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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
o/o:2p. Q:6VYONN {0!#>["<
D@X+{ XN,,cU 第1章光刻工艺概述
CVXytS?@x 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
KjB/.4lLq 1.2光刻技术的发展史_3
nW?R"@Zm 1.3投影光刻机的空间成像_5
]IJv-( 1.4光刻胶工艺_10
G%u9+XV1# 1.5光刻工艺特性_12
c-j_IN Gm 1.6小结_18
8RwX= 参考文献_18
@6o]chJo DG;y6#|p 第2章投影光刻的
成像原理
fRTo.u 2.1投影光刻机_20
bl/,*Wx:4. 2.2成像理论_21
/NF# +bx 2.2.1傅里叶光学描述_21
dV 8iwI 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
;1DdjE Tr 2.2.3其他成像仿真方法_30
uHNpfKnZ 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
jw6Tj;c 2.3.1分辨率极限和焦深_31
(P6vOo 2.3.2影响_36
v[<Bjs\q5 2.4小结_39
GbU@BN+_ 参考文献_39
5+X_4lEJK( NBl
__q 第3章光刻胶
5,b]V)4 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
K
X]oE+: 3.1.1光刻胶的分类_42
V:bV ?lt 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
o07IcIo 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
}fhHXGK. 3.1.4现象学模型_48
2Ohp]G 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
+?`b=6e(` 3.2.1技术方面_50
!d9AG| 3.2.2曝光_51
'PdmI<eXQ 3.2.3曝光后烘焙_54
2H?d+6Pt3 3.2.4化学显影_58
3]E(mRX 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
J7-^F)lu- 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
$M"0BZQ?y! 3.5小结_68
kReG: 参考文献_69
e&X>F"z2 S T8!i`Q$ 第4章光学分辨率增强技术
: cp 4.1离轴照明_74
dYOF2si~% 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
g8pm2o@S 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
2Eh@e([PMs 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
:,*eX' fH 4.2光学邻近效应校正_81
J.M.L$ 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
k ~6-cx 4.2.2线端缩短补偿_84
Ri?\m!o 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
1"K*._K 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
[ug,jEH"S 4.3相移掩模_89
[^PCm Z6n 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
}WP-W 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
p4/$EPt)lY 4.4光瞳滤波_100
.?#uxd~> 4.5光源掩模协同优化_102
WO%h"'iJ 4.6多重曝光技术_106
!eD+GDgE] 4.7小结_109
Nh)[rx 参考文献_110
w;`m- 9<Y hH+bt!aH 第5章材料驱动的分辨率增强
q/6UK = 5.1分辨率极限的回顾_115
@Y'I,e 5.2非线性双重曝光_119
m7 XjP2 5.2.1双
光子吸收材料_119
9d[qhkPu) 5.2.2光阈值材料_120
k7 bl'zic 5.2.3可逆对比增强材料_121
,@Z_{,b 5.3双重和多重成形技术_124
^Qh-(u` 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
j|'R$| 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
q9}2 5.3.3自对准双重成形_126
-gKpL\ 5.3.4双色调显影_127
B7"Fp 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
\K`jCsT 5.4定向自组装_129
l`rC0kJ] 5.5薄膜成像技术_133
8&a_A:h 5.6小结_135
*PB/iVH%6 参考文献_135
=l|>.\- R+.
N n 第6章极紫外光刻
5t'Fv<g 6.1EUV光源_141
cCng5Nq,c 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
lYQtv=q 6.3EUV掩模_146
x1DVD!0 ~{ 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
~u/@rqF 6.5EUV光刻胶_156
H%.zXQ4}n 6.6EUV掩模缺陷_157
TU%"jb5 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
p5SX1PPQ 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
tyXl}$)y 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
Dt {') 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
2YIF=YWO}, 6.8小结_167
FX 1C
e 参考文献_168
<qn, mmN|F$;r 第7章投影成像以外的光刻技术
tP]q4i 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
|a(Q4 e/, 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
4[l^0 7.1.2技术实现_179
|e"/Mf[ 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
?Y!^I2Y6 7.2无掩模光刻_186
y*KC*/'" 7.2.1干涉光刻_186
4hNwKe"Ki 7.2.2激光直写光刻_189
/W9
&Ke 7.3无衍射限制的光刻_194
%AgA -pBp 7.3.1近场光刻_195
9UmBm#" 7.3.2利用光学非线性_198
;vUxO<cKFq 7.4三维光刻_203
0 0,9azs 7.4.1灰度光刻_203
5vGioO 7.4.2三维干涉光刻_205
lu3.KOD/ 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
{*__B} ,N 7.5浅谈无光刻印_209
T/7vM 6u 7.6小结_210
3jg'1^c 参考文献_211
x)\V lR 7%op zdS# 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
4f
jC 8.1实际投影系统中的波像差_220
q4k`)?k9 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
w7ZG oh( 8.1.2波前倾斜_226
zkG>u,B} 8.1.3离焦像差_226
O99mic 8.1.4像散_228
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