芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 FMr$cKvE]W  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 U}Fk%Jj  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 G ~\$Oq8  
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对于银浆烧结： ;9sVWJJCw  
1，银浆问题 HJrg  
2，杂质问题 5X-{|r3q  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 
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4，银浆与基材结合力差引起的问题。 .}>[Kr  
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对于合金粘结： @"2-tn@q_  
1，金-铅系统 t!N>0]:mo  
2，锡-铅系统 1'B?f# s  
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引线键合的失效机理： 50`r}
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引线键合的主要方法： Ms3/P|{"p  
   热压焊，超声焊，面键合。 a]ey..m  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） k/Q]Ke  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 /UAj]U  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 f& *E;l0  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 AkC\CdmA  
外引线的失效。 ~!u94_:  

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开短路的可能原因： ?yh.*,dgi  
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封装工艺方面 _JoA=<O!  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 p]HtJt|]  
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芯片表面水汽吸附。 `R;XN
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钝化层不良。 m0YDO0  
芯片氧化层不良。 ~Q\[b%>J  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 GM~jR-FZ  
电迁移。 Pr'py  
KDk^)zv%!  
铝硅共溶。 wDzS<mm  
金属间化合物。 0KEl+  
芯片焊接疲劳。 WX9BS$}0  
热不匹配。 *}=W wG  
外来异物。 yR-.OF,c  
氧化层台阶处金属膜断路。