芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 ?TvQ"Y}k  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ,sO:$  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。
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对于银浆烧结： <U@P=G<t  
1，银浆问题 >;&Gz-lm  
2，杂质问题 bjPka{PBj  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 ,\BVV,  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 7%{R#$F  
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对于合金粘结： +68+PhHF  
1，金-铅系统 W3^
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2，锡-铅系统 p]wP36<S!  
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引线键合的失效机理： @@'nit  
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引线键合的主要方法： oS~}TR:}  
   热压焊，超声焊，面键合。 ao)Ck3]  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） 'Pf_5q  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 xKY$L*  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 wb]*u7G t/  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 Y.q>EUSH  
外引线的失效。 o:_^gJ+|  
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开短路的可能原因： .2e1S{9  
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封装工艺方面 %PzQ\c  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 k]Zo-xh4  
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芯片表面水汽吸附。 zu52p4  
钝化层不良。 >[a FOA  
芯片氧化层不良。 Q4X7Iu:  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 4_tR9w"  
电迁移。 Ka
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铝硅共溶。 _WKJ<dB<  
金属间化合物。 "ml?7Xl,n  
芯片焊接疲劳。 ^"1TPd|  
热不匹配。 5|{)Z]M%9  
外来异物。 O:1DOUYXs  
氧化层台阶处金属膜断路。