晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 (VBoZP=W  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 <=19KSGFt  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： H6'xXS  
1、顶层设计 E\RQm}Z09  
2、仿真 `"-)ObO
j}  
3、热设计及功耗 O-  r"G  
4、资源利用、速率与工艺 3~Ipcr B  
5、覆盖率要求 }>)"!p;t_  
6、 ;O{AYF?,N  
四、具体到测试有哪些需要关注： q;B-np?U  
1、可测试性设计 |? r,W~9`  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 UN,@K9  
3、可靠性测试 O a-ZeCq  
4、故障与测试关系
!>t|vgW  
5、 z,DEBRT+  
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测试有效性保证； 3(FJ<,"D}  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 9LCV"xgX  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 CE*@CkC0z  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 S=M$g#X`5  
晶圆的工艺参数监测dice， JrCm >0g  
芯片失效分析13488683602 hnG'L*HooE  
(h`||48d  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 'SOp!h$  
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jQsucs5$h  
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故障种类： PiAA,  
缺陷种类： {\lu; b!  
针对性测试： KY4|C05,  
X}Fc0Oo  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ds7I .Q'  
xmq~:fcU=  
O]lWaiR`  
qZA?M=NT?  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； roL~r`f`  
仿真与误差， *"1]NAz+  
预研阶段 htMpL
  
顶层设计阶段 gpE5ua&  
模块设计阶段 Pme`UcE3H  
模块实现阶段  lR;<6  
子系统仿真阶段 O!/J2SfuDH  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Isoqs(Oi  
后端版面设计 F/@#yQv?  
测试矢量准备 [ &R-YQ@  
后端仿真 i"|'p/9@q  
生产 0W]Wu[k  
硅片测试 p~=%CG^5  
顶层设计： $K;4=zN>t:  
书写功能需求说明 \]y$[\F>  
顶层结构必备项 3(vI{[yhT  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 |h6)p;`gc  
完成顶层结构设计说明 0~n=|3*P  
确定关键的模块（尽早开始） u5T\_0  
确定需要的第三方IP模块 6>bKlYl&9  
选择开发组成员 > -k$:[l  
确定新的开发工具 ,n&Dg58K  
确定开发流程/路线 p&XbXg-  
讨论风险 p3sz32RX  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 OEZXV ;F