芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 &HYs^|ydrr  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ^n8r mh_%  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 |k=L&vs  
|T^c(RpOE  
对于银浆烧结： ee{8C~  
1，银浆问题 ;c;PNihg  
2，杂质问题 U#1,]a\  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 f iu?mb=*  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 Mwd(?o  
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对于合金粘结： pm}!?TL  
1，金-铅系统 Oj^qh+r  
2，锡-铅系统 VJ$UpqVm  
i-_ * 5%A  
引线键合的失效机理： XhxCOpO  
RE}$(T=  
引线键合的主要方法： 'hl4cHk14  
   热压焊，超声焊，面键合。 WZJ}HHePr  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） <X1^w  
#jNN?,ZK  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 #iAEcC0k5  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 V+2C!)f(  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 5rx;?yvn  
外引线的失效。 BV01&.<|  
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开短路的可能原因： Zjx:1c= b  
7;;HP`vY  
封装工艺方面 #DFfySH)A  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 ~kW[d1'c  
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芯片表面水汽吸附。 #0;ULZ99aH  
钝化层不良。 ET 2@dY~  
芯片氧化层不良。 {*J{1)2  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 0O:')R&  
电迁移。 _M;M-hk/  
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铝硅共溶。 }{.0mu9  
金属间化合物。 :AM5EO  
芯片焊接疲劳。 =1'vXPv`  
热不匹配。 <|MF\D'  
外来异物。 >MeM  
氧化层台阶处金属膜断路。