集成电路发展历史

集成电路发展历史 k~0#'I
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　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； `fQM  
　1950年：结型晶体管诞生； R&6n?g6@/V  
　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； Ms.PO{wb  
　1951年：场效应晶体管发明； wrH7 pd  
　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； vP3K7En  
　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； =E;=+eqt  
　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； a`7%A H)  
　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； ~?FK ; (  
　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； ;EK(b  
　1964年：Intel的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； yB-.sGu  
    1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； yJnPD/i  
　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； _ymJ~MK  
　1985年：80386微处理器问世，20MHz； _FL<egK  
　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入甚大规模集成电路（ULSI）阶段； sS C?io  
　1989年：1Mb DRAM进入市场； 98BYtxa
 
　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； ^4+r*YvcM  
　1992年：64M位随机存储器问世； y7CWBTH0>  
　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺； 8ou e-:/a  
　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺； HDyQzCG,  
　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； OZ
G0AX+=#  
　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺； e&d3SQ%  
    1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）； Kn']n91m  
　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司； pp(H PKs=}  
　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； 2*+3RrJ  
　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明； '4$lL6ly>  
　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； Gu2_dT  
　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 7nm}fT z7  
　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； doLkrEm&
 
　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC； >Cvjs  
    2000年: 1Gb RAM投放市场； d{W}p~UbH  
　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺； ;U |NmC+  
　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。 rxQ<4  
   2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 L*P_vCC  
   2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 W3^.5I  
   2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 Ru:n~77{  
   2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺， qc3~cH.@  
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    并且下一代22纳米工艺正在研发。 S0F@#mSQ?  
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