FEI Scios 2 DualBeam应用介绍

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聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 P;&p[[7  
一、技术指标 6,1|y%(f  
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA； [!mjUsut*  
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式 GcW}<g}  
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) #7h fEAk  
4、大束流Sidewinder离子镜筒； ,v_r$kh^  
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； FOi`TZ8  
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。 zP}v2  
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-E`go  
二、配置情况
-d'|X`^nE  
1、GIS气体注入：Pt沉积 I>Q,]S1h  
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头 9G+rxyWMW  
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机 ~+yo;[1Yc  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 wtS*w  
W2qQKv  
三、适用样品 C/Bx_j((  
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析 T9-a uK0d  
0K0=Ob^(e  
四、检测内容 FSs$ ] d;  
1、IC芯片电路修改 1o78e2B  
2、Cross-Section 截面分析 z 5+]Z a~  
3、Probing Pad 4 GW[GT  
4、FIB微纳加工 I>Fh*2  
5、材料鉴定 \|`Pul$  
6、EDX成分分析 P%HyIODS  

图片:北软检测失效分析FIB.png

Lu.tRZ`$38  
五、设备简介 v:1Vli.  
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。 v=1S