《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5034
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 f}b= FV{  
W>+\A"  
8V@ /h6-e,  
E c[-@5x  
-v#0.3zm  
第1章光刻工艺概述 ^c" wgRHc<  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 M \rW  
1.2光刻技术的发展史_3 p5&:>>  
1.3投影光刻机的空间成像_5 HM ;9%rtO  
1.4光刻胶工艺_10 ).e_iE[&  
1.5光刻工艺特性_12 'H- : >'k  
1.6小结_18 :r* skV|  
参考文献_18 +c!v%uX  
5SKj% %B2,  
第2章投影光刻的成像原理 EEmYfP[3  
2.1投影光刻机_20 Qvt  
2.2成像理论_21 :G\f(2@  
2.2.1傅里叶光学描述_21 o_hk!s^4m  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 T7_i: HU%  
2.2.3其他成像仿真方法_30 V uZd  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 GF[onfQY7  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 Y8YNRyc=  
2.3.2影响_36 gSS2)Sd}  
2.4小结_39 .jW+\mIX  
参考文献_39 <hazrKUn  
W Z`u"t^2V  
第3章光刻胶 ew8f7S[  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 z)N8#Y~vn  
3.1.1光刻胶的分类_42 :^7/+|}9p  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 53X H|Ap  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 bC{1LY0  
3.1.4现象学模型_48 @%mJw u  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50  uaN0X"  
3.2.1技术方面_50 ea!_/Y  
3.2.2曝光_51 GqB]^snh  
3.2.3曝光后烘焙_54 k4Ed7T-  
3.2.4化学显影_58 5lehASBz  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 ~kM# lh7At  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 *m$P17/C  
3.5小结_68 ";\na!MT  
参考文献_69 8wJfG Y  
L} r#KfIb  
第4章光学分辨率增强技术 .=rS,Tpo  
4.1离轴照明_74 /~RY{ c@#L  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 !Wn^B|  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 c!n\?lB  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 Bo.< 4P  
4.2光学邻近效应校正_81 0~2~^A#]\  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 \D Oqx  
4.2.2线端缩短补偿_84 kOi@QLdN  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 |/rms`YQ  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 A"Q6GM2;Io  
4.3相移掩模_89 q^5j&jx Vl  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 "tax  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 M'gw-^(  
4.4光瞳滤波_100 BWRM gN'.  
4.5光源掩模协同优化_102 Ei@w*.3P<  
4.6多重曝光技术_106 ?J[m)Uo/ K  
4.7小结_109 a'3|EWS ?  
参考文献_110 -DWyKR= j"  
c8'a<<sj  
第5章材料驱动的分辨率增强 DL$O274uZ  
5.1分辨率极限的回顾_115 9p| ;Hh:  
5.2非线性双重曝光_119 OEMYS I%  
5.2.1双光子吸收材料_119 Wx~N1+  
5.2.2光阈值材料_120 l\+^.ezD  
5.2.3可逆对比增强材料_121 AXbDCDA  
5.3双重和多重成形技术_124 2Fwp\I;  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 =QG@{?JTl  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 SvE3E$*  
5.3.3自对准双重成形_126 <0R$yB  
5.3.4双色调显影_127 xw[KP [(  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 ]Dj,8tf`H  
5.4定向自组装_129 {,V.IDs8[  
5.5薄膜成像技术_133 C%#%_ "N  
5.6小结_135 8n_!WDD  
参考文献_135 `cu W^/c  
l;+nL[%`  
第6章极紫外光刻 RRXnj#<g  
6.1EUV光源_141 SxyXz8+e[  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 =v-qao7xCV  
6.3EUV掩模_146 [diUO1p  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 5%`fh%  
6.5EUV光刻胶_156 ^ud-N;]MKs  
6.6EUV掩模缺陷_157 <]{$XcNm  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 [WZGu6$SU  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 7sgK+ ip  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 X*4iNyIs_  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 /=o~7y  
6.8小结_167 =t@8Y`9w  
参考文献_168 F@4TD]E0^  
FBDRbJ su  
第7章投影成像以外的光刻技术 ?%)G%2  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 H rMH  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 8\V  
7.1.2技术实现_179 O $ p  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 \L6kCY  
7.2无掩模光刻_186 ]'  ck!eG  
7.2.1干涉光刻_186  (TKn'2  
7.2.2激光直写光刻_189 #ZzFAt  
7.3无衍射限制的光刻_194 & B CA  
7.3.1近场光刻_195 45?aV@  
7.3.2利用光学非线性_198 hU: 9zLe  
7.4三维光刻_203 {DP%=4  
7.4.1灰度光刻_203 .k_> BD];  
7.4.2三维干涉光刻_205 kK62yz,  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 3c%dErch  
7.5浅谈无光刻印_209 DL*/hbG  
7.6小结_210 \:7G1_o  
参考文献_211 7IEG%FY T  
IF>dsAAI<  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 Vn7FbaO^  
8.1实际投影系统中的波像差_220 ,RA;X  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 (SH< ]@s  
8.1.2波前倾斜_226 u;@~P  
8.1.3离焦像差_226 F=T};b  
8.1.4像散_228 u*W6fg/"  
8.1.5彗差_229 pgp@Zw)r)k  
8.1.6球差_231 O6 :GE'S  
8.1.7三叶像差_233 ^0x0 rY  
8.1.8泽尼克像差小结_233 NZ{)&ObBRt  
8.2杂散光_234 W{)RJ1  
8.2.1恒定杂散光模型_235 DK6^\k][V  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 Es7+bFvsE8  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 T(@J]Y-  
8.3.1掩模偏振效应_240 w#-J ?/m  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 gG?sLgL:  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 tAi ~i;?  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 +VE ] .*T  
8.3.5偏振照明_248 per$%;5E"  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 g`n5-D@3  
8.5小结_250 cN?}s0  
参考文献_251 @Yu=65h  
fN|'aq*Pd  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 neLQ>WT L  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 ^yl)c \`  
9.1.1时域有限差分法_257 MS>QU@z7c  
9.1.2波导法_260 OV.f+_LS  
9.2掩模形貌效应_262 1xf Pe#  
9.2.1掩模衍射分析_263 _MmSi4]yd  
9.2.2斜入射效应_266 )iU@P7W=  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 ]cKxYX)J  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 Ra!Br6  
9.2.5各种三维掩模模型_277 [$x&J6jF.  
9.3晶圆形貌效应_279 -jPrf:3)  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 *)8!~Hs   
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 8Ry%HV9VE  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 '0jjoZ:  
9.4小结_283 Zf,9 k".'C  
参考文献_283 =Z(_lLNmh  
4.t72*ML  
第10章先进光刻中的随机效应 o<\u Hr3  
10.1随机变量和过程_288 SQS PdR+  
10.2现象_291 H,Y+n)5  
10.3建模方法_294 8*7,qX  
10.4依存性及其影响_297 (+iOy/5#u  
10.5小结_299 C1M @;  
参考文献_299 NB.s2I7  
专业词汇中英文对照表 ^+MG"|)u~  
K|ZB!oq  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 j96\({;k  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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