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在本示例中,模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示: V>~*]N^f +_vm\]4 t!+%g) @ ?h>(&HjWV 掩模的基板被具有两个开口的吸收材料所覆盖。在其中一个开口的下方,位于相移区域。 V}3~7( A5(kOtgiT 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式),在xy平面中有一个2D仿真域。在源文件中设置3DTo2D = yes标签,以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后,就可以描述传入区域,就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于光线从基板下方进入,光线的传输方向为+Z方向。 ?j},O=JFn ?STI8AdO
相位分布如下图所示: N^@%qUvT] *X"F: 7 uC <|T \oD=X}UQw( 相移区域的影响清晰可见,导致开口上方光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差: [U+<uZzOC ?w|\7T.? 72BzvY. h0ZW,2?l )^QG-IM QQ:2987619807 =}6Z{}(TT
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