芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 4acP*LkkQ  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ]|((b/L3  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 I;Z`!u:+  
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对于银浆烧结： 8zWBXV  
1，银浆问题 OxmlzQ"vM  
2，杂质问题 %(dV|,|v  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 (TbB?X}  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 /`j K  
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对于合金粘结： "I}'C^gP  
1，金-铅系统 L8?Z!0D/h  
2，锡-铅系统 u #=kb5}{  
~'Qpf 8)  
引线键合的失效机理： kERaY9L\  
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引线键合的主要方法： "$,}|T?Y`  
   热压焊，超声焊，面键合。 !7,K9/"  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） [6/%V>EM  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 LfjS[  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 WW8L~4Zy  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 @$b+~X)7  
外引线的失效。 mn6p s6OB  
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开短路的可能原因： <'4!G"_EP  
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封装工艺方面 v&CO#vK5.  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 3MBz  
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芯片表面水汽吸附。 pRk'GR]`  
钝化层不良。 iK6<^,]'  
芯片氧化层不良。 OL mBh3&  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 .>gU 9A(Nk  
电迁移。 f
B @pwmu  
b$`4Nn|  
铝硅共溶。 45O6TqepN  
金属间化合物。 ?GMeA}j  
芯片焊接疲劳。 qdkTg:QJ,  
热不匹配。 R2H\;N  
外来异物。 B"E(Y M  
氧化层台阶处金属膜断路。