掩模_89
BH {z]a
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
0,RYO :` 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
<e BmCrJ 4.4光瞳滤波_100
dQ{qA(m 4.5光源掩模协同优化_102
hOk9 y= 4.6多重曝光技术_106
2{=D)aC$f 4.7小结_109
\0 h>!u 参考文献_110
x+4K ,r; dT'}:2 第5章材料驱动的分辨率增强
c>D~MCNxg 5.1分辨率极限的回顾_115
W8^A{l4 5.2非线性双重曝光_119
&j:prc[W 5.2.1双
光子吸收材料_119
|
CFG<] 5.2.2光阈值材料_120
(.!9 5.2.3可逆对比增强材料_121
3@x[M?$ 5.3双重和多重成形技术_124
q]: 72+ 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
79>x/jZka 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
A)9]^@, 5.3.3自对准双重成形_126
B(Yg1jAe 5.3.4双色调显影_127
w~Q\:<x&~Z 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
qc,E azmU 5.4定向自组装_129
YQ:$m5ai 5.5薄膜成像技术_133
&q|vvF<G 5.6小结_135
Vn5%%?]J 参考文献_135
xSN;vrLHR DI8I'c-P 第6章极紫外光刻
9{fP.ifdv7 6.1EUV光源_141
BEb?jRMjLg 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
YM;ro5_KF 6.3EUV掩模_146
-S]ercar 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
@Un/,-ck 6.5EUV光刻胶_156
X~VI} dJ 6.6EUV掩模缺陷_157
axC{azo| 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
Ld_u Me?Z 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
p9i7<X2& 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
x/{-U05 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
)R
`d x 6.8小结_167
gKTCfD~ 参考文献_168
2&S^\kf 0);5cbV7i 第7章投影成像以外的光刻技术
?&:N|cltD 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
^n~Kr1}nj 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
YvG$2F |_) 7.1.2技术实现_179
X_X7fRC0 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
]~
N. 7.2无掩模光刻_186
Hz,Gn9:p 7.2.1干涉光刻_186
=AaF$R 7.2.2激光直写光刻_189
}*!L~B! 7.3无衍射限制的光刻_194
g5 *E\T%8 7.3.1近场光刻_195
m$[:J 7.3.2利用光学非线性_198
/xgC`]- 7.4三维光刻_203
t9<BQg 7.4.1灰度光刻_203
$9\8?gS 7.4.2三维干涉光刻_205
l5^Q 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
`_LQs9J0J 7.5浅谈无光刻印_209
Bkq4V$D_ 7.6小结_210
lW-G]V 参考文献_211
/z^v%l ^[[@P(e> 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
.6[8$8c 8.1实际投影系统中的波像差_220
v,Kum<oi? 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
!2AD/dtt 8.1.2波前倾斜_226
AiR#:r 8.1.3离焦像差_226
BIMX2.S1o 8.1.4像散_228
rJf{YUZe 8.1.5彗差_229
_^{RtP#= 8.1.6球差_231
tC1'IE-h 8.1.7三叶像差_233
IG}yGGn 8.1.8泽尼克像差小结_233
-TH(Z(pB 8.2杂散光_234
fGj66rMGw 8.2.1恒定杂散光模型_235
=4x6v< 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
ecl6>PS$' 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
aC9iNm8w 8.3.1掩模偏振效应_240
NlhC7 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
h] )&mFiE" 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
k:/Z6TLk3 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
(oiQ5s^f 8.3.5偏振照明_248
,>(X}Q
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
6&