1.模拟任务 D0KELAcY
)=Y-f?o! 本教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。 1V\1]J/ 设计包括两个步骤: +ruj - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。 uAQg"j - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。 U#$:\fT 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。 ]Qc: Zy3 JQr36U $ JuLAqq 照明光束参数 fW[_+r]
>LCjtm\
8W{ g
波长:632.8nm }Uq/kei^P
激光光束直径(1/e2):700um
TiTYs " _mmR
M 理想输出场参数 8db6(Q~P
i'9eKO
o`25
直径:1° R,XD6' Q
分辨率:≤0.03° oX2r?.j#M
效率:>70% mxZ4
HD{
杂散光:<20% y.%i
Us*Vn OY$7`8M[ 2.设计相位函数 hg!x_Eq| PaA6Z": YqkA&qL]#;
^1()W,B~w
相位的设计请参考会话编辑器 /^NJ)9IB
Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。 m2wp m_vV#
设计没有离散相位级的phase-only传输。 La@\q[U{@
A<]&JbIt 3.计算GRIN扩散器 +~@7"
|d GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。 Y{`3`Pg&N 最大折射率调制为△n=+0.05。 I<IC-k"Y 最大层厚度如下: IwOfZuS "hJ7 Vv_ 4.计算折射率调制 $]xE$dzJ tvv[$b& 从IFTA优化文档中显示优化的传输 _3*: y/M_ @<0h"i
x 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。 ik8|9m4/ c,+iU R< 4,o
%e,z 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。 oA5<[&~< ;B,nzx(L r{bgTG
乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。 V}j%gy`
z&\Il#'\m+ <.y;&a o 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。 't||F1X~J AEi WL.*. vQ?MM&6
Cij$GYkv
数据阵列可用于存储折射率调制。 Zb12:?
选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。 };4pZceV
插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。 ]t8{)r
}(8D!XgWa
5.X/Y采样介质 ly9x1`?$ yd\5Z[iEp
f$~ _FX GRIN扩散器层将由双界面元件模拟。
zZS>+O 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
FF5tPHB 元件厚度对应于层厚度12.656μm。 UwvGr h 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。 <L[T'ZE+ ]Om'naD GLbc/qs
L{+&z7M
基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。 N`
@W%
折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。 3tJ=d'U
应该选择像素化折射率调制。 &<\4q
P2A]qX
d m/-}
优化的GRIN介质是周期性结构。 ]<&B
BQ
只优化和指定一个单周期。 PEOM1oY)w
介质必须切换到周期模式。周期是 [a#?}((
1.20764μm×1.20764μm。 u K+9gTv g] 7{5 6.通过GRIN介质传播 ~z-?rW ,n
/SDEL \}]=?}(
60Xl.
通过折射率调制层传播的传播模型: FF~on06!
- 薄元近似 y\r^\ S9%
- 分步光束传播方法。 B;Q`vKY
对于这个案例,薄元近似足够准确。 =!I8vQ>
在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。 "u3fs2
场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。 P>yG/:W;
/6i Tq^.% 7.模拟结果 I{*.htt{ W07-JHV% 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
yhw:xg_;Kz
8.结论 -$sl!%HO%
&V ^ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射光学元件和全息图。 ;L\!g%a 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。 !9ceCnwbNN 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。 S\yu%=h