芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2289
s xp>9&  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 m3E`kW |  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 3c.,T  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: \_J;i[  
1、顶层设计 y)e8pPDG  
2仿真 TmIw?#q^  
3、热设计及功耗 YZ0Jei8+-  
4、资源利用、速率与工艺 DqGm  
5、覆盖率要求 ny{Yr>:2  
6 Q,m1mIf  
四、具体到测试有哪些需要关注: qTUyax  
1、可测试性设计 9d_ Zdc  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 Y(3X5v?[  
3、可靠性测试 H!yqIh  
4、故障与测试关系 $(8CU$gi=  
5 2/m4|  
R+y 9JE  
测试有效性保证; cg]>*lH  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? yTb#V"eR  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 Oq3]ZUVa  
51&K  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 TKBW2  
晶圆的工艺参数监测dice $)6%LG_@  
Qaeg3f3F3  
`8sC>)lrwu  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 EAPjQA-B?  
-) LiL  
   `!A<XiAOmM  
故障种类: lrL:v~g  
缺陷种类: l" P3lKS  
针对性测试: ;bhD:$NB X  
E6zSMl5b  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 7`_`V&3s  
J70r`   
o3OtG#g2  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; f5ttQ&@FF  
仿真与误差, GI _.[  
n 预研阶段 $WS?/H0C  
n 顶层设计阶段 ZGZ1Q/WH  
n 模块设计阶段 p]E\!/  
n 模块实现阶段 Q^! x8oUF  
n 系统仿真阶段 UHT2a9rG  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 <tx`#,  
n 后端版面设计 xg8$ <Ut  
n 测试矢量准备 1@W*fVn  
n 后端仿真 d$T856  
n 生产 la}Xo0nq0+  
n 硅片测试 Xdtyer%  
顶层设计: %;MM+xVVX  
n 书写功能需求说明 J,Rp&tavt:  
n 顶层结构必备项 +Cg[!6[#  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Mj5&vs~n;  
n 完成顶层结构设计说明 I92orr1  
n 确定关键的模块(尽早开始) !<#,M9 EA&  
n 确定需要的第三方IP模块 E,p4R%:$@1  
n 选择开发组成员 *mtS\J  
n 确定新的开发工具 I:Q3r"1  
n 确定开发流程/路线 =Hf`yH\#  
n 讨论风险 DT#F?@LG(  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 >%1mx\y^  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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