1.模拟任务 A8?uCkG
Vf67gux 本教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。 q;dg,Om 设计包括两个步骤: |fx*F}1 - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。 OC$Y8Ofr - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。 yw|O,V<4N 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。 < sJ a&6e~E$K2 n+Ia@$|m 照明光束参数 >a@c5
LV4]YC
eIzT(3(
波长:632.8nm `u%`Nj
激光光束直径(1/e2):700um SH"e x,= STDT]3. 理想输出场参数 B 4pJg
(x{6N^J.t
~kdxJP"
直径:1° \/3Xb
分辨率:≤0.03° >tf y\P Y:
效率:>70% X>Cl{.
杂散光:<20% N`FgjnQ`
I`?6>Z+%) |IbCN 2.设计相位函数 K&zp2V /8\gT(@ UenB4
(Kl96G<Wej
相位的设计请参考会话编辑器 S&y (A0M
Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。 >[]@Df,p
设计没有离散相位级的phase-only传输。 m{(G%n>E&
-nbo[K 3.计算GRIN扩散器 {5tb.{ GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。 Ax*=kZmH| 最大折射率调制为△n=+0.05。 a?4'',~ 最大层厚度如下: j[zo~Y4z d4Y8q1 4.计算折射率调制 Mqu>#lL =2[5g!qX 从IFTA优化文档中显示优化的传输 1wX0x.4d $Hr
qX?&r 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。 K3QE>@'] H1`}3}" ? Xb8B5 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。 'l+).}, >
YHwWf- ys+ AY^/
乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。 O?<R.W<QI
)/BI:) =Ri'Prx& 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。 !;";L5() YGRv` `( 4l0ON>W(
Bnju_)U5)
数据阵列可用于存储折射率调制。 L*TPLS[lh
选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。 f>LwsP
插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。 %A@Q %l6
ykY#Y}?^
5.X/Y采样介质 iNn]~L1 ?}y{tav=
>'>onAIL GRIN扩散器层将由双界面元件模拟。 ?&Zfb 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。 RrM C[2=
元件厚度对应于层厚度12.656μm。 }!tJ3G 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。 >j [> 0D `~zY!sK m&EJ@,H
"I"(yiKD
基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。 JI{|8)S
折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。 ?T+Uu
应该选择像素化折射率调制。 E^uWlUb{
Ood8Qty(
F$l]#G.@A
优化的GRIN介质是周期性结构。 >heFdKq1
只优化和指定一个单周期。 %kM|Hk3d
介质必须切换到周期模式。周期是 N1dp%b9W(
1.20764μm×1.20764μm。 C_>dJYM cR0+`& 6.通过GRIN介质传播 xHs8']*\ ^a=,,6T u`Ew^-">
{VWX?Mm
通过折射率调制层传播的传播模型: qPJU}(9#B
- 薄元近似 P<AN`un
- 分步光束传播方法。 {-28%
对于这个案例,薄元近似足够准确。 1BQB8i-,
在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。 J|k~e,C
场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。 *],]E;
Dps0$fc 7.模拟结果 !<psK[ 0~qnwe[g} 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
Vz$X0C=W;H
8.结论 Hu"?wZj
-]1F]d VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射光学元件和全息图。 ?eUhHKS5 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。 Pb05>J3N 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。 JJL#Y