《光学光刻和极紫外光刻》

发布:cyqdesign 2023-04-12 19:25 阅读:5083
光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 TWEqv<c  
1I_q3{  
&X,)+ b=  
zEfD{I  
H> iZVE  
第1章光刻工艺概述 D  .R  
1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 QvN <uxm  
1.2光刻技术的发展史_3 p|V1Gh<  
1.3投影光刻机的空间成像_5 *+4iBpyiB  
1.4光刻胶工艺_10 F|`B2Gr  
1.5光刻工艺特性_12 \Pmk`^T  
1.6小结_18 ^X%4@,AE  
参考文献_18 'a?.X _t  
(1j$*?iGA  
第2章投影光刻的成像原理 O>5u5n  
2.1投影光刻机_20 P.Z<b:V!  
2.2成像理论_21 4(GgaQFO?  
2.2.1傅里叶光学描述_21 Q8cPKDB  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 an[~%vxw}  
2.2.3其他成像仿真方法_30 72vGfT2HtZ  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 1|w:xG^  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 'OW"*b  
2.3.2影响_36 %P,^}h7  
2.4小结_39 $!!=fFX*y  
参考文献_39 :vyf-K 74M  
Sc 3M#qm_  
第3章光刻胶 .hNw1~Fj  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 B2qq C-hw?  
3.1.1光刻胶的分类_42 6x,=SW@4  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 W(lKR_pF  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 D K_v{R  
3.1.4现象学模型_48 x0$:"68PW  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 i=H>D  
3.2.1技术方面_50 Le:mMd= G  
3.2.2曝光_51 7h&`BS  
3.2.3曝光后烘焙_54 '=G Ce%A  
3.2.4化学显影_58 gJ8 c]2c  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 LNxE-Dp  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 :fKz^@mY4  
3.5小结_68 h]DE Cd{  
参考文献_69 #]a51Vss  
B%:9P  
第4章光学分辨率增强技术 aC Lg~g4  
4.1离轴照明_74 jTUf4&b-  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 "M0l;  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 #L= eK8^e  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 KM(9& 1/  
4.2光学邻近效应校正_81 9.OwH(Ax7  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 z/&a\`DsU  
4.2.2线端缩短补偿_84 "mK i$FV  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 R{KIkv  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 nC.2./OwMf  
4.3相移掩模_89 +y4AUU:Q  
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 ! }?jCpp  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 {r2|fgi  
4.4光瞳滤波_100 JrWBcp:Y  
4.5光源掩模协同优化_102 c ^bk:=uj  
4.6多重曝光技术_106 5~%,u2  
4.7小结_109 {AL9o2  
参考文献_110 XL/o y'_  
=<zSF\Zr_  
第5章材料驱动的分辨率增强 h 4.=sbzZ  
5.1分辨率极限的回顾_115 U;Ll.BFP  
5.2非线性双重曝光_119 D<3V#Opw  
5.2.1双光子吸收材料_119 chMc(.cN0  
5.2.2光阈值材料_120 ^N2M/B|0  
5.2.3可逆对比增强材料_121 Z*9]:dG:!  
5.3双重和多重成形技术_124 9C)3 b3  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 d J%Rk#?;A  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 &<|-> *v  
5.3.3自对准双重成形_126 5 -WRv;  
5.3.4双色调显影_127 i$^B-  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 =_m9so  
5.4定向自组装_129 |~b R.IA  
5.5薄膜成像技术_133 =6:L+ V  
5.6小结_135 } B9~X  
参考文献_135 "(\) &G  
Sa1z,EP  
第6章极紫外光刻 9+8!xwR:  
6.1EUV光源_141 ^*x Hy`  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 y-\A@jJC5  
6.3EUV掩模_146 %V(N U_o  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 u|OzW}xb7j  
6.5EUV光刻胶_156 z(` }:t  
6.6EUV掩模缺陷_157 D_n}p8blT  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 0+<eRR9 -  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 b~r{J5x@  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 p;u 1{  
6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 xBRh !w  
6.8小结_167 'LbeL1ca  
参考文献_168 A6NxM8ybn+  
Gkv~e?Kc~^  
第7章投影成像以外的光刻技术 pPyvR;NJ  
7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 4d e]?#=  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 hP1 l v7P  
7.1.2技术实现_179 oO#xx)b  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 :K^gu%,&$  
7.2无掩模光刻_186 %nmY:}um  
7.2.1干涉光刻_186 JpxbB)/  
7.2.2激光直写光刻_189 5`E`Kb+@  
7.3无衍射限制的光刻_194 h^A3 0f_x  
7.3.1近场光刻_195 a%T -Z.rd  
7.3.2利用光学非线性_198 x9)aBB  
7.4三维光刻_203 ran^te^Ks(  
7.4.1灰度光刻_203 J}(6>iuQY?  
7.4.2三维干涉光刻_205 GjeUUmr  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 .5Knbc  
7.5浅谈无光刻印_209 7Y32p'  
7.6小结_210 }{5mH:  
参考文献_211 f{igW?Ho  
OpK. Lsd0y  
第8章光刻投影系统: 高级技术内容 %-# q O  
8.1实际投影系统中的波像差_220 ZMoJ#p(  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 eB= v~I3  
8.1.2波前倾斜_226 V\6(d  
8.1.3离焦像差_226 /Fe:h >6  
8.1.4像散_228 ,jRcl!n`  
8.1.5彗差_229 H\fcY p6  
8.1.6球差_231 LZM,QQ  
8.1.7三叶像差_233 )d +hZ'  
8.1.8泽尼克像差小结_233 pd4cg?K  
8.2杂散光_234 &:c:9w  
8.2.1恒定杂散光模型_235 wqlcLIJPR  
8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 d /B'[Ur  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ?C &x/2lt  
8.3.1掩模偏振效应_240 3ar=1_Ar  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 S~0JoCeo  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 Gz>Lqd  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 gEv->pc  
8.3.5偏振照明_248  c6Lif)4  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 )?w&oIj5  
8.5小结_250 &:V@2_6"  
参考文献_251 \Z)#lF|^  
T&r +G!2  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 &P 8!]:  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 ~->Hlxze'K  
9.1.1时域有限差分法_257 PSTu/^  
9.1.2波导法_260 d/XlV]#2x\  
9.2掩模形貌效应_262 yjEI/9_  
9.2.1掩模衍射分析_263 fokwW}>B[f  
9.2.2斜入射效应_266 #B @X  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 +w"_$Tj@;  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 j2|XD Of  
9.2.5各种三维掩模模型_277 c 9rVgLqn!  
9.3晶圆形貌效应_279 -uWKY6 :5  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 cYGRy,'gH  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 I4)Nb WQ  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 fNkuX-om  
9.4小结_283 XQ]`&w(  
参考文献_283 >']+OrQH  
BlXX:aZv  
第10章先进光刻中的随机效应 a{h%DpG  
10.1随机变量和过程_288 u(W^Nou/+  
10.2现象_291 KNy`Lj)VPY  
10.3建模方法_294 ~&1KrUu&  
10.4依存性及其影响_297 ,I]7g4~  
10.5小结_299 hwiKOP  
参考文献_299 I(pb-oY3!I  
专业词汇中英文对照表 L 5+J ^  
UL+E,=  
关键词: 光刻
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最新评论

谭健 2023-05-21 15:58
好书籍,不错的分享 h1# S+k  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享,nice
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