《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5753
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 ?&_ -,\t  
S WVeUL#5  
^L+*}4Dr  
I0(BKMp&  
gV):3mWC  
第1章光刻工艺概述 Nlx7"_R"Q  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 Y]P'; C_eP  
1.2光刻技术的发展史_3 ~urIA/  
1.3投影光刻机的空间成像_5 Ha@'%<gFe  
1.4光刻胶工艺_10 7u6o~(  
1.5光刻工艺特性_12 G6w&C^J*8>  
1.6小结_18 Lz2wOB1Zc+  
参考文献_18 sczN0*w&C  
\acJ9N  
第2章投影光刻的成像原理 u&/q7EBfP  
2.1投影光刻机_20 hq6fDRO/4  
2.2成像理论_21 |o6 h:g  
2.2.1傅里叶光学描述_21 8s/gjEwA  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 ^rfY9qMJr8  
2.2.3其他成像仿真方法_30 [pUw(KV2m  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 h +.8Rl  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 )y\^5>p[  
2.3.2影响_36 gYA|JFi  
2.4小结_39 oN)l/"%C7/  
参考文献_39 h=.|!u  
dQYb)4ir  
第3章光刻胶 Qg"hN  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 .mn`/4  
3.1.1光刻胶的分类_42 ]@Y8! ,  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 K~H)XJFF  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 PBbJfm  
3.1.4现象学模型_48 G+stt(k:  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 l_hM,]T0  
3.2.1技术方面_50 T1m"1Q  
3.2.2曝光_51 K]Q#B|_T  
3.2.3曝光后烘焙_54 "XT7;!  
3.2.4化学显影_58 L{jJDd  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 ;&q}G1  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 J0*hJ-/u  
3.5小结_68 L3JFQc/oh~  
参考文献_69 % obR2%  
X^ckTIdR  
第4章光学分辨率增强技术 _Db=I3.HJ  
4.1离轴照明_74 `uM:>  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 z8_m<uewz  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 Py$Q]s?\1  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 GwQW I ]  
4.2光学邻近效应校正_81 |iKk'Rta4  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 /:3:Ky3  
4.2.2线端缩短补偿_84 Nz_c]3_j  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 `E+)e?z  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 ^q5~;_z|  
4.3相移掩模_89 Ef{rY|E  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 6!dbJ5x1  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 7K,Quq.%+  
4.4光瞳滤波_100 u~[HC)4(0  
4.5光源掩模协同优化_102 11[[Hk X@  
4.6多重曝光技术_106 ZQXv-"  
4.7小结_109 oW(lQ'"  
参考文献_110 :i_818h!?[  
_x&;Fa%  
第5章材料驱动的分辨率增强 qYR $5  
5.1分辨率极限的回顾_115 wwrP7T+d  
5.2非线性双重曝光_119 dU1w)Y  
5.2.1双光子吸收材料_119 W^npzgDCo  
5.2.2光阈值材料_120 $3<,"&;Ecs  
5.2.3可逆对比增强材料_121 ("Z;)s4q  
5.3双重和多重成形技术_124 74Xk^  8  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 v,y nz'>)  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 uPKq<hBI  
5.3.3自对准双重成形_126 4)0 %^\p  
5.3.4双色调显影_127 mR@|]T  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 TG7Ba[%  
5.4定向自组装_129 >}Qj|05G  
5.5薄膜成像技术_133 nlmc/1C  
5.6小结_135 b&[9m\AX`  
参考文献_135 '{dduHo  
=y -L'z&r  
第6章极紫外光刻 IhnHNY]<g  
6.1EUV光源_141 wmKM:`&[5  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 ZycV?ob8}  
6.3EUV掩模_146 Z?X0:WK  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 1c_gh12  
6.5EUV光刻胶_156 Ri4t/H  
6.6EUV掩模缺陷_157 =sy>_   
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 @Gp=9\L  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 R)i  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 Go~bQ2*'(/  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 bHVAa#  
6.8小结_167 RapHE; <  
参考文献_168 D FDC'E  
M2HO!btf  
第7章投影成像以外的光刻技术 wI.i\ S  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 \$:KfN>WY  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 KilgeN:  
7.1.2技术实现_179 AQ n>K{M  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 x{4Rm,Dxn  
7.2无掩模光刻_186 *uHL'Pe;m  
7.2.1干涉光刻_186 b~DtaGh  
7.2.2激光直写光刻_189 j,%@%upM  
7.3无衍射限制的光刻_194 3 i<,#FaL  
7.3.1近场光刻_195 j !^Tw.Ty  
7.3.2利用光学非线性_198 U |I>CDp  
7.4三维光刻_203 ?_mcg8A@@*  
7.4.1灰度光刻_203 hY 2nT  
7.4.2三维干涉光刻_205 .N2yn`  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 Gt#Jr!N~  
7.5浅谈无光刻印_209 lOIBX@K E  
7.6小结_210 <!b~7sZkTc  
参考文献_211 +Qy*s1fit  
",/3PT  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 5`qt82Qm  
8.1实际投影系统中的波像差_220 #o Rm-yDr  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 H.-jBFt}  
8.1.2波前倾斜_226 lv -z[  
8.1.3离焦像差_226 3TUW+#[Gu  
8.1.4像散_228 i9Fg  
8.1.5彗差_229 .5Y%I;~v  
8.1.6球差_231 bwh7.lDAl  
8.1.7三叶像差_233 n]M1'yU  
8.1.8泽尼克像差小结_233 |GuIp8~  
8.2杂散光_234 Jf\lnJTyU8  
8.2.1恒定杂散光模型_235 +mRFHZG  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 Bz}Dgbb  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 lfjY45=  
8.3.1掩模偏振效应_240 rZRcy9$y>  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 { 3``To$  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 s2Gi4fY?  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 u\YH,  
8.3.5偏振照明_248 TU ]Ed*'&  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 {\-rZb==F2  
8.5小结_250 tX;00g;U.  
参考文献_251 kPwgayz  
fDc>E+,  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 _\E{T5  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 8r '  
9.1.1时域有限差分法_257 6BIP;, M=  
9.1.2波导法_260 d,=Kv  
9.2掩模形貌效应_262 rkhQoYZ[  
9.2.1掩模衍射分析_263 xe^*\6Y  
9.2.2斜入射效应_266 CU =}]Y  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 +|.}oL^}G  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 "|W .o=R  
9.2.5各种三维掩模模型_277 3L/qU^`  
9.3晶圆形貌效应_279 PfX{n5yBW8  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 X! 5N2x  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 M=[/v/M=  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 :V2"<]  
9.4小结_283 9tZ)#@\  
参考文献_283 N;,?k.vU  
SQ#6~zxl  
第10章先进光刻中的随机效应 TJ(PTB;  
10.1随机变量和过程_288 "%~\kJ(G  
10.2现象_291 l,uYp"F,ps  
10.3建模方法_294 ~82[pY  
10.4依存性及其影响_297 ]2G5ng' @  
10.5小结_299 \~xI#S@  
参考文献_299 8Ml&lfn_8  
专业词汇中英文对照表 y e!Bfz>  
<4jQbY;  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 zi:F/TlUC  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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