晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2388
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 ~9vK 6;0  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 CM++:Y vJ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: ' VCuMCV  
1、顶层设计 Fb8d= Zc  
2、仿真 ~n%Lo3RiP  
3、热设计及功耗 X#JUorGp  
4、资源利用、速率与工艺 $,U/,XA {E  
5、覆盖率要求 \R]2YY`EP  
6、 7(h@5  
四、具体到测试有哪些需要关注: F;}JSb"  
1、可测试性设计 ~&qvS  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 "0#(<zb|  
3、可靠性测试 ,(K-;Id4  
4、故障与测试关系 <,n:w[+!`P  
5、 #G F.M,O/h  
&?H$-r1/?V  
测试有效性保证; jaKW[@<  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? @P75f5p}<  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 6Q]c}  
yF.Gz`yi  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 zb!1o0, J  
晶圆的工艺参数监测dice, ([>__c/Nd  
芯片失效分析13488683602 };9s8VZE  
ln=fq:  
2(l0Lq*  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 E7? n'!=  
B; e<.M)e  
js <Up/1  
`pZX!6Wn  
qAH^BrJ  
故障种类: W&|?8%"l]  
缺陷种类: MQN~I^v3  
针对性测试: !o_eK\p  
Komdz/g  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test GuU-< *u(d  
6?<lS.s  
iz`>'wpC  
Jk&!(YK&  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; ny1O- `!1  
仿真与误差, 2672oFD  
预研阶段 XL.f `N.O  
顶层设计阶段 W7 Iy_>  
模块设计阶段 xp95KxHHo  
模块实现阶段 .qZz 'Eq[  
系统仿真阶段 8&"Jlz |  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 = wDXlAQ  
后端版面设计 qwj7CIc(  
测试矢量准备 nf"#F@dk  
后端仿真 Wd)\r.pJ  
生产 a4~B  
硅片测试 y _"V=:  
顶层设计: M NwY   
书写功能需求说明 [j'!+)>_  
顶层结构必备项 t7x<=rW7u  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 @XzfuuE]  
完成顶层结构设计说明 W#P\hx  
确定关键的模块(尽早开始) lD[@D9  
确定需要的第三方IP模块 qQ3Q4R\  
选择开发组成员 !P EKMDh  
确定新的开发工具 h?SRX_  
确定开发流程/路线 C@`#@1X  
讨论风险 T{+a48,;  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ]j/= x2p  
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