1.模拟任务 (G#)[0<fX
HY5g>wv@ 本教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。 [NeOd77y 设计包括两个步骤: ~;UK/OZ - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。 9S=9m[#y' - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。 s,K @t_J 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。 0J@)?,V-. yHr/i) c U
g]6i+rp 照明光束参数 W>wE8? _,
~S"G~a(&j
Fd5{ pM3
波长:632.8nm UgSSZ05Lq
激光光束直径(1/e2):700um g@MTKqs
ReZ|q5* 理想输出场参数 #96E^%:zL
E^A9u
|x
ThJLaNS
直径:1° .[= 0(NO
分辨率:≤0.03° GG(rp]rgl
效率:>70% tz1iabZ{
杂散光:<20% 'V 1QuSd
6D{|! i|r4 NZ7a^xT_) 2.设计相位函数 j\@s pbE@ Kk9 JZ[nT' {s=QwZdR
f
IQ$a>
相位的设计请参考会话编辑器 CWCE}WU>4
Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。 JY9Hqf
设计没有离散相位级的phase-only传输。 Wj.)wr!
i @+Cr7K, 3.计算GRIN扩散器 <gf:QX! GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。 FEU$D\1y 最大折射率调制为△n=+0.05。 <X|"5/h 最大层厚度如下: RX?Nv4- f+fF5Z\ 4.计算折射率调制 >,uof ? d/Zt}{ 从IFTA优化文档中显示优化的传输 &vdGKYs 6 I0m/ 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。 1tQZyHc42; V)!Oss;i 5 xTm] 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。 &>L\unS !*C^gIQGU (;~[}"
乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。 |],{kUIXO
N7+K$)3 oo-^BG 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。 [#3:CDT rZ: WDE_"Mm
cCyg&% zsT
数据阵列可用于存储折射率调制。 +vDT^|2SF
选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。 #\%GrtM
插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。 &[R&@l Y
1PLKcU
5.X/Y采样介质 <`-"K+e!J T_v
a^4(7 GRIN扩散器层将由双界面元件模拟。 @_N -> l 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。 ]y.,J 元件厚度对应于层厚度12.656μm。 C:EF(/>+- 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。 zrnc~I+
F3';oyy -aKk#fd
jDH)S{k
基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。 E<-}Jc1
折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。 PM%./
应该选择像素化折射率调制。 6<rc]T'|
*DDfdn
D!qtb6<.
优化的GRIN介质是周期性结构。 05|t
只优化和指定一个单周期。 '["Y;/>
介质必须切换到周期模式。周期是 5'+g'9
1.20764μm×1.20764μm。 oDKgW?x mc!3FJ 6.通过GRIN介质传播 i,;Q Cv;z^8PZJz ZPZ1
7-
"=4=Q\0PT
通过折射率调制层传播的传播模型: ^Ud`2 OW;2
- 薄元近似 G!0|ocE}
- 分步光束传播方法。 D=9x/ ) *G
对于这个案例,薄元近似足够准确。 ELY$ ]^T
在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。 P5] cEZ n
场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。 \f /<#'
~@itZ,d\ 7.模拟结果 ^B1vvb G=yQYsC$ 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
My)}oN7\z
8.结论 %\:.rs^
IO v4Zx<) VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射光学元件和全息图。 %[NefA( 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。 V :d/;~ 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。 Kq-y1h]7H