晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2537
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 1p/_U?H:|  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 pXQ$n:e  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: :SMf (E 5  
1、顶层设计 ) .V,zmI  
2、仿真 &C9)%5 O)  
3、热设计及功耗 F2(^O Fh  
4、资源利用、速率与工艺 if1)AE-  
5、覆盖率要求 (Cti,g~  
6、 y^X]q[-?  
四、具体到测试有哪些需要关注: VyIJ)F.c  
1、可测试性设计 8<6@O  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 ]w-W  
3、可靠性测试 $S?xB$  
4、故障与测试关系 i(# Fjp  
5、 voP #}fD  
V^ ;l g[:  
测试有效性保证; -0CL#RzKR  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? "Rf|o 6!d  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 4eaH.&&  
Gh3f^PWnc  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 `i~J0#P  
晶圆的工艺参数监测dice, $`C$|9S  
芯片失效分析13488683602 ]P^ 3uXi  
"6%qi qt  
t08[3Q&  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 ^6CPC@B1  
:Xx7':5  
=(,kjw88w  
mxc^IRj  
S!R (ae^}  
故障种类: 8y?q)y9h  
缺陷种类: OMjx,@9  
针对性测试: g'-hSV/@}@  
!.q#X^@>L  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test xTZJ5iZ17  
`Y '-2Fv  
IMy!8$\u  
$qoal   
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; !0X"^VB  
仿真与误差, 6 iH]N*]S^  
预研阶段 h9. Yux  
顶层设计阶段 N45@)s!F9j  
模块设计阶段 vL;=qk TCQ  
模块实现阶段 m Le 70U  
系统仿真阶段 D/2;b;-  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 `V[ hE r|  
后端版面设计 X5Y. o&  
测试矢量准备 LXc;`]  
后端仿真 ,;=is.h9  
生产 6k1_dRu  
硅片测试 'HWPuWW  
顶层设计: p|)j{nc  
书写功能需求说明 iA"H*0  
顶层结构必备项 H Mfhe[A?  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 _oU~S$hO  
完成顶层结构设计说明 DK%@ [D  
确定关键的模块(尽早开始) $fW8S8  
确定需要的第三方IP模块 ugW.nf*O  
选择开发组成员 s*kSl:T @O  
确定新的开发工具 H"V)dEm  
确定开发流程/路线 dpcv'cRfw  
讨论风险 ~?lmkfy  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 pD6a+B\;k  
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