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光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。
Kf5 p*AI #8|NZ6x, /L Tyiiz6
# nhAW 9R3=h5Y 第1章光刻工艺概述
Agf!6kh 1.1微型化: 从微电子到
纳米技术_1
GTe9@d 1.2光刻技术的发展史_3
[: j_Y3-9 1.3投影光刻机的空间成像_5
wQ.zj`?$( 1.4光刻胶工艺_10
Ut =y`]F 1.5光刻工艺特性_12
(*gpa:Sc 1.6小结_18
m%3Kq%?O 参考文献_18
Yl=
|P` ]x\wP7x 第2章投影光刻的
成像原理
?g.w%Mf* 2.1投影光刻机_20
_ji%BwJ 2.2成像理论_21
S22 ;g 2.2.1傅里叶光学描述_21
:b-(@a7> 2.2.2倾斜
照明与部分相干成像_26
jm"xf7 2.2.3其他成像仿真方法_30
9-SXu lgu 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30
`,"Jc<R7Z 2.3.1分辨率极限和焦深_31
Kwnu|8 2.3.2影响_36
n]!H,Q1,T 2.4小结_39
K-5)Y+| > 参考文献_39
JN!YRcj ^ j7pF.j 第3章光刻胶
~Sq >c3Wn 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42
2{N0. |5 3.1.1光刻胶的分类_42
v~3q4P 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45
"{lnSLk 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46
VxoMK7'O=/ 3.1.4现象学模型_48
h,g~J-x`| 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50
bcf OpA 3.2.1技术方面_50
{n'}S( 3.2.2曝光_51
yfrgYA 3.2.3曝光后烘焙_54
-9EbU7>! 3.2.4化学显影_58
?`$4ZDM 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61
tWuQKN`_ 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65
=t2epIr5 3.5小结_68
zx*f*L,6F 参考文献_69
hZy*E [i |99eDgK, 第4章光学分辨率增强技术
40XI\yE_? 4.1离轴照明_74
xuF_^ 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76
\D=B-dREq 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78
2~ a4ib 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
JI(|sAH 4.2光学邻近效应校正_81
)uP= o 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82
"( xu 4.2.2线端缩短补偿_84
78wcMQNX9 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85
q$P"o].EK 4.2.4OPC模型和工艺流程_88
v:'y&yS 4.3相移掩模_89
L<n_}ucA 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90
| Z;Av%% 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
t<tBOesQ 4.4光瞳滤波_100
j#,O,\ 4.5光源掩模协同优化_102
:gXj($ 4.6多重曝光技术_106
9w1)Mf} 4.7小结_109
E_P]f% 参考文献_110
A|^?.uIM 81&!!qhfS 第5章材料驱动的分辨率增强
= j - 5.1分辨率极限的回顾_115
_>.%X45xi 5.2非线性双重曝光_119
n~Ix8|S h 5.2.1双
光子吸收材料_119
r\zK>GVm_ 5.2.2光阈值材料_120
0#G"{M 5.2.3可逆对比增强材料_121
Z:}^fZP 5.3双重和多重成形技术_124
K^+B" 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124
!jm
a -- 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125
PNq#o%q 5.3.3自对准双重成形_126
%zGPF 5.3.4双色调显影_127
`#hy'S:e
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128
Tn|reXc0e 5.4定向自组装_129
<7XdT 5.5薄膜成像技术_133
U
w)1yzX 5.6小结_135
zI(Pti 参考文献_135
eUl[gHP ^,3 >}PU 第6章极紫外光刻
IKt9=Tx 6.1EUV光源_141
;iEqa"gO 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143
=o {`vv 6.3EUV掩模_146
"3K0 wR5 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
F~:5/-zs 6.5EUV光刻胶_156
&8N\
6K= 6.6EUV掩模缺陷_157
:?,&u,8 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161
,F1$Of/'@\ 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162
>v(Xc/oI 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162
uBM1;9h 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166
N4Ym[l 6.8小结_167
-Bc.<pFqp 参考文献_168
NQb?&.C !vU[V,~
第7章投影成像以外的光刻技术
R
.,w`<< 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176
?FLjvmE9 7.1.1图像形成和分辨率限制_176
',.Xn`c 7.1.2技术实现_179
@`T6\ 1 7.1.3先进的掩模对准光刻_182
~=71){4A 7.2无掩模光刻_186
`hbM2cM 7.2.1干涉光刻_186
P++gR@ 7.2.2激光直写光刻_189
[wExjLW 7.3无衍射限制的光刻_194
*Hs5MXNu 7.3.1近场光刻_195
Y{jhT^tKK 7.3.2利用光学非线性_198
x@/!H<y 7.4三维光刻_203
Gce![<|ph 7.4.1灰度光刻_203
E yNCky 7.4.2三维干涉光刻_205
^t| %!r
G 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206
I;No++N0 7.5浅谈无光刻印_209
;gF"o5/Q 7.6小结_210
aW"BN 5eM> 参考文献_211
g3y44GCV G#csN&|, 第8章光刻投影系统: 高级技术内容
6K,AQ.=V2 8.1实际投影系统中的波像差_220
;HW@ZI 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221
Ft07>E$/Q^ 8.1.2波前倾斜_226
//`X+[bMG 8.1.3离焦像差_226
D;Z\GnD 8.1.4像散_228
$ (GXlhA 8.1.5彗差_229
J~~WV<6 8.1.6球差_231
rTx]%{ 8.1.7三叶像差_233
oRCj]9I$ 8.1.8泽尼克像差小结_233
,i'>+Ix< 8.2杂散光_234
/m%;wH|6% 8.2.1恒定杂散光模型_235
|kjk{ 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236
w*aKb 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239
YM5;mPR 8.3.1掩模偏振效应_240
NpSS/rd $ 8.3.2成像过程中的偏振效应_241
]":PO4M$* 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243
1%>/%eyn5 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246
rUlXx5f 8.3.5偏振照明_248
Zb@PwH4 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250
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