芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2902
>brf7h  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 sU/R$Nbr  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 1%;o-F@  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: (61_=,jv\h  
1、顶层设计 0x-58i0  
2仿真 Zy>iaG9}  
3、热设计及功耗 U%7| iK  
4、资源利用、速率与工艺 |9;6Cp  
5、覆盖率要求 f~RS[h`:  
6 XM+o e0:[  
四、具体到测试有哪些需要关注: vtv^l 3  
1、可测试性设计 >z`^Q[  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 =` b/ip5  
3、可靠性测试 TH`zp]0  
4、故障与测试关系 PMdvBOtS`  
5 ]$StbBP  
I-fjqo3  
测试有效性保证; C{i9~80n  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? X/ \5j   
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 `v1Xywg9P  
+0,{gDd+  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 $ylQ \Y'  
晶圆的工艺参数监测dice ~4YLPMGKl  
,<^7~d{{3m  
98%M`WY  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 7# /c7   
Bc/'LI.%  
   $/*6tsR  
故障种类: 1|?8g2Vf  
缺陷种类: nTJ-1A7EP  
针对性测试: n9;z=   
>d`XR"_e  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test =1JS6~CTLN  
/-#1ys#F=  
C)7T'[  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; t3#My2=  
仿真与误差, oBA]qI  
n 预研阶段 92@/8,[  
n 顶层设计阶段 BVKr 2v  
n 模块设计阶段 C+*qU  
n 模块实现阶段 Vr1Wr%  
n 系统仿真阶段 )YDuq(g&  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 4k HFfc  
n 后端版面设计 !J5k?J&{=  
n 测试矢量准备 _^)Wrf+  
n 后端仿真 o]&w"3vOP0  
n 生产 W>ziA  
n 硅片测试 ElAho3 W  
顶层设计: M~0A-*N  
n 书写功能需求说明 LqH<HGMFD  
n 顶层结构必备项 &B^zu+J  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 p19[qy~.  
n 完成顶层结构设计说明 YL)epi^  
n 确定关键的模块(尽早开始) <Rs#y:  
n 确定需要的第三方IP模块 KjrUTG0oA  
n 选择开发组成员 pJ` M5pF  
n 确定新的开发工具 B!`Dj,_  
n 确定开发流程/路线 m15MA.R>  
n 讨论风险 vhw"Nl  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 0XrB+nt  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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