芯片焊接的失效机理

发布:探针台 2020-01-17 11:25 阅读:2369
目的:芯片与管座牢固粘结 `bcCj~j  
要求:芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 4nGr?%>  
方式:银浆烧结,合金(共晶)粘结,导电胶烧结,环氧树脂粘结,高温聚酰亚胺粘结。 77~l~EX  
<O9.GHV1v  
对于银浆烧结: F/0x` l  
1,银浆问题 & 6~AY :0r  
2,杂质问题 4zx_L8#Z  
3,硅的氧化及镀镍,镀银的不良。 YveNsn  
4,银浆与基材结合力差引起的问题。 9Q:}VpT~nG  
.$s=E8fW  
对于合金粘结: tk'3Q1L  
1,金-铅系统 uU#e54^  
2,锡-铅系统 ~+Ows  
{iq)[)n  
引线键合的失效机理: %y R~dt'  
zq4)Uab*  
引线键合的主要方法: fg~9{1B  
   热压焊,超声焊,面键合。 )*_n/^m  
引线:铝-铝超声焊,金-铝热压焊(包括楔形和球焊) (Q ~<>  
e% .|PZ)  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 i-31Cxb  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 Z*lZl8(`  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 6%2\bI.#  
外引线的失效。 s&Ml1 A:  
P>;uS  
开短路的可能原因: 5.FAuzz  
L Olj8T8Z  
封装工艺方面 =YeI,KbA)  
  表现为断丝,塌丝,碰丝,内引脚相碰,点脱,球脱,球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 6;hZHe'W  
a$h zG-  
芯片表面水汽吸附。 R9O[`~BA2  
钝化层不良。 s+E-M=d0e  
芯片氧化层不良。 0vi\o`**Mj  
内应力使芯片产生芯裂,金属化层断裂,或金丝脱落。 L+ d4&x  
电迁移。 WU<C7   
.GNl31f0  
铝硅共溶。 Gt5'-Hyo  
金属间化合物。 /d]{ #,k  
芯片焊接疲劳。 N.qS;%*o{e  
热不匹配。 D}7G|gX1  
外来异物。 5sK1rDN  
氧化层台阶处金属膜断路。
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