芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 am,UUJ+h>  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ]la8MaZ<  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 %^){Z,}M}  
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对于银浆烧结： -JOtvJIQI  
1，银浆问题 -oc@$*t  
2，杂质问题 =4`#OQ&g  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 |uo<<-\jTO  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 x+Vp&  
d`]|i:*q  
对于合金粘结： iXt1{VP'K  
1，金-铅系统 #T<<{ RA  
2，锡-铅系统 ERcj$ [:T(  
ph\KTLU  
引线键合的失效机理： :SFcnYv0  
k(l  
引线键合的主要方法： 2{^k*Cfd  
   热压焊，超声焊，面键合。 Wr+?ul*_  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊）
I3Gz,y+  
Pd-0u>k  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 nXHU|5.I  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 1haH2F^q3  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 H]e%8w))0  
外引线的失效。 ;xF5P'T?|  
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开短路的可能原因： !DsKa6Zj  
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封装工艺方面 5Y
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  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 Fw,'a  
i'Vrx(y3  
芯片表面水汽吸附。 g+>$_s  
钝化层不良。 3^p<Wx  
芯片氧化层不良。 dH4wyd`  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 CZ2&9Vb9I  
电迁移。 Hkq""'Mx+w  
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铝硅共溶。 AITV+=sN  
金属间化合物。 CBaU$`5  
芯片焊接疲劳。 ?VC[%sjwn  
热不匹配。 >y&Db  
外来异物。 Vgy}0pCl  
氧化层台阶处金属膜断路。