《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:4507
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 { qjUI  
Cy]"  
3Nc'3NPQ'  
58 kv#;j  
 I.UjST  
第1章光刻工艺概述 EkDws `@  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 ,#=eu85 '  
1.2光刻技术的发展史_3 $tEdBnf^ca  
1.3投影光刻机的空间成像_5 kja4!_d  
1.4光刻胶工艺_10 u4@, *tT  
1.5光刻工艺特性_12 u6]gQP">I  
1.6小结_18 N!]PIWnC  
参考文献_18 -?[O"D"c  
/@6E3lh S  
第2章投影光刻的成像原理 <1TlW ~q<  
2.1投影光刻机_20 p!C_:Z5i  
2.2成像理论_21 e og\pMv  
2.2.1傅里叶光学描述_21 =CWc`  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 'W}~)+zK  
2.2.3其他成像仿真方法_30 pHigxeV2  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 N|bPhssFw  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 X >3iYDe  
2.3.2影响_36 N`J:^,H  
2.4小结_39 7k.d|<mRv  
参考文献_39  F|DR  
fLLnf].O  
第3章光刻胶 xV"6d{+  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 }_Tt1iai*  
3.1.1光刻胶的分类_42 h<+PP]l=  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 5`(((_Um+  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 @?'t@P:4  
3.1.4现象学模型_48 vd2uD2%con  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 LZgwIMd  
3.2.1技术方面_50 #(m `2Z`H  
3.2.2曝光_51 0*/mc96  
3.2.3曝光后烘焙_54 C3&17O6  
3.2.4化学显影_58 0f_66`  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 w:~nw;.T  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 SH .9!lQv  
3.5小结_68  JsZAP  
参考文献_69 >lUBt5gU  
=x|##7  
第4章光学分辨率增强技术 ?j &V:kF  
4.1离轴照明_74 @m*&c*r  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 nF|#@O`1  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 sURUQ  H  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 QCZ,K" y  
4.2光学邻近效应校正_81 MzBfHt'Rk  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 Y\ #.EVz  
4.2.2线端缩短补偿_84 2hjre3"?  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 hY\Eh.  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 o[5=S,'  
4.3相移掩模_89 $O;N/N:m  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 0X ] ekq  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 V+4k!  
4.4光瞳滤波_100 Xq=!"E  
4.5光源掩模协同优化_102 F{a0X0ru~  
4.6多重曝光技术_106 U89]?^|bb  
4.7小结_109 $Uv<LVd(  
参考文献_110 Pn'QOVy  
u|_I Twk  
第5章材料驱动的分辨率增强 B|Rpm^ |  
5.1分辨率极限的回顾_115  [%gK^Zt  
5.2非线性双重曝光_119 g]EQ2g_N1  
5.2.1双光子吸收材料_119 N}.Q%&6:  
5.2.2光阈值材料_120 T U"K#V&u  
5.2.3可逆对比增强材料_121 Thht_3_C,f  
5.3双重和多重成形技术_124 bc0)'a\  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 mh!N^[=n  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 eR#gG^o8  
5.3.3自对准双重成形_126 'O\d<F.c$2  
5.3.4双色调显影_127 #z-iL!?  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 e')&ODQ H  
5.4定向自组装_129 j. ks UJ  
5.5薄膜成像技术_133 (Fbm9(q$d  
5.6小结_135 D7gX,e  
参考文献_135 :F KYYH\  
 1pYmtr  
第6章极紫外光刻 L.I}-n  
6.1EUV光源_141 <{-(\>f!9  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 b]tA2~e  
6.3EUV掩模_146 q N[\J7Pz9  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 q>(I*=7  
6.5EUV光刻胶_156 84hi, S5P  
6.6EUV掩模缺陷_157 V,|Bzcz  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 `a/PIc"  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162  "df13U"  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 HwV gT"  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 :?&WKW  
6.8小结_167 7(+OsE  
参考文献_168 a@S4IoBg%  
$Z(g=nS>  
第7章投影成像以外的光刻技术 &bS"N)je  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 BRSgB-Rr7  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 b. %B;qB  
7.1.2技术实现_179 vP87{J*DE1  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 k_En_\c?p2  
7.2无掩模光刻_186 VFO&)E/-  
7.2.1干涉光刻_186 Z)6nu)  
7.2.2激光直写光刻_189 vxzf[  
7.3无衍射限制的光刻_194 ]`/R("l[  
7.3.1近场光刻_195 sBuq  
7.3.2利用光学非线性_198 %x'bo>h@  
7.4三维光刻_203 nY"rqILX?  
7.4.1灰度光刻_203 &[W3e3Asra  
7.4.2三维干涉光刻_205 P98X[0&  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 D<D k1  
7.5浅谈无光刻印_209 JQbMw>Y  
7.6小结_210 0,L$x*Nj5  
参考文献_211 v,!Y=8~9  
q_T?G e  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 wCC~tuTpr  
8.1实际投影系统中的波像差_220 iuU3*yyn  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 QE{;M  
8.1.2波前倾斜_226 _?(hWC"0  
8.1.3离焦像差_226 \$~oH3m&  
8.1.4像散_228 S\{^LVXTMd  
8.1.5彗差_229 S'%cf7Z  
8.1.6球差_231 eB/hyC1  
8.1.7三叶像差_233 (&Tb,H)=  
8.1.8泽尼克像差小结_233 HA3SQ  
8.2杂散光_234 ad3z]dUZ9  
8.2.1恒定杂散光模型_235 .' N O~  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 l~Wk07r3  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 + k(3+b$S-  
8.3.1掩模偏振效应_240 n%MYX'0  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 3Ld ;zW  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 I$6 f.W  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 |>/&EElD  
8.3.5偏振照明_248 \Q?|gfJH  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 X-ki%jp3  
8.5小结_250 +'&_V011<  
参考文献_251 +O!M>  
fFTvf0j  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 sh)) [V"8  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 @#ho(_U8  
9.1.1时域有限差分法_257 zhvk%Y:  
9.1.2波导法_260 e=F( Zf+1^  
9.2掩模形貌效应_262 J:-TINeB  
9.2.1掩模衍射分析_263 Q3'B$,3O^  
9.2.2斜入射效应_266 _]~ht H  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 { d2f)ra.  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 b\|p  
9.2.5各种三维掩模模型_277 WJh;p: q[  
9.3晶圆形貌效应_279 <sWcS; x  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 6<Pg>Bg  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 %_@5_S  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 xMfv&q=k@  
9.4小结_283 I.\f0I'.  
参考文献_283 I}W-5%  
`Py= ?[cD  
第10章先进光刻中的随机效应 ^q N1~v=hS  
10.1随机变量和过程_288 7Ae,|k  
10.2现象_291 ) }it,<  
10.3建模方法_294 I#hg(7|",  
10.4依存性及其影响_297 (h>X:!  
10.5小结_299 @Jn:!8U0  
参考文献_299 !9<RWNKV)Y  
专业词汇中英文对照表 <iprPk  
UG?C=Tf  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 2:5gMt  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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