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在本示例中,模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示: ]#~J[uk :kZ]Swi 5
N'1I6e" g |)>65v 掩模的基板被具有两个开口的吸收材料所覆盖。在其中一个开口的下方,位于相移区域。 Quth5 =lNW1J\SW 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式),在xy平面中有一个2D仿真域。在源文件中设置3DTo2D = yes标签,以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后,就可以描述传入区域,就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于光线从基板下方进入,光线的传输方向为+Z方向。 ];.5*a%* 3mgvWR 相位分布如下图所示: (lsG4&\0F
K^{j$
^!['\ 4S(G366 相移区域的影响清晰可见,导致开口上方光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差: ;NP-tA) <I,4Kc!
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