《
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
z'j4^Xz?%$ yIA-+# r[ 5{L~e>oS9
?s6v>#H% 5$d>:" > 第1章光刻工艺概述
E WrIDZi 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
;M1# M: 1.2光刻技术的发展史_3
nD{o8; 1.3投影光刻机的空间成像_5
Jx!#y A; 1.4光刻胶工艺_10
W 2&o'(P\ 1.5光刻工艺特性_12
F}wy7s2i 1.6小结_18
T]HeS( 参考文献_18
B/0Xqyu jEVDz 第2章投影光刻的
成像原理
2Jo|]>nl}u 2.1投影光刻机_20
[0qe ?aI 2.2成像理论_21
TkBHlTa"= 2.2.1傅里叶光学描述_21
Y 3h`uLQ 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
Py y!B 2.2.3其他成像仿真方法_30
I() =Ufs5z 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
k{d] 2.3.1分辨率极限和焦深_31
[;t-XC?[nk 2.3.2影响_36
uGOED-@ 2.4小结_39
9kHVWDf 参考文献_39
~t^
Umx"Ew SMoJKr(:w# 第3章光刻胶
,sI<AFI 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
;x%"o[[> 3.1.1光刻胶的分类_42
/#jH#f[ 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
0$JH5RC 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
`,QcOkvbC 3.1.4现象学模型_48
KW-GVe%8f 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
|W_;L6) 3.2.1技术方面_50
2,aH1Xbex 3.2.2曝光_51
o=J-Ju 3.2.3曝光后烘焙_54
~I6N6T Z 3.2.4化学显影_58
lg"aB 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
_Ne fzZWUJ 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
!6!Gx: 3.5小结_68
)G#mC0?PV 参考文献_69
=' uePM") *:bexD H 第4章光学分辨率增强技术
bd]9kRq1K 4.1离轴照明_74
0vX4v)-^u 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
JTIt!E}P 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
Xii>?sA5Z" 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
"i#aII+T 4.2光学邻近效应校正_81
0civXZgj 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
\?Sv O 4.2.2线端缩短补偿_84
<qg4Rz\c] 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
TZ *>MySiF 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
vd?Bk_d9k, 4.3相移掩模_89
?4A/?Z]ub 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
hw$!LTB2 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
L!>nl4O>` 4.4光瞳滤波_100
m g,1*B' 4.5光源掩模协同优化_102
i.k7qclL` 4.6多重曝光技术_106
b7XB l 4.7小结_109
o]EL=j 参考文献_110
k&2=-qgVR JIhEkY 第5章材料驱动的分辨率增强
]{oZn5F 5.1分辨率极限的回顾_115
~)^'5^ 5.2非线性双重曝光_119
5r`rstV 5.2.1双
光子吸收材料_119
SE'!j]6jI 5.2.2光阈值材料_120
`^52IkM) 5.2.3可逆对比增强材料_121
6<2H 7' 5.3双重和多重成形技术_124
LH)XD[ 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
QF)\\D[ 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
(`S^6-^ 5.3.3自对准双重成形_126
k,[*h-{8 5.3.4双色调显影_127
MB!9tju 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
-8xf}v~u 5.4定向自组装_129
u<Y#J,p`e 5.5薄膜成像技术_133
W#S8 2 5.6小结_135
V\o7KF 参考文献_135
zw['hqW `J1HQ!Z 第6章极紫外光刻
.4p3~r?=S 6.1EUV光源_141
'C/yQvJ
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
wqhktgG 6.3EUV掩模_146
} vmRm*8z 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
#0>xa]S 6.5EUV光刻胶_156
]QhTxrF" 6.6EUV掩模缺陷_157
&'SD1m1P 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
&E_a0*)e 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
)V\@N*L`ik 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
7
!$[XD 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
h:nybLw? 6.8小结_167
7~ PL8 参考文献_168
OvtE)ul@ sU"%,Q5 第7章投影成像以外的光刻技术
DcW?L^Mst 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
G
5;6q 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
>>
zd 7.1.2技术实现_179
VG);om7`PD 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
O\6U2b~ 7.2无掩模光刻_186
>#w;67he2 7.2.1干涉光刻_186
!R=@Nr> 7.2.2激光直写光刻_189
$@>0;i:: 7.3无衍射限制的光刻_194
#;$]M4 7.3.1近场光刻_195
j{@6y 7.3.2利用光学非线性_198
TxX =(7V 7.4三维光刻_203
){*+s RBW 7.4.1灰度光刻_203
u=
NLR\ 7.4.2三维干涉光刻_205
&EfQ%r}C 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
bC/":+s& p 7.5浅谈无光刻印_209
@1MnJP 7.6小结_210
+!/ATR%Uci 参考文献_211
]mTBD<3\ FQ]/c#J 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
jN\u}!\O 8.1实际投影系统中的波像差_220
<s9?9^!!V^ 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
;]u9o}[
2 8.1.2波前倾斜_226
Rff F:,b 8.1.3离焦像差_226
*.DC(2:o! 8.1.4像散_228
5~L]zE 8.1.5彗差_229
u^1#9bAW8 8.1.6球差_231
}yz>(Pq 8.1.7三叶像差_233
<kak9
6A 8.1.8泽尼克像差小结_233
uM-,}7f7 8.2杂散光_234
D|N4X`T` 8.2.1恒定杂散光模型_235
!+eH8
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
0cd_l
2f#g 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
Zh=arlk 8.3.1掩模偏振效应_240
^[M{s(b 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
7?$?Yu 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
\$ytmtf5 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
F5h/> 8.3.5偏振照明_248
i[v4[C=WB! 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
[nTI\17iA 8.5小结_250
=p+y$ 参考文献_251
&mwd0%4 /Mqhx_)>A 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应
S<tw5!tJ 9.1严格电磁场仿真的方法_256
?sf<cFF 9.1.1时域有限差分法_257
KdkA@>L!; 9.1.2波导法_260
lW+mH= 9.2掩模形貌效应_262
$[ {5+ * 9.2.1掩模衍射分析_263
6b2UPI7m~ 9.2.2斜入射效应_266
lQn"
6o1 9.2.3掩模引起的成像效应_268
Zf'*pp T&q 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272
IH]9%d) 9.2.5各种三维掩模模型_277
*'%V}R[> 9.3晶圆形貌效应_279
%FO{:@CH 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279
v}G^+-? 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281
i5 '&u: 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282
UUah5$Iy 9.4小结_283
YW7W6mWspS 参考文献_283
$><