芯片测试及晶圆测试

=XSupM[T  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 pVjOp~=U  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 0Uk;&a0s  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： E(*CEW.V*  
1、顶层设计 \vL{f;2J  
2、仿真 nx{X^oc8e  
3、热设计及功耗 Z)u_2e  
4、资源利用、速率与工艺 i~4$V  
5、覆盖率要求 8KdcU[w]  
6、 /kO%aN  
四、具体到测试有哪些需要关注： {G|= pM\'  
1、可测试性设计 Ycxv=Et  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 \y7\RV>>3b  
3、可靠性测试 J~ z00p`E  
4、故障与测试关系 uXG$YDKqC  
5、 HMKogGTTo  
S[&yO-=p6  
测试有效性保证； b'`C<Rk  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ S1i~r+jf  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 X:(t,g*7  
4/2@^\?i)  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。  N=!k2+  
晶圆的工艺参数监测dice， u*7>0o|H:  
mMK 93Ng"&  
yOk]RB<'r  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 Q$yQ^ mG  
 SmAF+d
 
   ExOSHKU,e  
故障种类： OZ<fQf.Gh}  
缺陷种类： k/Ao?R=@gI  
针对性测试： 9}G<\y  
).MV1@s  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test %w3tzE1Hq  
axkNy}ct  
1w 9zl}  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； }ol<DV  
仿真与误差， 'H1k  
n 预研阶段 sA,2gbW  
n 顶层设计阶段 Bthp_cSmLs  
n 模块设计阶段 S<w?,Z  
n 模块实现阶段 TSRl@QVy  
n 子系统仿真阶段 7VfPS5se  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 GM0pHmC  
n 后端版面设计 reNUIDt/c  
n 测试矢量准备 FaG&U  
n 后端仿真 AnBD~h h  
n 生产 Nqbm,s  
n 硅片测试 9*[!ux7h  
顶层设计： bI)%g  
n 书写功能需求说明 :*tFW~<*b  
n 顶层结构必备项 c 1{nOx  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 };>~P%u32  
n 完成顶层结构设计说明 ~8lB#NuN  
n 确定关键的模块（尽早开始） 7{OD/*|  
n 确定需要的第三方IP模块 hx}X=7w  
n 选择开发组成员 0(^N  
n 确定新的开发工具 9Om3<der  
n 确定开发流程/路线 ^^[A\'  
n 讨论风险 7<93n`byM  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 @u-CR8^  
n 国软检测 芯片失效分析中心