《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5674
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 sm;kg=  
rP}[>  
%WC ^aKfY  
M~n./wyC  
G{{M' 1  
第1章光刻工艺概述 (AX$S vw  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 M ziOpraj  
1.2光刻技术的发展史_3 t 4VeXp6  
1.3投影光刻机的空间成像_5 7<Qmpcp =  
1.4光刻胶工艺_10 xI.0m  
1.5光刻工艺特性_12 !iq|sXs  
1.6小结_18 EqGpo_  
参考文献_18 J7qTE8W=  
\ @[Q3.VX  
第2章投影光刻的成像原理 .lq83; k  
2.1投影光刻机_20 ~L>86/hP,N  
2.2成像理论_21 &YcOmI/MM  
2.2.1傅里叶光学描述_21 Ndmw/ae  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 c-v-U O%  
2.2.3其他成像仿真方法_30 rLE+t(x(0  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 u:f.;?  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 MTN*{ug2:  
2.3.2影响_36 bdLi _k  
2.4小结_39 c&x1aF "B  
参考文献_39 m=+x9gL2  
G%, RD}D  
第3章光刻胶 B^]PKjLNZ  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 ,QpFVlPU  
3.1.1光刻胶的分类_42 n I&p.i6  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 5 @-H8*  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 Y9>92#aME  
3.1.4现象学模型_48 =Xg/[J%  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 h5pfmN\-5  
3.2.1技术方面_50 @g4o8nH}  
3.2.2曝光_51 "wuO[c&%/  
3.2.3曝光后烘焙_54 l^OflZC~  
3.2.4化学显影_58 D,R',(3  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 +iFt)  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 n>R(e>  
3.5小结_68 7 7y+ik  
参考文献_69 #r]Z2Y]  
?Pp*BB,*y  
第4章光学分辨率增强技术 8e3eQ  
4.1离轴照明_74 la)^`STh  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 i;U*Y *f  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 AWYlhH4c?t  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 1^2Q`~,g  
4.2光学邻近效应校正_81 lgS7;  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 i>]PW|]  
4.2.2线端缩短补偿_84 * Ogf6  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ;>f\fhi'  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 0 p ?AL=  
4.3相移掩模_89 11YJ W-V  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 >X eXd{$  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 C}pm>(F~  
4.4光瞳滤波_100 * 4Ldh}S!  
4.5光源掩模协同优化_102 R y#C#0  
4.6多重曝光技术_106 iB"ji4[z  
4.7小结_109 Btm _S\1  
参考文献_110 k&%i+5X  
9Dgs A`{$  
第5章材料驱动的分辨率增强 ~/9RSdv7  
5.1分辨率极限的回顾_115 `=P_ed%&'  
5.2非线性双重曝光_119 op5 `#{  
5.2.1双光子吸收材料_119  \20} /&  
5.2.2光阈值材料_120 Zfcf?&><  
5.2.3可逆对比增强材料_121 1(dKb  
5.3双重和多重成形技术_124 !CcDA/0  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 MO0NNVVi%U  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 WV.hQX9P  
5.3.3自对准双重成形_126 %" 7UYLX  
5.3.4双色调显影_127 bTmhz  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 #` gu<xlW  
5.4定向自组装_129 L;u5  
5.5薄膜成像技术_133 W h9L!5  
5.6小结_135 ~{tO8 ]  
参考文献_135 ){w{#  
#jrlNg4(  
第6章极紫外光刻 v9-4yZU^WR  
6.1EUV光源_141 JJ ?'<)EF  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 $%MgIy  
6.3EUV掩模_146 1h?ve,$  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 o]Ne|PEpO  
6.5EUV光刻胶_156 |cY,@X,X6  
6.6EUV掩模缺陷_157 Se'SDJl=  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ?x&}ammid  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 x@Z{5w_a  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 )Bn }|6`  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 Q|h$D~  
6.8小结_167 #jg-q|nd  
参考文献_168 KFHZ3HZ:>  
=3QhGFd  
第7章投影成像以外的光刻技术 $V!.z%Vgf  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 IiqqdU]  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 V~j^   
7.1.2技术实现_179 [YULvWAJ  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 xm1di@  
7.2无掩模光刻_186 YR-G:-(#b  
7.2.1干涉光刻_186 C 8wGbU6`  
7.2.2激光直写光刻_189 d=qVIpZ  
7.3无衍射限制的光刻_194 |~ fI=1;;x  
7.3.1近场光刻_195 ZH;4e<gg  
7.3.2利用光学非线性_198 !>> A@3  
7.4三维光刻_203 FsJk"$}  
7.4.1灰度光刻_203 mI,lW|/l,  
7.4.2三维干涉光刻_205 e[u}Vf  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 v{t pRL0  
7.5浅谈无光刻印_209 2I_ yUt-  
7.6小结_210 <ytzGDx  
参考文献_211 ^rO"U[To  
X/2GTU7?  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 5["3[h  
8.1实际投影系统中的波像差_220 2A~o)7JaZ  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 uq s   
8.1.2波前倾斜_226 4h|*r !  
8.1.3离焦像差_226 TU^ZvAO&  
8.1.4像散_228 7Qd$@  m  
8.1.5彗差_229 >dJuk6J&c&  
8.1.6球差_231 FqA4 O U  
8.1.7三叶像差_233 Ut\:jV=f  
8.1.8泽尼克像差小结_233 ub~ t}  
8.2杂散光_234 o}:x-Y  
8.2.1恒定杂散光模型_235 sk39[9  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236  FNH)wk  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 iZy>V$Aq  
8.3.1掩模偏振效应_240 8bdO-LJ9  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 Jk>vn+q8P^  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 5s3QN{h8  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 _-y1>{]H  
8.3.5偏振照明_248 2H.g!( Oza  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 Q&r. wV|  
8.5小结_250 V/2NIh  
参考文献_251 ,Kj>F2{  
JH]S'5X8K  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 6WZffB{-TK  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 __ 9FQ{Ra  
9.1.1时域有限差分法_257 Tph^o^  
9.1.2波导法_260 _J6 Xq\  
9.2掩模形貌效应_262 }Mt)57rU  
9.2.1掩模衍射分析_263 i8e*9;4@  
9.2.2斜入射效应_266 $+GDPYm'  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 rHw#<oV  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 ?V!5VHa  
9.2.5各种三维掩模模型_277 %P s.r{%{  
9.3晶圆形貌效应_279 n46!H0mJ  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 uOzoE_i  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 Qf^c}!I  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 rIFW1`N}i  
9.4小结_283 p2 1|  
参考文献_283 ,3_Sf?  
8]`#ax 5  
第10章先进光刻中的随机效应 vq(#Ih2  
10.1随机变量和过程_288 a_P|KRl  
10.2现象_291 T}^3Re`i  
10.3建模方法_294 &j1-Ouy  
10.4依存性及其影响_297 * rlV E  
10.5小结_299 v%T'!(0j/  
参考文献_299 :<zIWje  
专业词汇中英文对照表 2)\->$Q(H  
nX3?7"v  
关键词: 光刻
分享到:

最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 ULz<P  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:广告合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1