微电子中英文对照词典（一）

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微电子中英文对照词典 =7("xz%  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 w*N9p8hb]  
~R W6;  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Xp3cYS*u  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Fx*IeIs(:~  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 b+}*@xhl  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V q}R"  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi
}oTac
 
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV $VJ=A<  
f P(r}<SM  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { 0g(hY:  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 WxLILh  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C fx4X!(w!B  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l mk~Lkwl  
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. >&9Iy"  
N        ir\Ql7R 8:A6Ew&\]O  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 2\!.w^7'^T  
*I.BD8e /SD2e@x{U  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N dkf?lmC+M  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 93y.u<,2;  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 FCmS3KIa,  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 t UW'E  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 UIv 2wA2  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA ',* 6vbII  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 7"y"%+*/  
Background doping 本底掺杂 ,G
,T&W  
Backward 反向 M+^+u 1QQ0  
Backward bias 反向偏置 4V *K\/5Fzl  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ r).S/  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Z)(C7,Xu  
1P+O3R[ x2T

Cw  
L*VGdZ
 
cj<j*(ZZ  
g TM':G9
n  
D058=}^HE  
S?=2GY  
u8s!u UeT"v?zP  
I _B|g)Rdv  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 fr\UX}o  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 66%kq[  
)Va6}-AT        d BiHBu8
<  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 15gI-Qb  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 FUm-Fp  
dA)tT @6_!b 4oOe  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M t9x.O  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 ~GS`@IU}  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m ZWVcCa3  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] TZ
ZqV8  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu JX/rAnc@  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 KFCzf_P!  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 GI7CZ  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns tL;;Yt  
B =J?<M?ugf  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 4(YKwY2_L  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O +2W#=G  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n e v?Hz8Q;(  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 WohK,<Or  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[  Jb {m  
g}[2v"S "mT~_BsD  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 M* QqiE  
3Y8Jy4U7L7L E<&VK*{zcO  
+|( eP_  
F+Lq  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 hlkf|H  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o .6OE8w 1  
n%{_x0012_\        l o*I-~k  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 [?Aq#av  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H Yq) wE|k/  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai (g~&$&pa  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Pd^ilRB  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Gz~P 0Z^w}  
n;[ 0
R*  
18ci-W#p  
NY1olnI  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 Te!q(;L`4  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 I#S6k%-'  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 D 7H$!(F>  
2}+F;R4y#S |yN7#O-D  
2lHJ&fck<  
N9:xtrJ]_J  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 T92k"fBY  
Y z_x0016_`%{        L aCFO]  
3=5+NJ'8  
qz(0iZ]Y  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 @oug^]a  
_x0012_O| > -Jd@7-  
; >.>vLF  
7PP76$  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ /o![%&-l  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 ]X4A)%i  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ Scs \nF2  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 eSywWSdf0  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 CQzJ_aSJ(  
dx\/l.b
hMeE@Q0  
g Kv!CL9^LX7  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 PS!f&IY}[.  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j z+NXD4  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's ~N_\V  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 $0sUh]7y  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J qeSxE`E"  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 d5+ (@HSR  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L =f{V<i~q  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 [D?RL`ZF  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB HDA!;&NRS  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 ~0t]`<y=  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig z)yxz:E  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV LYkW2h`JQ  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 x>;!`}x  
Compensated impurities 补偿杂质 70a7}C\/o  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w xhj A!\DS  
b  ]6W#P7  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 yo") G!BN  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) xv9SQ,n<  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w HpuHJ#l  
Complementary error function 余误差函数 /)MzF6  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z r2q
xi'  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 Mfuw y  
,N Bj;Fy9[yb  
P I/
_`/mQ  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ 2zh?]if  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm mz3!HksZ"  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 2YdMsu~  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散  o-_0  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ kf~ D m}bV  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 =Qp~@k=2  
g        F~ n%Xt9G /H^=`[Mr  
D'\ wz$1^ml  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 ~aNK)<Fznd  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 $j)Er.!9|R  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 o2@8w[r  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 mH}/QfUlq  
9b3BS"tz;|'qgc @w[WG:-+  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z IO/2iSbW  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r \@8$tQCZ  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 cx&jnF#$  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 KFkKr>S:  
N"{ %XMrSlSOp  
L8Z[Ly+_  
w6'o<=  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 -z-58FLlO  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ Ma0_!|i  
} l1X /RT3r  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 :\NqGS=<  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 7,d^?.~S  
5yU'{&X? @AvXBMq|  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge z%Op_Ddp  
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） TSt-#c4B  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn x;# OM  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z u 3wF)B{  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R Yc3r3Jy  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 403%~  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 FZ6.<wN  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 eOt T*  
d7g/s'ZHt6  
aBj~370g  
-IMm#  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 :CV!:sUm  
@6QFF%}$Y wc
iYv,  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y 2fT't"gw  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs 43W>4fsc  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w ?"$W=*P\o  
Delay 延迟 Density 密度 WIb\+!  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 OY*BVJ^  
\DI_x0012_x @]1E~  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ X4>c(1e  
b iNZ'qMH22  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ ;_R;P;<  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 KFor~A# D  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS .7ESPr  
-t!x_x0019_E z%Ywjfn'  
p iJ I1=YSi;A  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 hun LV8z  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 $g$~TuA w  
_x0012_B0SKT%E 4f~CG r  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 Jvw~b\  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 ?d-(M' v.  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 W@GcE;#-  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Y.sf^}  
v_J\yW'K  
6*Qn9
Q%p-  
X&0m$x  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y (k"|k  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N 0I* ^VGZ  
yY.F*j_x0007_x` A0#
K@  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 :!;BOCTYI  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 %4Ylq|d  
9Xmb_@7b}  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc L,of@>  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 d}3<nz,  
        p cpz}!D  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 ;XSRG*3j~4  
:R*j$KYX0L$Z m1a0uEA G  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 EMU~gwPR  
8^2J \/$T 3f`x  
3M8P%  
x-:vpv%6y  
|j1br,i9a t*5d'aE`/  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 b[$%Wg  
Displacement 位移 Dislocation 位错 Vj_(55WQ  
s<5q%5ix3  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju ?/9]"HFHN  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ `0uKJFg  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度
S,fMGKcq  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. 9Gfm?.O5  
$ZN@ ?t$sju(\  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT @=h%;"  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh .%+'Ts#ie  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 PvBx<i}A  
_x0019_h h']R
P  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 -20o%t  
T i} I7r{&X) D  
Dynamics 动态 PwQW5,,h0  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t kV!0cLH!hH  
Dynamic impedance 动态阻抗 + K20n355uE  
k P~L)x+ 3hab51J  

gF^l`1f"  
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。