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在本示例中,模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示: {s0!hp ]sI\.a
i_:#][nWX P2F8[o!< 掩模的基板被具有两个开口的吸收材料所覆盖。在其中一个开口的下方,位于相移区域。 X!6$<8+1OV u%5 ,U- 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式),在xy平面中有一个2D仿真域。在源文件中设置3DTo2D = yes标签,以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后,就可以描述传入区域,就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于光线从基板下方进入,光线的传输方向为+Z方向。 LRR)T: e}q A{Qo}F<* 相位分布如下图所示: OQVo4yl" C@g/{?\
R[l~E![!j x *a_43` 相移区域的影响清晰可见,导致开口上方光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差: ^iWJqpLe }L
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%{jL+4veoL Dis kGq@T _zkTx7H QQ:2987619807 Z&n#*rQ7[
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