漏电定位技术微光显微镜EMMI

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漏电定位技术微光显微镜EMMI ;*y|8od B  
对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 c]6V"Bo}A  
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图片:北软检测芯片失效分析EMMI.png

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侦测到亮点之情况 z)5S^{(  
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会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应；5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。 dSwm|kIa  
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点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。 Xc\*9XV:  
Yx6hA#7I  
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测试范围： V/J>GRjw  
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故障点定位、寻找近红外波段发光点 |Dg;(i?  
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测试内容： 9u?(^(.  
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1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 1xz\=HOT  
Ejq=*UOP  
2.饱和区晶体管的热电子 H6_xwuw:  
B]1HS`*7  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 Yrpxy.1=F5  
hL0]R,t;'  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题