芯片测试及晶圆测试

1J+3a-0  
一、需求目的：1、热达标；2、故障少 &0i71!Oy  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 !r2}59J  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： K9}jR@jy$  
1、顶层设计 dc)wu]  
2、仿真 |'@V<^GR  
3、热设计及功耗 LNbx3W oC  
4、资源利用、速率与工艺 R>` ih&,)  
5、覆盖率要求 b/G8Mr  
6、 d)9PEt
I  
四、具体到测试有哪些需要关注： ?^eJ:  
1、可测试性设计 L&rO6  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 zH'!fhcy  
3、可靠性测试 QZ:v  
4、故障与测试关系 U0zW9jB  
5、 "1\(ZKG8^Q  
bL#sn_(m  
测试有效性保证； (c 1u{  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 9PWm@ Nlf  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 tvK rc  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 X #H:&*[!  
晶圆的工艺参数监测dice， (PyTq 5:F  
TR+Q4Y:  
fWqv3nY^  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 4$qNcMdz  
JIB?dIN 1  
   \;'_|bu3.  
故障种类： Cd$dnHVh  
缺陷种类： PV?1g|tYv  
针对性测试： Hs.6;|0%  
KC#kss  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ;sm"\.jF  
b"`ru~]  
5+J64_  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 0@JilGk1u  
仿真与误差， Cca~Cq[%*(  
n 预研阶段 YLD-SS[/>  
n 顶层设计阶段 5~v(AB(x  
n 模块设计阶段 rDK;6H:u{  
n 模块实现阶段 A!Knp=Gw  
n 子系统仿真阶段 EKV+?jj$  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 " &_$V@S  
n 后端版面设计 (R9QBZP5  
n 测试矢量准备 N`y}Gs  
n 后端仿真 [u,hc/PL  
n 生产 TXZ(mj?  
n 硅片测试 pjaiAe!k  
顶层设计： >_|Z{:z]d.  
n 书写功能需求说明 |) x'  
n 顶层结构必备项 h[Ndtq>3{  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 a3b2nAIl  
n 完成顶层结构设计说明 D|u^8\'.  
n 确定关键的模块（尽早开始） x&Q+|b%  
n 确定需要的第三方IP模块 9;>@"e21R  
n 选择开发组成员 V)_H E  
n 确定新的开发工具 YlZYS'_  
n 确定开发流程/路线 R4z<Xf:!  
n 讨论风险 vLi/'|7  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 &/J.0d-*``  
n 国软检测 芯片失效分析中心