微电子中英文对照词典（一）

#S*@RKSE|7  
微电子中英文对照词典 , :10  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 *Dz<Pi^  
bnm3 cR:h"  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 ZeL v!  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 hDP&~Mk  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 aDae0$lc.S  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V "I7 Sed7  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi
+Vf39}8  
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV RfZZqeU  
f cP]5Qz  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { jOE~?{8m  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 #nzVgV]  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C ;)SWUXa;{  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l dV:vM9+x  
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. K<3$>/|  
N        ir\Ql7R B <CK~ybY  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 ]Zj6W9]m  
*I.BD8e :'t+*{ff  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N /F3bZ3F  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 !Q0aKkMfL  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 _F"o0K!u  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 v4YY6?4  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 bM9:h  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA ~kkwPs2V  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 h|D
KD.  
Background doping 本底掺杂 4)IRm2
G  
Backward 反向 w|;kL{(W  
Backward bias 反向偏置 4V E2 5:eEXa  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ ?9?eA^X%  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 xIrRFK9[Q  
1P+O3R[ _BA2^C':c{  
Ep@NT+VnI  
jW?siQO^  
g 4ZRE3^y\"  
=,UuQJ,l  
5z$>M3  
u8s!u mp\`9j+{  
I Y?^1=9?6  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 ZgXn8O[a  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 }`SXUM_sD`  
)Va6}-AT        d @ZD/y%e  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 z@_9.n]  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 _;M46o%h  
dA)tT @6_!b AIx,c1G]K  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M 5T,In+~Kd  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 w(y#{!%+  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m e2onR~Cf  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] 0UHX Li47Y  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu <K#]1xCA  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 r%QnV0L^  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Tt0:rQ.  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns )bM #s">Y  
B 8olR#>  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 +>F #{b  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O (IrX
\Y  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n *@C4~Zo  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 rRfPq  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ G?y'<+Awt  
g}[2v"S zeXMi
:X  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 `F#<qZSR  
3Y8Jy4U7L7L >/kwy2  
w'Kc#2  
mNvK|bTUT  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 4sVr]p`  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o e' `xU  
n%{_x0012_\        l K-xmLEu  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 aWLeyXsAu  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H UacGq,  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai lO+<T[  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 {GaQV-t  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 S[TJ{L(  
n;[ +18)e;   
QSn%~o05  
9}4EW4  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 G]Jchg <  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 x bG'![OX  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 pvz*(u
 
2}+F;R4y#S .>(?c92  
'.@'^80iQ  
u%^Lu.l_c  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 J.`z;0]op  
Y z_x0016_`%{        L jU#/yM"Y  
O1o.^i$-M  
&wZ ggp  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 JJvf!]  
_x0012_O| OFJ T  
[_3Rhp:  
=jik33QV<  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ qM`XF32A$  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 n0X_m@  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ "EoC7 1  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 ~YIGOL"?  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 ZKGS?z  
dx\/l.b L`i#yXR  
g pai>6p  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 8F$b/Z  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j -%XvWZvZ  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's ~3{C&c  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 )e)@_0  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J {__Z\D2I  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 -R!qDA"  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L tQ7DdVdix  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 #5?Q{ORN o  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB jafq(t  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 &gkGH<oaX  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig wHW";3w2~  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV 4#5w^  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 mT.p-C  
Compensated impurities 补偿杂质 Fj9/@pe1  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w .+G),P)   
b k_9tz}Z  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 [aF?1KxNMt  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 8wz
4KG3SK  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w u7u8cVF  
Complementary error function 余误差函数 /EUv=89{!  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z #e.2m5T  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 H_'i.t 'SS  
,N H/_R!G8\  
P ]1 #&J(  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ 4C(vBKl  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm "(}xIsy  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 ZdE
eY|
j  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 e~r%8.Wm  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ d\`A ^  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 %S8e:kc6  
g        F~ n%Xt9G :GC<U|p  
D'\ <^,w,A  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 ,ZcW+!  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 SGW2'  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 oK h#th  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 09"C&X~  
9b3BS"tz;|'qgc R@``MC0  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z m",wjoZe*  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r nnmn@t(%r  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 DCb\=E  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 A~Eu_m  
N"{ @v9PI/c  
L0SeG:  
@<--5HbX  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 ^RG6h  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ sk!v!^\_r  
} l1X [~bfM6Jw  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 @.fuR#  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 BVxg=7%St  
5yU'{&X? SU"-%}~O#,  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge PIo/|1  
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） (y
E?)s  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn e#K =SV!H  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z ?eT
^gWX  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R cbl@V 1  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 `G\uTCpk  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 80cBLGG  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 X'Q$v~/  
@`aR*B  
^Sx0t  
4EzmH)4G  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 rX6"w31  
@6QFF%}$Y JwbC3t):@  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y ilQR@yp*  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs /hf}f=7kH  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w L,.Ae i9  
Delay 延迟 Density 密度 7]YLe+Ds  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 $b\`N2J-_  
\DI_x0012_x EvIL[\Dy  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ [AQ6ads
)  
b l2>G +t(,  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ e0"R7a  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 VO>A+vx3M  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS #EAP<h  
-t!x_x0019_E &TE=$a:d&  
p iJ STs~GOm-  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 "K`B'/08^  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 H r?G_L  
_x0012_B0SKT%E "aK3 ylz;  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 Ol:&cX3G  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 bCg {z b#  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 c|u{(E58  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Dna0M0   
3N(s)N_P M  
O5{!CT$  
l]inG^s  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y l
DO9GNz$  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N !7@IWz(,"  
yY.F*j_x0007_x` [wP;g'F  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 ji<b#YO4  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 d7qY(!&  
I\PhgFt@O  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc V(1Ldl'a  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 vGO-a2Z  
        p szMh}q"u  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 E~_2Jf\U  
:R*j$KYX0L$Z {<iIL3\mC  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 {S(?E_id5b  
8^2J s;X"E=  
:\L{S  
_Xd,aLoo  
|j1br,i9a jI(~\`  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 *qYcb} ]  
Displacement 位移 Dislocation 位错 ibex:W^  
iU{bPyz,  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju s/UIo^m  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ /8@JWK^I{  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 FOgF'!K  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. h<\o[n7j  
$ZN@ 4%~$A`7  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT dG}fpQ3&  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh 16)@<7b]J  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 -}@3,G  
_x0019_h 048BQ  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 GrjL9+|x  
T i} \ }>1$kH;  
Dynamics 动态 &K2[>5 mG  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t o!^':mll  
Dynamic impedance 动态阻抗 + k1i*1Tc  
k P~L)x+ Bu">)AnN  
NmYSk6kWJ  
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。