晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 + 65<|0  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 V$;`#J$\b  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： HU|qeSyel  
1、顶层设计 | z_av  
2、仿真 H
@ty'z?  
3、热设计及功耗 -]Mk} z$  
4、资源利用、速率与工艺 nw_|W)JVQ  
5、覆盖率要求 {{[@ X  
6、 gbh/`  
四、具体到测试有哪些需要关注： aHI~@  
1、可测试性设计 0}'/pN>  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 a9_2b}t  
3、可靠性测试 -;RAW1]}Y$  
4、故障与测试关系 gvo5^O+)HH  
5、 6W7,EIf  
+iQ~ Y2Gh  
测试有效性保证； ;j(*:Nt1  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ;A*sub  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 W~i0.rg|>  
mz;ExV16  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 )=aqj@v  
晶圆的工艺参数监测dice， Vhb~kI!x  
芯片失效分析13488683602 Do^yer~  
LW("/  
J4iu8_eH!D  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 |8x_Av0  
IF//bgk-  
99]s/KD2yb  
#.Ly  
ANj%q9e!Yi  
故障种类： Bxj4rC[  
缺陷种类： ~{kA;uw  
针对性测试： 8 ?:W{GAo  
5"q{b1  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test !}1l8Y  
eU-A_5  
|c-`XC2g  
CPP9=CoR37  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； oW(8bd)  
仿真与误差， mt e3k=17  
预研阶段 8-b~p  
顶层设计阶段 F%{z EANm  
模块设计阶段 hKsx7`[  
模块实现阶段 S=~+e{  
子系统仿真阶段 o5Knot)Oy  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (.{."  
后端版面设计 QEx&AT  
测试矢量准备 \(5Bi3PA}  
后端仿真 v yP_qG  
生产 4L,&a+)  
硅片测试 >Wpdq(o  
顶层设计： WFqOVI*l  
书写功能需求说明 }ASBP:c"t  
顶层结构必备项 K:pG<oV|}  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 6skd>v UU  
完成顶层结构设计说明 )
oS~ish  
确定关键的模块（尽早开始） _,-\;  
确定需要的第三方IP模块 (hv}K*c{  
选择开发组成员 :4COPUBpPV  
确定新的开发工具 0nlh0u8#  
确定开发流程/路线 DFGgyFay  
讨论风险 -OfAl~ 4  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 O9{A)b!HB