第四代半导体特点和烧结银

发布:ufuture 2022-07-17 21:02 阅读:722
第四代半导体特点和烧结银 u xW~uEh  
随着2018年特斯拉采用碳化硅(SiC)、2020年小米在快充上使用氮化镓开始,第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市场认可迎来发展机遇。此后,第三代半导体在新能源车、消费电子等领域快速发展开来,并逐渐从热门场景向更多拓展场景探索。 6qRx0"qB  
在第三代半导体发展得如火如荼之际,氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材料也开始受到关注。其中,氧化镓( Ga2O3 )是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。 ?!9 )q.bW  
氧化镓( Ga2O3 ) 在耐压、电流、功率、损耗等维度都有其优势,此前被用于光电领域的应用,直到2012年开始,业内对它更大的期待是用于功率器件,全球80%的研究单位都在朝着该方向发展。 g}f`,r9  
一、第四代半导体特点:功耗更小成本更低 *FC=X)_&W  
功率半导体最看重的是击穿场强、导通电阻、迁移率、介电常数等参数,禁带宽度更宽的材料,天然具有更耐高温、耐辐射、耐高压、导通电阻低的特点。氧化镓的禁带宽度为4.9eV,而氮化镓为3.39eV,碳化硅为3.2eV,硅为1.1eV;在耐压能力上,氧化镓、氮化镓、碳化硅、硅的击穿场分别为8、3.3、2.5、0.3MV/cm;在评估材料特性的巴利加优值BFOM上,氧化镓、氮化镓、碳化硅、硅分别为3440、536、344、1,数值越大,导通特性就越好;不过在散热率上,氧化镓的热导率仅0.27w/cm·k,要低于氮化镓(2.1 w/cm·k)、碳化硅(2.7 w/cm·k)、硅(1.2 w/cm·k),现在工业界通过封装已经搞定散热,效果很好。 9S-Z& 2L  
二、第四代半导体烧结银特点:高可靠性高导热 .$Ik`[+Z  
推荐使用AS9385加压烧结银作为第四代半导体的封装材料,此系列产品具有可靠性高,导热系数高,热阻低等特点,是高功率器件封装的好帮手。 f47Od-\-  
AS9385和氧化镓、氮化铝、金刚石等材料有很好的兼容性和粘结效果。
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