《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5659
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 6jgP/~hP>N  
u%yYLpaKf  
_,aFQ^]'9  
AH/o-$C&  
r6 3l(  
第1章光刻工艺概述 TlkhI  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 /!?Tv8TPp  
1.2光刻技术的发展史_3 s5mJ -  
1.3投影光刻机的空间成像_5 aQ\SV0PI  
1.4光刻胶工艺_10 :Rv+Bm  
1.5光刻工艺特性_12 M/9[P* VE  
1.6小结_18 g}R Cjl4  
参考文献_18 T$R#d&t  
'kC#GTZi  
第2章投影光刻的成像原理 fKr_u<|  
2.1投影光刻机_20 |gu@b~8  
2.2成像理论_21 ZX`x9/0&  
2.2.1傅里叶光学描述_21 V59!}kel1%  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 eWex/ m  
2.2.3其他成像仿真方法_30 l1]{r2g  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 oi,KA  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 u pUJF`3  
2.3.2影响_36 0uW)&>W  
2.4小结_39 '/ Hoq  
参考文献_39 Fv %@k{  
=>3,]hnep  
第3章光刻胶 I(7iD. ^:  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 >]gB@tn[  
3.1.1光刻胶的分类_42 er-0i L@  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 @ %L  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 :{Z%dD  
3.1.4现象学模型_48 HpIi-Es7C  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 9e>2kd  
3.2.1技术方面_50 X o9vE3  
3.2.2曝光_51 N}7b^0k  
3.2.3曝光后烘焙_54 C(B"@   
3.2.4化学显影_58 VBDb K|  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 C6a-  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 *!BQ1 ] G  
3.5小结_68 =FIZh}JD  
参考文献_69 +$(y2F7|u-  
kJOZ;X=9/  
第4章光学分辨率增强技术 !A% vR\  
4.1离轴照明_74 CPcUB4a%#  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 L / WRVc6  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 G:lhrT{  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 " a'I^B/  
4.2光学邻近效应校正_81 k{F6WQ7  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 Viw,YkC  
4.2.2线端缩短补偿_84 >!" Sr3,L  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 rDoMz3[w  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 iiJT%Zq`#  
4.3相移掩模_89 8,vP']4r%  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 -@#],s7  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 /c-k{5mH%  
4.4光瞳滤波_100 r1RM7y  
4.5光源掩模协同优化_102 A&v Qtd  
4.6多重曝光技术_106 yY49JZ  
4.7小结_109 o_Y?s+~i[/  
参考文献_110 +N+117m  
[qkW/qS  
第5章材料驱动的分辨率增强 mdrqX<x'~  
5.1分辨率极限的回顾_115 <6+B;brh  
5.2非线性双重曝光_119 Ev [?5R  
5.2.1双光子吸收材料_119 Lwf[*n d  
5.2.2光阈值材料_120 #EE<MKka  
5.2.3可逆对比增强材料_121 l,b,U/3R.  
5.3双重和多重成形技术_124 /=9dX; #  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 s%Ph  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 )t-P o'RW  
5.3.3自对准双重成形_126 m3P7*S5NJ7  
5.3.4双色调显影_127 M3]eqxLC  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 w?nSQBz$  
5.4定向自组装_129 X_D-K F  
5.5薄膜成像技术_133 'IIa,']H  
5.6小结_135 =1|p$@L`%  
参考文献_135 [`tNa Vg  
Bv3B|D&+  
第6章极紫外光刻 <^KW7M}w*c  
6.1EUV光源_141 RX?!MDO  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 Rb:?%\=  
6.3EUV掩模_146 &LB`  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 T9r6,yY  
6.5EUV光刻胶_156 j^U"GprA  
6.6EUV掩模缺陷_157 -:45Q{u/  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 3&M0@/  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 Gkfzb>_V]  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 L5KcI  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 W)  
6.8小结_167 .Sa=VC?EZ  
参考文献_168 7AGUi+!ICl  
=c&.I}^1L  
第7章投影成像以外的光刻技术 ZDI?"dt{  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 ttlMZLX{TJ  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 t&5Ne ?  
7.1.2技术实现_179 >z fx2wh\a  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 ;KmrBNF  
7.2无掩模光刻_186 W[Z[o+7pK  
7.2.1干涉光刻_186 *nHMQ/uf  
7.2.2激光直写光刻_189 ScVbo3{m*T  
7.3无衍射限制的光刻_194 c`lL&*]  
7.3.1近场光刻_195 s)-bOZi  
7.3.2利用光学非线性_198 $1zWQJd[-  
7.4三维光刻_203 {dE(.Z?]!#  
7.4.1灰度光刻_203 DOkuT/+  
7.4.2三维干涉光刻_205 wzoT!-_X  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 :h3U^  
7.5浅谈无光刻印_209 JHZjf7g$k  
7.6小结_210 <W7WlT  
参考文献_211 B^R44j]3"  
<KCyXU*  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 [Ran/D\.  
8.1实际投影系统中的波像差_220 Tl]yl$  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 TMs Cl6dB  
8.1.2波前倾斜_226 @PQd6%@  
8.1.3离焦像差_226 8+Gwv SDU  
8.1.4像散_228 SsfC m C  
8.1.5彗差_229 e6{E(=R[M  
8.1.6球差_231 N$:-q'hX  
8.1.7三叶像差_233 Vl<7>  
8.1.8泽尼克像差小结_233 JdWav!PYm  
8.2杂散光_234 =kK%,Mr  
8.2.1恒定杂散光模型_235 .We{W{  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 ]8Xip/uE  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 10m|?  
8.3.1掩模偏振效应_240 >$ro\/  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 A =&`TfXu  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 mWn0"1C  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 wPcEvGBN=  
8.3.5偏振照明_248 q68m*1?y  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 * y wr_9  
8.5小结_250 TK~KM  
参考文献_251 d(b~s2\i  
ST g} Z  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 $2}%3{<j  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 08%Bx~88_%  
9.1.1时域有限差分法_257 7+X~i@#rU  
9.1.2波导法_260 0&2`)W?9  
9.2掩模形貌效应_262 Xi\c>eALO  
9.2.1掩模衍射分析_263 JZ:yPvJ  
9.2.2斜入射效应_266 `}bvbvmA  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 inK;n  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 *_}0vd  
9.2.5各种三维掩模模型_277 #<u;.'R  
9.3晶圆形貌效应_279 O;}K7rSc  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 HGd.meQ  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 cJTwgm?  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 aS\$@41"  
9.4小结_283 i*!2n1c[  
参考文献_283 |pq9i)e&  
WA:r4V  
第10章先进光刻中的随机效应 n:k4t  
10.1随机变量和过程_288 0O*kC43E_  
10.2现象_291 n;>=QG -v  
10.3建模方法_294 QH,(iX6RY  
10.4依存性及其影响_297 `QW=<Le?  
10.5小结_299 P4/~_$e  
参考文献_299 %so{'rQl  
专业词汇中英文对照表 L2~'Z'q  
Un T\6u  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 wp> z04  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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