晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 DuJbWtA  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 S'"(zc3=  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： A%S6&!I:(  
1、顶层设计 c%,~1l  
2、仿真 qE73M5L&  
3、热设计及功耗 H2oAek(  
4、资源利用、速率与工艺 @&!HMl  
5、覆盖率要求 o'S&YD  
6、 "]|I;I"b  
四、具体到测试有哪些需要关注： 4#H~g @  
1、可测试性设计 C]{:>= K  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ^|KX)g  
3、可靠性测试 Se
nDJv00  
4、故障与测试关系 <{U "0jY!9  
5、 %G!BbXlz  
,#Y>nP0  
测试有效性保证； Wx&gI4~  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ B=K&+  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 (vHB`@x  
ZsjDe{TH  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 f{=0-%dA  
晶圆的工艺参数监测dice， :p^7XwX%w  
芯片失效分析13488683602 Z~O1$,Z  
7I>@PVN  
CFqteY"  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 9L+dN%C  
]AjDe]  
;Js-27_0  
Y>}[c   
"?E>rWz  
故障种类： w>M8FG(4]  
缺陷种类： mouLjT&p  
针对性测试： OmO/x  
*^]Hqf(`  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test #kD8U#  
FF]xwptrx  
A8bDg:G1i  
IyvJwrO  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； l*;Isz:  
仿真与误差， FSnF>3kj-  
预研阶段 vvEr}G  
顶层设计阶段 ,U9gg-.Lp  
模块设计阶段 Q9v OY8  
模块实现阶段 ^(5Up=.EA  
子系统仿真阶段 %hcn|-"F  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 |7G+O+j  
后端版面设计 =bt/2nPV  
测试矢量准备 Dk$[b9b  
后端仿真 NbPv>/r  
生产 tz{W69k+  
硅片测试
tE"aNA#=  
顶层设计： @"[xX}xK;  
书写功能需求说明 )@"iWQ3K  
顶层结构必备项 7`,A]":;  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 %W!C  
完成顶层结构设计说明 ]F:5-[V#  
确定关键的模块（尽早开始） nSWW^ ;  
确定需要的第三方IP模块 d^5OB8t  
选择开发组成员 vb 2mY  
确定新的开发工具 C(( 7  
确定开发流程/路线
ROZOX$XM  
讨论风险 8*O]  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 FGzMbi<l#(