晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 )L
,.KO  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 y;.U-}e1  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Vb _W&Nwd  
1、顶层设计 #o(c=  
2、仿真 /3(|P  
3、热设计及功耗 +d$l1j  
4、资源利用、速率与工艺 F!LVyY"w  
5、覆盖率要求 rJ@yOed["b  
6、 $@ous4&  
四、具体到测试有哪些需要关注： @TvoCDeI  
1、可测试性设计 QJsud{ada  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 /]_a\x5Ss  
3、可靠性测试 fsA
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4、故障与测试关系 +&U{>?.u  
5、 }
'"4q  
JdP[ cN  
测试有效性保证；
kVH^(Pi  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ H.n+CR  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 na%DF@Rt#  
u
B`H9  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 9b8kRz[ c  
晶圆的工艺参数监测dice， ]+OHxCj:  
芯片失效分析13488683602 XDot3)2`  
,{pC1A@s  
6F@2:]W  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 SEL7,8 Hm  
k=7+JI"J  
kW 7$  
1]yjhw9g  
3RW3<n  
故障种类： :epjJ1mW  
缺陷种类： zRz7*o&l  
针对性测试： RfZZqeU  
cP]5Qz  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test jOE~?{8m  
#nzVgV]  
uia[>&2  
R3[H#*gF<  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ,rO>5$w.  
仿真与误差， r N.<S[  
预研阶段 Xyf
7sHQ  
顶层设计阶段 W,g0n=2V  
模块设计阶段 7p!w(N?s  
模块实现阶段 FTA[O.tiG  
子系统仿真阶段 '(qVA>S  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 'u%;5;%2  
后端版面设计 kJOSGrg  
测试矢量准备 ?puZqVu5  
后端仿真 !alO,P%>r  
生产 (I) e-1  
硅片测试 s-z*Lq*  
顶层设计： 7wm9S4+|  
书写功能需求说明 gLH#UwfJ  
顶层结构必备项 DH5]Kzb/  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ]rhxB4*1  
完成顶层结构设计说明 }IRx$cKV  
确定关键的模块（尽早开始） S]P80|!|  
确定需要的第三方IP模块 VgoN=S  
选择开发组成员 :Hn*|+'  
确定新的开发工具 5z$>M3  
确定开发流程/路线 mp\`9j+{  
讨论风险 Y?^1=9?6  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ZgXn8O[a