晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 lZ <D,&  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 C 20VSwd  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： {]N7kY.W  
1、顶层设计 TD4 n%k.  
2、仿真 |8GLS4.]t  
3、热设计及功耗 1(%6X*z  
4、资源利用、速率与工艺 ejbtdU8N<  
5、覆盖率要求 r/HG{XH`  
6、 K2V?[O#  
四、具体到测试有哪些需要关注： R$+"'N6p  
1、可测试性设计 :/RvtmW  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 e:_[0#  
3、可靠性测试 VD =f 'D  
4、故障与测试关系 frV_5yK'  
5、
mD*!<<Sw  
#Pg?T%('`  
测试有效性保证； Y|W#VyM-  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ :R$v7{1  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 HW"5MZ8E  
-Hy> z  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 A.r.tf}:  
晶圆的工艺参数监测dice， x@pzgqi3  
芯片失效分析13488683602 J&+"  
F*NHy.Y  
|I|,6*)xg  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ??++0<75  
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  &._Mh  
T?`Ha\go  
.E{FD%U  
故障种类： C/ ]Bx  
缺陷种类： {?X +Yw  
针对性测试： `/WOP`'zM  
{e0aH `me  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ^?0?*  
%0 U@k!lP  
H;Gs0Qi;  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； FEBRUk6.h  
仿真与误差， &hZ6CV{  
预研阶段 /^WawH6)6  
顶层设计阶段 P;|63"U  
模块设计阶段 |]-~yYqP3  
模块实现阶段 [g+WL\1  
子系统仿真阶段 ^a!oq~ZSy  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 uF)^mT0D=  
后端版面设计 xZloEfv.B  
测试矢量准备 SLvo)`Nc3-  
后端仿真 @ W q8AFo  
生产 2t=&h|6EW  
硅片测试 IQmlmu  
顶层设计： X6?Gxf,  
书写功能需求说明 (?.h<v1}  
顶层结构必备项 yV&]i-ey  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 a<((\c_8G  
完成顶层结构设计说明 ]a:T]x6'  
确定关键的模块（尽早开始） hWX4 P  
确定需要的第三方IP模块 5\}QOL  
选择开发组成员 Ct3+ga$  
确定新的开发工具 Jr>Nc}!U  
确定开发流程/路线 NG4@L1f%  
讨论风险 u}?{1B!  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 90H/Txq