《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 FkB6*dm-  
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第1章光刻工艺概述 E.En$'BvB  
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 EU&6Tg  
1.2光刻技术的发展史_3 ~_/<PIm  
1.3投影光刻机的空间成像_5 zz+M1n-;o  
1.4光刻胶工艺_10 cQUH%7m  
1.5光刻工艺特性_12 E.WNykF-  
1.6小结_18 wz|Q%.%?[  
参考文献_18 A
>ug'.  
k:(e79  
第2章投影光刻的成像原理 Lv`8jSt\  
2.1投影光刻机_20 \]~kyy  
2.2成像理论_21 S>vVjq?~l(  
2.2.1傅里叶光学描述_21 @[[Cs*-  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 ouu-wQ|(mM  
2.2.3其他成像仿真方法_30 xC=3|,U  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 X=*Yzz}  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 )\:lYI}Wpm  
2.3.2影响_36 a3(7{,Ew  
2.4小结_39 3=G5(0  
参考文献_39 +lk\oj$S+  
z_[3IAZ  
第3章光刻胶 h~^qG2TYWq  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 Pv/%s) &y&  
3.1.1光刻胶的分类_42 )U/@J+{{  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
b@Mng6R  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
C4X{Ps\  
3.1.4现象学模型_48 GFy0R"&d[  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 1,*Z_ F=y  
3.2.1技术方面_50 dmTW]P2  
3.2.2曝光_51 2+
r)VF:  
3.2.3曝光后烘焙_54 WMdz+^\(  
3.2.4化学显影_58 ,sRrV $,"  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 $ uIwRG <  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 ^|:{,d#Y  
3.5小结_68 =^%Pwkz  
参考文献_69 2Xq!'NrS  
s].'@_~s  
第4章光学分辨率增强技术  c
+G:@%  
4.1离轴照明_74 >R'VY "\  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 VES4x%r=  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 Xj@    
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 <EMLiiNY  
4.2光学邻近效应校正_81 \qK}(xq[  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 U}C#:Xi>$  
4.2.2线端缩短补偿_84 VdN+~+A:  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 Al-%j- j@-  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 QWQ6j#`  
4.3相移掩模_89 Q1>Op$>h  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 5M.n'*   
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 ~"4vd 3  
4.4光瞳滤波_100 tV}ajs  
4.5光源掩模协同优化_102 K:mL%o2J
 
4.6多重曝光技术_106 "'p+qbT8  
4.7小结_109 Xk9r"RmiOb  
参考文献_110 vS,G<V3B  
Q17o5##x7  
第5章材料驱动的分辨率增强 576-X_a,  
5.1分辨率极限的回顾_115 i!+3uHWu`)  
5.2非线性双重曝光_119 X-) ]lAP  
5.2.1双光子吸收材料_119 0tm "kzy  
5.2.2光阈值材料_120 &.bR1wX  
5.2.3可逆对比增强材料_121 s)'_{ A"h  
5.3双重和多重成形技术_124 }SvWC8  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 :$Di.|l@7  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 < $?}^ 0R  
5.3.3自对准双重成形_126 (R|FQdH  
5.3.4双色调显影_127 GyXs{*  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 yp/V8C  
5.4定向自组装_129 Hn]n]wsLy  
5.5薄膜成像技术_133 $(mdz)Cfy  
5.6小结_135 H2R^t{w  
参考文献_135 ~FrkLP  
qYiK bzy  
第6章极紫外光刻 */dsMa  
6.1EUV光源_141 3ijI2Zy  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 'L+BkE6+%  
6.3EUV掩模_146 ALieUf  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 "Ohpb!J9  
6.5EUV光刻胶_156 ;7=JU^@D@  
6.6EUV掩模缺陷_157 .AI'L|FQ%c  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 98BBsjkd  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 oX~$'/2v  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 JhXN8Bq33  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 yt#;3  
6.8小结_167 =4\~M"
[p  
参考文献_168 >nW}zkfn  
c]v3dHE_h  
第7章投影成像以外的光刻技术 A VG`r2T  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 '
oeg[  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 + d)~;I$  
7.1.2技术实现_179 |[7$) $  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 1,!\7@<CT  
7.2无掩模光刻_186 -oT+;2\2  
7.2.1干涉光刻_186 3S|;yOl#X  
7.2.2激光直写光刻_189 34M.xB  
7.3无衍射限制的光刻_194 |}y}o:(  
7.3.1近场光刻_195 ph (k2cb  
7.3.2利用光学非线性_198 l*MUDT@M8\  
7.4三维光刻_203 Gqb-3ngH  
7.4.1灰度光刻_203 GYmBxX87  
7.4.2三维干涉光刻_205 _<}5[(qu  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 naCI55Wx  
7.5浅谈无光刻印_209 f]65iE?x  
7.6小结_210 jY6=+9Jz5  
参考文献_211 I{ZPv"9j^  
>w;W&[  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 1gK3=Ys  
8.1实际投影系统中的波像差_220 [!efQap  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 TUYl><F5v=  
8.1.2波前倾斜_226 w/Dm  
8.1.3离焦像差_226 lXy@Cf  
8.1.4像散_228 CPE F,,\  
8.1.5彗差_229 RWcQT`  
8.1.6球差_231 ,/U9v~  
8.1.7三叶像差_233 PY<V  
8.1.8泽尼克像差小结_233 717m.t,x  
8.2杂散光_234 0|vWwZ
q  
8.2.1恒定杂散光模型_235 hRcJ):Wyb  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 9+|,aG s  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 2Yjysn  
8.3.1掩模偏振效应_240 +6-!o,(  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 =W^L8!BE'  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 )O(Gw-jWE  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 Nn\\}R  
8.3.5偏振照明_248 xF31%b`z:  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 Ci:QIsu*  
8.5小结_250 L%Hm#eFx  
参考文献_251 lY?d*qED  
0t0:soZx  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 
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9.1严格电磁场仿真的方法_256 /YR$#&N2  
9.1.1时域有限差分法_257 j"=jK^  
9.1.2波导法_260 `Pbn  
9.2掩模形貌效应_262 Y)RikF >  
9.2.1掩模衍射分析_263 E#]%e^  
9.2.2斜入射效应_266 l'f!za0  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 py4_hj\v  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 tTamFL6  
9.2.5各种三维掩模模型_277 ]gk1h=Y~h  
9.3晶圆形貌效应_279 Ww4G  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 @SB+u+mOS  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 DZZt%n8J  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 )j*qGsOg  
9.4小结_283 ,Ou)F;r  
参考文献_283 cv1L!Ce,  
:]jtV~E\  
第10章先进光刻中的随机效应  {`  
10.1随机变量和过程_288 t9{EO#o'k  
10.2现象_291 ajr8tp'  
10.3建模方法_294 @ U|u _S@  
10.4依存性及其影响_297 (#`o>G(  
10.5小结_299 =c4U%d2  
参考文献_299 mg]dKp  
专业词汇中英文对照表 xn[di-LF  
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