芯片测试及晶圆测试

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一、需求目的：1、热达标；2、故障少 E_FseR6  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 #bnFR  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： /<GygRs  
1、顶层设计 m~#O ~)  
2、仿真 " 4s,a  
3、热设计及功耗 n*U1 M  
4、资源利用、速率与工艺 #\w~(Nm-  
5、覆盖率要求 "xw2@jGpG  
6、 F`'e/  
四、具体到测试有哪些需要关注： Ucv-}oa-?  
1、可测试性设计 MSw/_{  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 >hHn{3y  
3、可靠性测试 -8g ;t3z  
4、故障与测试关系 ]U]{5AA6  
5、 &FGz53fd4  
7)~/`w)P  
测试有效性保证； lv,<[Hw1  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ >pr{)bp G  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 an.)2*u  
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(]{MY  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 `XQM)A  
晶圆的工艺参数监测dice， Z|E( !"zE9  
)'92{-A0  
j&ddpS(s  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 haS`V  
/8lGP!z  
   \#  
故障种类： r'-)@|  
缺陷种类： t[%9z6t  
针对性测试： % `\8z  
u[y>DPPx  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test yjc:+Y{5'  
>AV?g8B;  
WC0@g5;1[  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； pz~AsF  
仿真与误差， x-Yt@}6mvl  
n 预研阶段 ` Y"Rh[C  
n 顶层设计阶段 76(&O  
n 模块设计阶段 yi
n"+&<T  
n 模块实现阶段 Fod2KS;g  
n 子系统仿真阶段  ]Ocf %(  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 <5G*#0gw  
n 后端版面设计 @zW'!Ol  
n 测试矢量准备 n"$D/XJO  
n 后端仿真 c(i-~_  
n 生产 g.Z>9(>;Y  
n 硅片测试 rQ LNo,  
顶层设计： {])F%Q_#cD  
n 书写功能需求说明 Q];+?Pu.  
n 顶层结构必备项 ZoF\1C ^  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 =&< s*-l[  
n 完成顶层结构设计说明 .^fq$7Y}7  
n 确定关键的模块（尽早开始） 77.5 _  
n 确定需要的第三方IP模块 x/R|i%u-s  
n 选择开发组成员 +3!u
m  
n 确定新的开发工具 wqK>=Ri_  
n 确定开发流程/路线 9co1+y=i{  
n 讨论风险 M8Q-x
-7  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗
V.>'\b/#  
n 国软检测 芯片失效分析中心